[发明专利]一种eMCP模块结构及制作方法在审
| 申请号： | 201610343363.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403735A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 胡双 | 申请（专利权）人： | 无锡天芯互联科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 214062 江苏省无锡市新区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emcp 模块 结构 制作方法 | ||
1.一种eMCP模块的制作方法，其特征在于，包括：
对DRAM芯片进行WLCSP封装；
将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。
2.如权利要求1所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，包括对所述基板的正面设置凹槽，将所述DRAM芯片的芯片球设置在所述基板的凹槽中。
3.如权利要求2所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述DRAM芯片的封装球的直径为0.20mm，间距为0.20mm，高度为0.20mm。
4.如权利要求3所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述基板为四层板，所述凹槽位于第一层板、第二层板以及所述第一层板和所述第二层板之间的PP层。
5.如权利要求4所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述凹槽的横截面的长度为6.4mm-6.5mm，宽度为4.8mm-5.0mm，所述凹槽的高度为0.19mm-0.20mm。
6.如权利要求5所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，还包括对所述基板的第三层的上表面制作与所述DRAM芯片的封装球的焊盘形状匹配的焊盘，且对所述基板的第三层的焊盘进行电软金涂覆。
7.如权利要求6所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，还包括使用点胶机将所述DRAM芯片的芯片球与所述基板的凹槽之间的缝隙用底填剂填充之后烘烤固化。
8.如权利要求7所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。
9.一种eMCP模块结构，其特征在于，包括完成WLCSP封装的 DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。
10.如权利要求9所述的eMCP模块结构，其特征在于，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
