[发明专利]晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片TSV封装结构，包括若干个芯片单元（1），相邻两个芯片单元之间形成切割道（12）；每个所述芯片单元包括硅基材层（2）和设于该硅基材层（2）下方的晶圆氧化层（3），位于所述芯片单元四周的晶圆氧化层（3）中设有若干个金属芯片引脚即PIN脚（4），其特征在于：在每个芯片单元的硅基材层（2）上对应其每个PIN脚（4）位置处分别开设一贯通该硅基材层的孔状开口（5）使所述PIN脚部分外露。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片TSV封装结构，其特征在于：所述孔状开口底部的直径小于所述PIN脚的最小边长。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片TSV封装结构，其特征在于：所述孔状开口（5）为沿其底部到其开口的直径逐渐变小的斜孔和沿其底部到其开口的直径均相等的直孔中的一种。

4.根据权利要求3所述的晶圆级芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述芯片单元还包括顺序设置于其晶圆氧化层下方的粘合剂层（6）和玻璃层（7）。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片的TSV封装结构，其特征在于：在每个所述芯片单元的粘合剂层与玻璃层之间设有支撑围堰层（8），相邻两个芯片单元的支撑围堰层之间形成围堰间隙（9），该围堰间隙与该两个芯片单元上的孔状开口之间的硅基材层相对应。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述的晶圆级芯片的TSV封装结构的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

①准备包含若干个芯片单元的晶圆，相邻两个芯片单元之间形成切割道，每个芯片单元包括顺序设置的硅基材层和晶圆氧化层，以及间隔排布在每个芯片单元四周的晶圆氧化层内的若干个金属芯片引脚即PIN脚（4）；

②在所述硅基材层上覆盖光刻胶（10），并用光刻的方式形成光刻图形，该光刻图形为与所述PIN脚位置相对的小孔（11）。

③采用干法去硅技术在所述步骤②的小孔（11）处蚀刻出孔状开口（5）。

7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于：在所述步骤①中的芯片单元里还包括顺序设置于所述晶圆氧化层下方的粘合剂层（6）和玻璃层（7）。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于：所述粘合剂层与玻璃层之间设有支撑围堰层（8），相邻两个芯片单元的支撑围堰层之间形成围堰间隙（9），该围堰间隙与该两个芯片单元上的孔状开口之间的硅基材层相对。