[实用新型]一种高压PMOS器件有效
| 申请号： | 201420802695.0 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN204289464U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 吉扬永;连延杰 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 pmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压PMOS器件，包括：
P型衬底；
位于P型衬底上的N型埋层；
位于N型埋层上的外延层；
位于外延层上的场氧；
位于外延层内的低压P阱；
位于外延层内的N阱；
位于低压P阱和场氧上的厚栅氧；
位于N阱、低压P阱和外延层上的薄栅氧；
位于薄栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅；
位于N阱内的N型重掺杂区，用作体接触区；
位于低压P阱内的第一P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区与场氧毗邻；以及
位于N阱内的第二P型重掺杂区，所述第二P型重掺杂区与多晶硅栅毗邻，并且与N型重掺杂区电连接；
其中，所述N阱和所述低压P阱的间矩为0.5μm～1μm。
2.如权利要求1所述的高压PMOS器件，其中所述厚栅氧的厚度区间为到
3.如权利要求1所述的高压PMOS器件，在所述多晶硅栅下方，厚栅氧的边缘与场氧的边缘间矩为0.3μm～0.5μm。
4.如权利要求1所述的PMOS器件，所述低压P阱的侧壁与厚栅氧的边缘间矩为0.1μm～0.2μm。
5.如权利要求1所述的高压PMOS器件，所述N阱采用应用于低压器件中的低压N阱制作而成。
6.如权利要求1所述的高压PMOS器件，所述场氧采用浅槽隔离工艺制作而成。
7.如权利要求1所述的高压PMOS器件，所述场氧采用硅局部氧化工艺制作而成。
8.如权利要求7所述的高压PMOS器件，所述多晶硅栅延伸至场氧上部。
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