[实用新型]一种高压PMOS器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件，更具体地说，本实用新型涉及电子电路中的PMOS(P型金属氧化物半导体)器件。

背景技术

BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺通常采用重掺杂漏区和轻掺杂漏区相结合的方式来形成双扩散漏区以制作高压PMOS器件。相比于普通器件中只需采用一张掩膜即可形成漏区，高压PMOS器件需采用两张掩膜来形成双扩散漏区。为了节省掩膜，低压器件制作过程中用以形成P阱的掩膜可用于形成高压PMOS器件中的轻掺杂漏区。但是，相比于高压PMOS器件中的轻掺杂漏区，低压器件中的P阱的浓度显得太高，将严重影响高压PMOS器件的击穿电压，导致其值较低，影响高压PMOS器件的性能。

实用新型内容

考虑到现有技术的一个或多个技术问题，提出了一种高压PMOS器件，利用低压器件中采用的掩膜制作轻掺杂漏区和N阱，节省了掩膜，降低了成本，并且同时具有较高的击穿电压和较低的导通电阻。

根据本技术的实施例，提出了一种高压PMOS器件，包括：P型衬底；位于P型衬底上的N型埋层；位于N型埋层上的外延层；位于外延层上的场氧；位于外延层内的低压P阱；位于外延层内的N阱；位于低压P阱和场氧上的厚栅氧；位于N阱、低压P阱和外延层上的薄栅氧；位于薄栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅；位于N阱内的N型重掺杂区，用作体接触区；位于低压P阱内的第一P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区与场氧毗邻；以及位于N阱内的第二P型重掺杂区，所述第二P型重掺杂区与多晶硅栅毗邻，并且与N型重掺杂区电连接；其中，所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm～1μm。

在一个实施例中，所述厚栅氧的厚度区间为到

在一个实施例中，在所述多晶硅栅下方，厚栅氧的边缘与场氧的边缘间矩为0.3μm～0.5μm。

在一个实施例中，所述低压P阱的侧壁与厚栅氧的边缘间矩为0.1μm～0.2μm。

在一个实施例中，所述N阱采用应用于低压器件中的低压N阱制作而成。

在一个实施例中，所述场氧采用浅槽隔离工艺制作而成。

在一个实施例中，所述场氧采用硅局部氧化工艺制作而成。

在一个实施例中，所述多晶硅栅延伸至场氧上部。

附图说明

为了更好的理解本实用新型，将根据以下附图对本实用新型进行详细描述：

图1示出了根据本实用新型一实施例的高压PMOS器件100的纵向剖面示意图；

图2示出了根据本实用新型一实施例的高压PMOS器件200的纵向剖面示意图；

图3A～3I以剖面图的形式示意性地示出了根据本实用新型一实施例形成高压PMOS器件100的工艺流程；

图4A～4I以剖面图的形式示意性地示出了根据本实用新型一实施例形成高压PMOS器件200的工艺流程。

具体实施方式

下面将详细描述本实用新型的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本实用新型。在以下描述中，为了提供对本实用新型的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本实用新型。在其他实例中，为了避免混淆本实用新型，未具体描述公知的电路、材料或方法。

在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本实用新型至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。应当理解，当称元件“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以是直接连接或耦接到另一元件或者可以存在中间元件。相反，当称元件“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在中间元件。相同的附图标记指示相同的元件。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。