[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括腔体、上衬环、下衬环和绝缘件；其中，所述下衬环环绕在所述腔体的侧壁内侧；所述上衬环环绕在所述下衬环的内侧；所述绝缘件设置在所述上衬环与所述下衬环之间；其特征在于，

所述绝缘件包括闭合的环状本体；所述上衬环具有第一外沿，所述下衬环具有第二外沿；其中，

所述第二外沿、所述环状本体和所述第一外沿由下而上依次叠置；其中，

所述绝缘件还包括环形凸台，所述环形凸台设置在所述环状本体的上端面；

所述第一外沿的下表面设置有第一环形凸部；且

所述第一环形凸部位于所述第一外沿和所述环状本体之间，所述第一环形凸部的内周壁与所述环形凸台的外周壁相贴合。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述绝缘件的热膨胀系数小于所述上衬环的热膨胀系数。

3.根据权利要求1或2所述的反应腔室，其特征在于，在所述第二外沿的上表面设置有第二环形凸部，所述第二环形凸部的内周壁与所述环状本体的外环壁相贴合。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述绝缘件的热膨胀系数小于所述下衬环的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述第一外沿、所述第一环形凸部、所述环状本体、所述第二外沿和所述反应腔室的侧壁之间形成有环形空间；

在所述第一环形凸部上设置有多个进气孔，多个所述进气孔沿所述第一环形凸部的周向均匀分布；每个所述进气孔均连通所述环形空间和所述反应腔室的内部；

在所述反应腔室的侧壁中设置有进气通道，用以将工艺气体输送至所述环形空间内。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的侧壁内侧环绕设置有环形支撑台，所述第二外沿叠置在所述环形支撑台上；

所述反应腔室还包括沿所述反应腔室的周向均匀分布的多个定位螺栓，用于将所述第一外沿、所述第一环形凸部、所述环状本体、所述第二外沿和所述环形支撑台固定在一起；

所述定位螺栓分别与所述第二外沿和所述环形支撑台电绝缘。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述第一外沿、所述环状本体、所述第二外沿和所述反应腔室的侧壁之间形成有环形空间；

在所述环状本体上设置有多个进气孔，多个所述进气孔沿所述环状本体的周向均匀分布；每个所述进气孔均连通所述环形空间和所述反应腔室的内部；

在所述反应腔室的侧壁中设置有进气通道，用以将工艺气体输送至所述环形空间内。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的侧壁内侧环绕设置有环形支撑台，所述第二外沿叠置在所述环形支撑台上；

所述反应腔室还包括沿所述反应腔室的周向均匀分布的多个紧固螺栓，用于将所述第一外沿、所述环状本体、所述第二外沿和所述环形支撑台固定在一起；

所述紧固螺栓分别与所述第二外沿和所述环形支撑台电绝缘。

9.根据权利要求5或7所述的反应腔室，其特征在于，所述进气孔的数量、横截面积和所述工艺气体的流速的乘积大于所述工艺气体的气流量。

10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述绝缘件采用陶瓷或石英制作。

11.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-10任意一项所述的反应腔室。