[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种整合有源元件、多个半导体元件及被动元件元单一衬底的半导体结构。

背景技术

在半导体装置中，举例来说，会同时需要金属氧化半导体与其他半导体元件。一般来说，会将金属氧化半导体与其他半导体元件以分开的工艺，分别形成在不同的衬底上，再于封装过程中，利用打线将不同衬底上的金属氧化半导体与其他半导体元件作电性连接。

当一金属氧化半导体与一半导体元件整合在一起时，需要保留一段打线接合的空间。若一金属氧化半导体与多个半导体元件整合时，则需要保留更多打线接合的空间。因此，不但不利于整体装置微型化，且使得半导体装置的工艺复杂，并提高生产成本高。而且，金属氧化半导体与其他半导体元件之间电性连接的失误率会比较高，且效果不佳。

发明内容

本发明是有关于一种半导体结构，通过简化的工艺，将第一半导体元件、第二半导体元件、有源元件及被动元件整合于单一衬底上。相较于一般技术，实施例的半导体结构的制造方法简单且成本低，制造完成的半导体结构体积小，有利于微型化。此外，半导体元件有源元件及被动元件之间可具有良好的电性连接。

根据本发明的第一方面，提出一种半导体结构，包括一衬底、一有源元件、一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件。衬底具有一第一区及与第一区相连的一第二区。有源元件具有一掺杂区，掺杂区位于第一区。第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件被设于第二区上，其中，第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件均被电性连接于有源元件。

根据本发明的第二方面，提出一种半导体结构的制造方法。方法包括以下步骤：提供一单一衬底，单一衬底包括一第一区及与第一区相连的一第二区；形成一有源元件于第一区；形成一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件于第二区上；电性连接第一半导体元件与有源元件、第二半导体元件与有源元件及被动元件与有源元件。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体结构的有源元件、第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件的上视图。

图2至图22绘示依照本发明一实施例的半导体结构的制造流程剖面图。

图23A至图23B绘示依照本发明一实施例的的掺杂浓度与对应的片阻值的示意图。

【主要元件符号说明】

1：半导体结构

10：衬底

101：场氧化层

102：牺牲氧化层

103、103’、105：介电材料层

104、106、108、110、112、118、120、122：介电层

107、109、109b：电极材料

107a、107b、107c、107d、109a、109b、109c：电极

109d：本体部

114、126：内联机

116’、128：导线

150：掺杂区

151、153：阱

20：第一半导体元件

30：第二半导体元件

40：被动元件

50：有源元件

A1：第一区

A2：第二区

K：开口

M1～M11：光刻胶

P1、P2：表面

具体实施方式

图1是绘示依照本发明一实施例的一半导体结构1的上视图，如图1所示，半导体结构1包括一衬底10、一第一半导体元件20、一第二半导体元件30、一被动元件40及一有源元件50。于此仅绘示出第一半导体元件20、第二半导体元件30、被动元件40及有源元件50的结构，省略元间之间的连接导线。于此实施例中，第一半导体元件20、第二半导体元件30、被动元件40及有源元件50被设置于单一衬底10上。