[发明专利]堆迭式半导体封装件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种堆迭式半导体封装件，且特别是有关于一种可提升散热效率的堆迭式半导体封装件。

背景技术

传统堆迭式半导体封装件(Package on Package，PoP)将多个彼此堆迭的半导体封装件设置于电路板上，一般而言，由于最底部的半导体封装件直接设于电路板上，故其热量可通过电路板传导出去，然而，底部半导体封装件以上的半导体封装件与电路板的距离就较远，散热较差，导致堆迭式半导体封装件的整体散热效率不佳。

发明内容

本发明有关于一种，堆迭式半导体封装件，其可提升堆迭式半导体封装件整体的散热效率。

根据本发明，提出一种堆迭式半导体封装件。堆迭式半导体封装件包括一第一半导体封装件、一第二半导体封装件、一第一横向散热件、一第二横向散热件及一直立散热件。第一半导体封装件具有一外侧面及一上表面。第二半导体封装件堆迭于第一半导体封装件的上表面上，且具有一上表面及一外侧面。第一横向散热件设于第一半导体封装件的上表面与第二半导体封装件之间。第二横向散热件设于第二半导体封装件的上表面上。直立散热件连接于第一横向散热件且沿着第一半导体封装件的外侧面及第二半导体封装件的外侧面延伸。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。

图1B绘示图1A的第一横向散热件、第二横向散热件及直立散热件的俯视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明另一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。

图5绘示依照本发明另一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。

主要元件符号说明：

10：电路扳

11：散热元件

20：散热系统

100、200、300、400、500：堆迭式半导体封装件

110：第一半导体封装件

110s、120s：外侧面

111、121：基板

111b：下表面

110u、111u、120u：上表面

112、122：芯片

113、123：封装体

115：第二电性接点

120：第二半导体封装件

124：电性接点

130：直立散热件

131：第一子散热件

132：第二子散热件

140：第一横向散热件

141：贯孔

150：第二横向散热件

160：第一热介面材料

170：第二热介面材料

W1：长度

W2：间距

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的堆迭式半导体封装件的剖视图。堆迭式半导体封装件100设于且电性连接于电路板10，且包括第一半导体封装件110、第二半导体封装件120、至少一电性接点124、直立散热件130、第一横向散热件140及第二横向散热件150。

第一半导体封装件110具有外侧面110s及上表面110u且包括基板111、芯片112、封装体113及至少一第二电性接点115。芯片112设于且电性连接于基板111的上表面111u。封装体113包覆芯片112。第二电性接点115设于基板111的下表面111b。第一半导体封装件110通过第二电性接点115设于且电性连接于电路板10。

第二半导体封装件120堆迭于第一半导体封装件110上。第二半导体封装件120具有上表面120u及外侧面120s，且包括基板121、芯片122及封装体123。芯片122设于且电性连接于基板121的上表面，而封装体123包覆芯片122。

电性接点124呈葫芦状的焊球，其为第一半导体封装件110的电性接点与第二半导体封装件120的电性接点在回焊工艺(reflow)后融合而成。电性接点124可由热传导性佳的材料制成，如铜或其合金，使第一半导体封装件110及/或第二半导体封装件120的热量可通过电性接点124对流或传导至第一横向散热件140及/或直立散热件130。