[发明专利]半导体装置及使用了该半导体装置的装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及使用了该半导体装置的装置。

背景技术

在肖特基势垒二极管(以下，称为SBD)中，当在肖特基结部流过浪涌电流时，其特性容易变化，因而期望在肖特基结部不流过浪涌电流。在此，作为以往的利用了SBD的半导体元件，例如存在专利文献1及专利文献2所记载的半导体元件。

在专利文献1及专利文献2中，关于SBD，存在对肖特基结和pn结进行组合而提高了浪涌电压容量的结构。

更具体而言，在专利文献1中，在n⁺层上配置有n^-层，在该n^-层中的护圈下配置有n型区域。在n^-层上配置有金属膜，从而在它们之间形成肖特基结。在该文献中记载了浪涌电流不流过肖特基结，而流入护圈部的情况。

另外，在专利文献2中，在n⁺层上配置有n^-层，在该n^-层中配置有p层。在该n^-层上配置有金属膜，从而在它们之间形成肖特基结。另外，在n^-层内的深的p层之间配置有p层，该p层设置在主电极与n^-层的边界。

专利文献1：日本特开平9-9522号公报

专利文献2：日本特开平3-250670号公报

但是，根据专利文献1所记载的结构，浪涌电流集中于护圈部。由于护圈部散热性低，因此由于浪涌电流施加于护圈部而导致元件的温度上升等，从而可靠性可能降低。

另外，在专利文献2的结构中，在整流区域内均匀地配置有pn结Z2，但由于击穿电压都相等，因此仅将电场不稳定的部位击穿。因此在护圈部流过浪涌电流，可靠性仍然可能降低。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够提高可靠性的半导体装置及使用了该半导体装置的装置。

为了解决上述的课题，本发明涉及的半导体装置具备肖特基结和pn结，其特征在于，所述pn结设置在整流区域和护圈部，所述整流区域的pn结部的击穿电压比所述肖特基结及所述护圈部的pn结低。

发明效果

根据本发明，能够提高可靠性。

附图说明

图1是实施例1涉及的半导体装置的剖视图。

图2(a)～(h)是表示实施例1涉及的半导体装置的制造工序的图。

图3是表示对实施例1涉及的半导体装置施加浪涌电压时的载流子的流动的图。

图4是表示pn结和SBD的I-V特性的图。

图5是具有低浓度P型扩散层的情况和不具有低浓度P型扩散层的情况的能带结构(肖特基结)的图。

图6是实施例2涉及的半导体装置的剖视图。

图7是将各实施例涉及的半导体装置适用于交流发电机的图，是关于实施例3的图。

图8是表示实施例4涉及的电路状态的单线接线图。

符号说明：

1  高浓度N型基板

2  低浓度N型外延层

4  N型扩散层

5  高浓度P型扩散层

6  低浓度P型扩散层

7  金属电极

8  背面电极层

9  硅侧面

31、32、33绝缘膜(硅氧化膜)

41  沟道截断环(channel stopper)

42～47  二极管

48  转子绕组

49  定子绕组

50  调节器

51  负载

52  蓄电池

120  半导体芯片

121、122  焊料(接合材料)

130  支承电极体

131  底座

132  槽

133  基体

134  外周侧壁

135  引线电极

136  外周侧壁

137  树脂

138  散热板

具体实施方式

以下，说明在实施本发明上优选的实施例。需要说明的是，下述例子只不过是实施例，不言而喻没有对实施方式进行限定。

[实施例1]