[发明专利]发光器件封装有效
申请号: | 201611141151.4 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN106848033B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 金炳穆;郑粹正;金有东;李建教 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
提供了一种发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯。该发光器件封装包括本体、散热元件、发光二极管(LED)以及缓冲层。在本体中形成有顶侧开口的腔体。散热元件设置在腔体的底表面与本体的下表面之间。LED设置在被置于腔体底表面上的电极中的一个电极上。缓冲层设置在散热元件与焊盘之间,且缓冲层的厚度比散热元件的厚度薄。本发明的发光器件封装能够提高散热效率。
本申请是申请日为2012年5月14日,申请号为201210148995.7,优先权日为2011年5月13日,发明名称为“发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容涉及一种发光器件封装以及具有该发光器件封装的紫外灯。
背景技术
发光二极管(LED)可以用作光源,并且它可以由化合物半导体材料形成,所述化合物半导体材料例如为含GaAs的材料、含AlGaAs的材料、含GaN的材料、含InGaN的材料以及含InGaAlP的材料。
通过封装这些LED能够制造能发出各种颜色的光的发光器件封装。发光器件封装用作各种器件的光源,例如照明显示器件、字符显示器件以及图像显示器件。
特别地,紫外(UV)LED能够发出波长245nm到405nm的光。例如,从UV LED发出的短波长的光可以用于杀菌或净化,而从UV LED发出的长波长的光可以用于曝光或UV固化。
然而,UV LED在发光的同时产生热量,所产生的热量导致出错并降低可靠性。这种热量能够通过增大UV LED的封装尺寸来散发。然而,这样就难以提供高度集成、经济的LED封装。
发明内容
本发明的实施例提供一种结构得到改善的发光器件封装。
本发明的实施例提供一种发光器件封装,其中,散热元件设置在本体与发光二极管之间。
本发明的实施例提供一种发光器件封装,其中,缓冲层设置在本体与散热元件之间。
本发明的实施例提供一种紫外发光器件封装,包括紫外发光二极管和用于保护该紫外发光二极管的保护器件。
本发明的实施例提供一种发光器件封装,包括腔体,在腔体中形成有多个子腔体。
本发明的实施例提供一种发光器件封装,其中,保护器件设置在多个子腔体中的至少一个中以保护紫外发光二极管。
本发明的实施例提供一种可靠的紫外灯,其包括发光器件封装。
在一个实施例中,一种发光器件封装包括:本体,包括顶侧开口的腔体,所述本体包括陶瓷材料;散热元件,位于所述腔体的底表面与所述本体的下表面之间;多个电极,位于所述腔体的所述底表面上;多个焊盘,设置在所述本体的所述下表面上,并电连接至所述电极中的至少一个;发光二极管(LED),设置在被置于所述腔体的所述底表面上的电极中的一个上,所述发光二极管电连接至所述电极中的至少一个;以及缓冲层,设置在所述散热元件与所述焊盘中的至少一个焊盘之间,并且该缓冲层的厚度比所述散热元件的厚度薄。
在另一个实施例中,一种发光器件封装包括:本体,包括顶侧开口的腔体,所述本体包括陶瓷材料;多个电极,包括设置在所述腔体的底表面的第一区域中的第一电极以及设置在所述腔体底表面上且与所述第一电极间隔开的至少一个第二电极;多个焊盘,包括设置在所述本体下表面上且对应于所述第一电极的第一焊盘,以及电连接至所述第一焊盘的第二焊盘;发光二极管,设置在被置于所述腔体的底表面上的所述第一电极上,所述发光二极管电连接至多个电极中的至少一个;散热元件,设置在所述本体中且位于所述第一电极与所述第一焊盘之间;以及缓冲层,设置在所述散热元件与所述多个焊盘中的至少一个焊盘之间,其中所述散热元件的表面具有粗糙部。
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