[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上通过原位水汽生成工艺形成氧化层；所述氧化层表面有氢氧根离子；

在形成所述氧化层后，直接对所述氧化层表面进行氧化处理，将所述氢氧根离子还原为水；

对经氧化处理的所述氧化层进行图形化，去除部分氧化层；

对所述氧化层进行图形化的步骤包括：在经氧化处理的所述氧化层上形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层露出部分氧化层；去除所述光刻胶层露出的部分氧化层；去除所述光刻胶层，露出剩余的氧化层；

形成图形化的光刻胶层的步骤包括：在经氧化处理的所述氧化层涂覆粘附剂；在表面涂覆有粘附剂的氧化层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行图形化，露出部分氧化层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行氧化处理的步骤包括：通过臭氧溶液对所述氧化层表面进行氧化处理。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过臭氧溶液进行氧化处理的步骤中，按摩尔百分比，所述臭氧溶液的浓度在30％到80％范围内。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过臭氧溶液进行氧化处理的步骤中，氧化处理的时间在20秒到2分钟范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行氧化处理的步骤包括：通过氧气退火的方式对所述氧化层表面进行所述氧化处理。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过氧气退火进行氧化处理的步骤中，氧气流量在0.8slm到1.0slm范围内。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过氧气退火进行氧化处理的步骤中，退火温度在1000℃到1200℃范围内，退火时间在15s到40s范围内。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分氧化层的步骤包括：通过湿法刻蚀的方式去除部分氧化层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除部分氧化层的步骤中，刻蚀溶液为氢氟酸。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述光刻胶层的步骤包括：通过湿法清洗的方式去除所述光刻胶层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，通过湿法清洗去除所述光刻胶层的步骤中，清洗溶液为硫酸和过氧化氢混合溶液。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，涂覆粘附剂的步骤中，所述粘附剂的材料为六甲基二硅胺。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，所述衬底包括用于形成核心器件的核心区以及用于形成输入输出器件的外围区；

去除部分氧化层的步骤中，去除所述核心区衬底上的氧化层。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，去除部分氧化层之后，所述形成方法还包括：在所述衬底和所述氧化层上形成栅氧层，位于核心区衬底上的栅氧层用于形成所述核心器件的栅介质层，位于外围区衬底上的栅氧层和剩余的氧化层用于形成输入输出器件的栅介质层。