[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，包括步骤：

a)提供半导体衬底；

b)在所述衬底上依次形成栅极介电层、多晶硅层和第一硬掩膜层；

c)图案化栅极区域的所述第一硬掩膜层，并暴露栅极区域的所述多晶硅层；

d)对所述栅极区域的多晶硅层执行一次或多次功函数调整离子注入；

e)在所述栅极区域的多晶硅层上形成第二硬掩膜层；

f)依次去除所述第一硬掩膜层、栅极区域以外的所述多晶硅层和所述第二硬掩膜层，形成具有横向可变的功函数的栅极；

g)执行形成源极和漏极的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述功函数调整离子的注入剂量为10E10-10E20离子/cm2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使用第III族或第V族元素离子作为所述功函数调整离子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤d)为：以所述图案化了的第一硬掩膜层为掩膜执行所述功函数调整离子注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤d)为：在所述栅极区域的多晶硅层上和所述第一硬掩膜层的内侧侧壁的一侧上形成间隙壁；以所述第一硬掩膜层和所述一侧的间隙壁为掩膜执行所述功函数调整离子注入。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤d)为：在所述栅极区域的多晶硅层上和所述第一硬掩膜层的内侧侧壁的两侧上形成间隙壁；以所述第一硬掩膜层和所述两侧的间隙壁为掩膜执行所述功函数调整离子注入。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述步骤f)还包括在去除所述栅极区域以外的多晶硅层后去除所述间隙壁的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中步骤b)中所述形成的第一硬掩膜层具有大于100埃的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤g)之前形成LDD的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件是MOSFET。

11.根据权利5所述的方法，其中所述栅极具有横向可变且不对称的功函数。

12.根据权利要求5或6所述的方法，其中还包括在所述间隙壁上多次重复形成间隙壁以及进行功函数调整离子注入的步骤。