[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；对所述氧化层表面进行氧化处理；对经氧化处理的所述氧化层进行图形化，去除部分氧化层。本发明技术方案在形成氧化层之后，对所述氧化层表面进行氧化处理，从而去除所述氧化层表面的残留物，减少所述残留物对后续工艺的影响，减少所述氧化层图形化过程中缺陷的产生，从而提高形成半导体结构的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制作技术的不断发展，半导体器件朝着更高元件密度，以及更高集成度的方向发展。半导体器件的几何尺寸遵循摩尔定律不断缩小。作为最基本的半导体器件，晶体管的尺寸随着半导体器件尺寸的减小而减小。

当半导体器件尺寸减小到一定程度时，各种因为半导体器件的物理极限所带来的二级效应相继出现，半导体器件的特征尺寸按比例缩小变得越来越困难。其中，对晶体管而言，尺寸的减小会引起漏电流增大，饱和电流减小的等诸多问题，从而引起晶体管性能的退化。

对于晶体管性能的退化，当前的一种解决方法是，采用高K栅介质材料代替传统的二氧化硅栅介质材料，并使用金属作为栅电极，以避免高K材料与传统栅电极材料发生费米能级钉扎效应以及硼渗透效应。“高K金属栅”的引入，减小了半导体器件的漏电流。

但是现有技术中，引入“高K金属栅”的半导体结构，往往存在缺陷较多，良率较低的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以减少缺陷提高良率。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；对所述氧化层表面进行氧化处理；对经氧化处理的所述氧化层进行图形化，去除部分氧化层。

可选的，进行氧化处理的步骤包括：通过臭氧溶液对所述氧化层表面进行氧化处理。

可选的，通过臭氧溶液进行氧化处理的步骤中，按摩尔百分比，所述臭氧溶液的浓度在30％到80％范围内。

可选的，通过臭氧溶液进行氧化处理的步骤中，氧化处理的时间在20秒到2分钟范围内。

可选的，进行氧化处理的步骤包括：通过氧气退火的方式对所述氧化层表面进行所述氧化处理。

可选的，通过氧气退火进行氧化处理的步骤中，氧气流量在0.8slm到1.0slm范围内。

可选的，通过氧气退火进行氧化处理的步骤中，退火温度在1000℃到1200℃范围内，退火时间在15s到40s范围内。

可选的，形成所述氧化层的步骤包括：通过原位水汽生成工艺形成所述氧化层。

可选的，对所述氧化层进行图形化的步骤包括：在经氧化处理的所述氧化层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层露出部分氧化层；去除所述光刻胶层露出的部分氧化层；去除所述光刻胶层，露出剩余的氧化层。

可选的，去除部分氧化层的步骤包括：通过湿法刻蚀的方式去除部分氧化层。

可选的，通过湿法刻蚀去除部分氧化层的步骤中，刻蚀溶液为氢氟酸。

可选的，去除所述光刻胶层的步骤包括：通过湿法清洗的方式去除所述光刻胶层。

可选的，通过湿法清洗去除所述光刻胶层的步骤中，清洗溶液为硫酸和过氧化氢混合溶液。

可选的，形成图形化的光刻胶层的步骤包括：在经氧化处理的所述氧化层涂覆粘附剂；在表面涂覆有粘附剂的氧化层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行图形化，露出部分氧化层。

可选的，涂覆粘附剂的步骤中，所述粘附剂的材料为六甲基二硅胺。