[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在具有绝缘表面的衬底上的栅电极；

在所述栅电极上的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上的第二绝缘膜；以及

在所述氧化物半导体层上的导电膜，

其中，所述氧化物半导体层与所述第二绝缘膜彼此接触的第一区域与所述栅电极的至少一部分重叠，并且

其中，所述氧化物半导体层与所述导电膜彼此接触的第二区域中的所述氧化物半导体层的厚度比所述第一区域中的所述氧化物半导体层的厚度小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电膜的一部分形成在所述第二绝缘膜上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层至少包含In、Ga及Zn。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜是氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镁膜、氮化铝膜和氧化钇膜中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜是氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镁膜、氮化铝膜和氧化钇膜中的一种。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜包含卤素元素，该卤素元素的浓度为1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二绝缘膜包含卤素元素，该卤素元素的浓度为1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电膜是包含钛膜和铝膜的叠层膜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述栅电极与所述第一绝缘膜之间的氮化硅膜或氮氧化硅膜。

10.一种半导体装置，包括：

在衬底上的栅电极；

在所述栅电极上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包含氮化硅；

在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包含氧化硅；

在所述栅电极上的包含铟的氧化物半导体层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层被插入在所述氧化物半导体层与所述栅电极之间；

在所述氧化物半导体层上的源电极和漏电极；

在所述源电极和所述漏电极上的第三绝缘层，所述第三绝缘层包含氧化硅；

在所述第三绝缘层上的第四绝缘层，所述第四绝缘层包含氮化硅；

在所述第四绝缘层上的第五绝缘层，所述第五绝缘层包含有机材料；以及

在所述第五绝缘层上的像素电极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层接触。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层至少包含铟、镓和锌。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层包含卤素元素，该卤素元素的浓度为1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述衬底是玻璃衬底。

15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第五绝缘层包含丙烯酸。

16.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括连接到所述衬底的FPC。