[实用新型]一种栅极结构、TFT器件及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种栅极结构、薄膜晶体管(TFT)器件及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因其体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒形成的，在阵列玻璃基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和数据线，在各像素区域中配置像素电极和TFT器件。应用时，将驱动信号施加到栅极线上来驱动像素电极，并将数据信号通过数据线输出到像素电极。在彩膜玻璃基板上配置黑底，使得光不能透过除像素电极以外的区域，在各像素区域配置滤色层，在此基础上再配置公共电极。在阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板之间充入液晶，通过上述加载驱动信号和数据信号的像素电极的电压控制液晶的偏转，从而调整光线的强弱，配合彩膜玻璃基板的功能，显示出图像。

TFT-LCD的像素结构包括形成于玻璃基板上的TFT器件，如图1所示，所述TFT器件包括与栅极引线为一体的栅极(Gate)4、形成于栅极上的半导体有源层(图中未示出)、形成于有源层上的源漏电极(S/D)(源极1、漏极2)、形成于源漏电极之间的导电沟道3，其中，漏极2连接像素电极，通过施加驱动电压到栅极，产生场效应现象，吸引半导体有源层的自由载流子到导电沟道3处，使得导电沟道3处的载流子达到一定浓度，在源极1施加信号电压时，源漏电极之间可以导通形成源漏电流。

现有的栅极(Gate)图案其结构如图2所示，全部区域均为实心结构，该栅极结构中除导电沟道3处衬垫(PAD)区域发挥实际的正效应外，其它区域的存在反而会导致后续成膜漏极时，Gate 4与漏极2之间的交叠电容C_GD过大，助长了V-Block不良的发生率。如图1所示，常规情况下，通过将漏极2上与栅极4重合的部分设计得比较细小，以此来避免电容C_GD过大，而这样却会使得漏极2电阻稍大，不仅降低了像素电压，而且增加了信号传输的延迟时间。

现有的栅极(Gate)图案结构应用于OLED等其他显示装置时，也会出现上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种一种栅极结构、TFT器件及显示装置，能够在减小TFT的漏极与栅极间交叠电容C_GD的同时，降低V-Block不良(MURA)的发生率和减小漏极电阻。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种栅极结构，所述栅极结构包括漏极基底区域，所述漏极基底区域具有中空结构。

在上述方案中，所述漏极基底区域的中空结构内设置有虚拟(Dummy)图案，所述Dummy图案与所述栅极结构上的其它部分之间存在空隙。

在上述方案中，所述Dummy图案为至少一个。

在上述方案中，所述Dummy图案为两个以上，各所述Dummy图案之间的间隔相同。

在上述方案中，各所述Dummy图案形状相同且间隔相同的空隙。

本发明还提供了一种TFT器件，所述TFT器件包括栅极、源极和漏极，所述栅极的结构为上述的任一种方案中的栅极结构。

本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的TFT器件。

本实用新型的栅极结构中，漏极基底区域具有中空结构，可以减小栅极与漏极之间重叠面积，从而减小TFT器件上漏极与栅极间的交叠电容C_GD，进而降低V-Block MURA的发生率，提高了显示装置的良率。此外，漏极基底区域的中空结构内设置有虚拟(Dummy)图案，为漏极的构筑提供了较为富余的基底，更有利于载流子的注入，减小了漏极电阻，提高了开态电流I_ON；并且，还利于后续薄膜的晶格排布，预防断层发生，有效降低工艺的难度，为镀膜工艺中提供了有利条件，保证薄膜的质量及TFT器件的性能。

附图说明

图1为现有TFT的结构示意图；

图2为现有TFT中的栅极结构示意图；

图3为本实用新型提供的栅极结构示意图。

附图标记说明

1、源极；2、漏极；3、导电沟道；4、栅极；5、源极基底区域；6、沟道基底区域；7、漏极基底区域；8、Dummy图案。

具体实施方式