[发明专利]图像传感器及半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器制作方法，其包括：

提供半导体材料、绝缘层及逻辑层，其中所述绝缘层安置于所述半导体材料与所述逻辑层之间，其中所述半导体材料包含多个光电二极管，且其中穿半导体通孔从所述半导体材料延伸穿过所述绝缘层且延伸到所述逻辑层中；

利用封盖层封盖所述穿半导体通孔，其中所述封盖层接近于所述半导体材料安置，且其中所述封盖层的横向界限延伸跨越所述穿半导体通孔的横向界限及所述多个光电二极管的横向界限；

形成安置于所述半导体材料中的第一沟槽中的金属垫；

在所述封盖层上及所述半导体材料中的所述第一沟槽中沉积绝缘材料，其中所述金属垫由所述绝缘材料覆盖；

在所述绝缘材料中的第二沟槽中沉积抗蚀剂，其中所述绝缘材料中的所述第二沟槽与所述金属垫对准；

移除所述绝缘材料以暴露所述封盖层；

移除所述封盖层的接近于所述多个光电二极管安置的一部分；及

接近于所述多个光电二极管形成金属栅格。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包含多个互连件，且其中所述金属垫延伸穿过所述半导体材料并接触所述多个互连件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述穿半导体通孔延伸到所述绝缘层中且电耦合到所述多个互连件，且其中所述多个互连件中的个别互连件彼此连接并连接到所述穿半导体通孔。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属垫包含铝且所述多个互连件包含铜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个光电二极管中的个别光电二极管由深沟槽隔离件分离，且其中所述金属栅格与所述多个光电二极管光学对准。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括形成掩埋式彩色滤光器阵列，其中所述掩埋式彩色滤光器阵列中的个别彩色滤光器由所述金属栅格分离，且其中所述金属栅格防止所述多个光电二极管之间的光学串扰。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述深沟槽隔离件包含钨，且其中所述金属栅格包含钛。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料包含氧化硅且所述封盖层包含氮化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属垫包含：

穿过所述封盖层且向所述半导体材料中蚀刻所述第一沟槽；

在所述第一沟槽的壁上形成所述绝缘材料；及

在所述第一沟槽中沉积所述金属垫。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述封盖层上沉积所述绝缘材料包含沉积氧化物，且其中所述氧化物的厚度大于

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述封盖层包含氮化硅。

12.一种半导体装置制作方法，其包括：

形成包含半导体材料、绝缘层及逻辑层的至少三个装置层，其中所述绝缘层安置于所述半导体材料与所述逻辑层之间，且其中所述半导体材料包含多个光电二极管；

形成从所述半导体材料延伸到所述逻辑层的穿半导体通孔；

在所述穿半导体通孔上形成封盖层，其中所述封盖层的横向界限延伸跨越所述穿半导体通孔及所述多个光电二极管；

形成安置于所述半导体材料中的第一沟槽中的金属垫；

在所述封盖层上及所述半导体材料中的所述第一沟槽中沉积绝缘材料；

在所述绝缘材料中的第二沟槽中沉积抗蚀剂，其中所述绝缘材料中的所述第二沟槽与所述金属垫对准；

移除所述绝缘材料且移除所述封盖层的接近于所述多个光电二极管安置的一部分；及

在所述多个光电二极管上方形成金属栅格。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘层包含多个互连件，其中所述金属垫延伸穿过所述半导体材料并接触所述多个互连件，且其中所述多个互连件耦合到所述穿半导体通孔。