[发明专利]一种eMCP模块结构及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件封装技术领域，特别是涉及一种eMCP模块结构及制作方法。

背景技术

eMCP模块：是智能手机CPU与存储器件e MMC封装而成的智慧手机记忆体标准,可以在小体积内同时实现大容量的固态可变存储。

现有技术中eMCP模块存在的问题是：e MCP受11.5mm x 13mm x 1.3mm最小尺寸限制，容量增长不易(只能增加FLASH的数量，可以增加容量)，DRAM与FLASH芯片堆叠在一起，在设计基板走线时，信号线都分布在第一层，很容易产生讯号干扰，品质增加了不确定性，使e MCP模块往高端市场发展的难点。

发明内容

本发明的目的是提供种eMCP模块结构及制作方法，减少了信号干扰，提高了品质。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种eMCP模块的制作方法，包括：

对DRAM芯片进行WLCSP封装；

将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。

其中，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，包括对所述基板的正面设置凹槽，将所述DRAM芯片的芯片球设置在所述基板的凹槽中。

其中，所述DRAM芯片的封装球的直径为0.20mm，间距为0.20mm，高度为0.20mm。

其中，所述基板为四层板，所述凹槽位于第一层板、第二层板以及所述第一层板和所述第二层板之间的PP层。

其中，所述凹槽的横截面的长度为6.4mm-6.5mm，宽度为4.8mm-5.0mm，所述凹槽的高度为0.19mm-0.20mm。

其中，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，还包括对所述基板的第三层的上表面制作与所述DRAM芯片的封装球的焊盘形状匹配的焊盘，且对所述基板的第三层的焊盘进行电软金涂覆。

其中，还包括使用点胶机将所述DRAM芯片的芯片球与所述基板的凹槽之间的缝隙用底填剂填充之后烘烤固化。

其中，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。

除此之外，本发明实施例还提供了一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。

其中，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。

本发明实施例所提供的eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，与现有技术相比，具有以下优点：

本发明实施例提供的一种eMCP模块的制作方法，包括：

对DRAM芯片进行WLCSP封装；

将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。

除此之外，本发明实施例提供的一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。

所述eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，通过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，使得DRAM芯片引出的网络在第三层，而FLASH芯片的网络在第一层，这样两个芯片的信 号线实现了远离，减少干扰，提高了eMCP模块的品质。

综上所述，本发明实施例提供的eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，提高了eMCP模块的品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；

图2为本发明实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；

图3为本发明实施例所提供的eMCP模块结构的一种具体实施方式的结构示意图；

图4为本发明实施例所提供的eMCP模块结构的另一种具体实施方式的结构示意图。

具体实施方式