[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一封装基材；

一晶片；以及

多个焊球，设于该封装基材及该晶片之间，以将该晶片接合至该封装基材上，其中所述焊球包含一第一尺寸及不同于该第一尺寸的第二尺寸，其中所述具有该第一尺寸的焊球及所述具有该第二尺寸的焊球的尺寸大小与该晶片的翘曲程度及方向具有一关联，且该晶片的翘曲程度及方向由量测该晶片的表面的电路分布得出。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第二尺寸的焊球相对于具有该第一尺寸的焊球设置于靠近该晶片的角落的位置。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该关联为与晶片的翘曲程度及方向呈正向或反向关联。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球的第一高度与具有该第二尺寸的焊球的第二高度相同，且所述具有该第一尺寸的剖面宽度大于所述具有该第二尺寸的焊球的剖面宽度。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球的第一高度与具有该第二尺寸的焊球的第二高度相同，且所述具有该第一尺寸的剖面宽度小于所述具有该第二尺寸的焊球的剖面宽度。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球之间的间距不同于具有该第二尺寸的焊球之间的间距。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球之间的间距不同于所述具有该第一尺寸的焊球与具有该第二尺寸的焊球的间距。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球及具有该第二尺寸的焊球均电性连接该晶片至该封装基材。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有该第一尺寸的焊球均电性连接该晶片至该封装基材，且具有该第二尺寸的焊球为虚置焊球。

10.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

于一晶圆上形成多个晶片；

量测该晶圆上的所述晶片的电路分布；

装设多个焊球于该晶圆上的所述晶片上，其中所述焊球包含一第一尺寸及一第二尺寸，且具有该第一尺寸的焊球及具有该第二尺寸的焊球依照量测结果分布；

接合该晶圆至一封装基材上；以及

切割该晶圆，形成多个晶片封装体。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述具有该第二尺寸的焊球相对于所述具有该第一尺寸的焊球设置于靠近所述晶片的角落的位置。

12.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述具有该第一尺寸的焊球及所述具有该第二尺寸的焊球的尺寸大小与晶片的翘曲程度及方向具有正向或反向关联。

13.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含在形成所述多个封装体后，对所述焊球进行一回焊制程。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在经该回焊制程后，所述具有该第一尺寸的焊球相较于未回焊之前变得宽矮，且所述具有该第二尺寸的焊球相较于未回焊之前变得高窄。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，在经该回焊制程后，所述具有该第一尺寸的焊球相较于未回焊之前变得高窄，且所述具有该第二尺寸的焊球相较于未回焊之前变得宽矮。

16.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述具有第一尺寸的焊球之间的间距不同于所述具有该第二尺寸的焊球之间的间距，其中所述具有第一尺寸的焊球之间的间距不同于所述具有第一尺寸的焊球与所述具有该第二尺寸的焊球的间距。

17.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述具有该第一尺寸的焊球均电性连接该晶片至该封装基材，且所述具有该第二尺寸的焊球为虚置焊球。