[实用新型]一种半导体双面封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装技术，具体涉及一种半导体双面封装结构，尤其是指一种半导体芯片与晶振同时封装的结构。

背景技术

根据不同的电路功能要求，有时需要半导体芯片与晶振10通过半导体塑封工艺一并封装起来，在引线框11的小岛12上，半导体芯片置于小岛12正面，晶振10置于小岛12背面，如图1所示。现有技术中，半导体芯片通过银胶固定于引线框小岛上，并由若干根金线引出与引线框上相应的引脚联接，晶振的固定则仅靠晶体2个外引脚与引线框粘接，可以是通过点焊或焊料再回流的工艺方式完成。

然而，在回流焊固化过程中，引线框11在导轨上传送，易出现焊点脱落和晶振10元器件偏移中心线，或是在产品塑封成型过程中，塑封料流动也易发生晶振10偏移，如图2所示。由于粘接强度不足，导致焊点脱落和晶振元器件位置偏移，从而造成了产品瑕疵或不良，影响良品率，增加了生产成本。

实用新型内容

本实用新型目的是提供一种半导体双面封装结构，通过结构的改良，可提高产品的可靠性，减少不良品率。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体双面封装结构，包括引线框、置于引线框一侧的半导体芯片，以及置于引线框上相对于半导体芯片另一侧的晶振元件，所述引线框包括小岛和设置于小岛周围的内引脚，所述晶振元件与所述小岛之间设有焊料层，所述晶振元件经该焊料层与所述小岛粘接固定。

在其中一个实施例中，所述焊料层的面积占所述晶振元件与所述小岛接触面积的二分之一至全部（1/2～1）。

进一步地，所述晶振元件的形状为圆柱形或长方体形。

在其中一个实施例中，所述焊料层设置于所述小岛中部，该焊料层占所述小岛面积的二分之一至五分之四（1/2～4/5）。

在其中一个实施例中，所述晶振元件的外引脚与所述引线框经焊料连接。

在其中一个实施例中，所述半导体芯片经银胶固定于所述小岛的正面，所述晶振元件与所述小岛接触的主体区经焊料层固定于小岛的背面，晶振元件的外引脚经焊料连接。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型中晶振元件在与小岛之间增加焊料层进行固定，与以往仅以外引脚焊接的固定方式相比，提高了晶振元件与引线框之间的粘接强度，有效减少甚至避免晶振元件的偏移和外引脚焊点脱落的不良问题，产品稳定性得到提升，且消除了因焊接强度低而引起可靠性失效的风险。

附图说明

图1是本实用新型背景技术中焊接点示意图；

图2是本实用新型背景技术中晶振元件偏移状态的示意图；

图3是本实用新型实施例一中引线框小岛背面粘接区域俯视示意图；

图4是本实用新型实施例一的使用状态剖面示意图。

其中：10、晶振；11、引线框；12、小岛；20、引线框；21、半导体芯片；22、晶振元件；23、小岛；24、内引脚；25、金线；26、焊料；27、焊料层；28、外引脚。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例一：参见图3、4所示，一种半导体双面封装结构，包括引线框20、置于引线框20一侧的半导体芯片21，以及置于引线框20上相对于半导体芯片21另一侧的晶振元件22。

如图3所示，所述引线框20包括小岛23和设置于小岛23周围的内引脚24，在本实施例中，所述晶振元件22为圆柱形，但是，本领域技术人员悉知，晶振元件22也可以为其它形状，例如，长方体形。

如图4所示，所述半导体芯片21经银胶固定于所述小岛23的正面，半导体芯片21通过金线25与两旁的引线框20内引脚24连接，根据半导体芯片21的不同功能要求设置内引脚24数，通常为八个、十六个、二十四个等，金线25与内引脚24通过锡膏焊料26连接。所述晶振元件22与半导体芯片21在不同面上，位于所述小岛23的背面，半导体芯片21与接触的部分为主体区，在主体区处刷焊料层27，以此将晶振元件22主体区与小岛23的背面固定，而晶振元件22的外引脚28经焊料26与引线框20的内引脚24连接。

如图3所示，所述焊料层27设置于所述小岛23中部，略宽于晶振元件22，占所述小岛23面积约二分之三。该焊料层27的面积的大小，与实际晶振元件22的主体区大小、小岛23本身面积大小以及晶振元件22两个外引脚28尺寸等参数有关，需要综合考虑，以达到最佳的固定效果。在本实施例中，焊料层27的面积为1.6毫米×1.6毫米。