[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一衬底，具有一第一区及与该第一区相连的一第二区；

一有源元件，具有一掺杂区，该掺杂区位于该第一区；

一第一半导体元件及一第二半导体元件，设于该第二区上；以及

一被动元件，设于该第二区上，其中，该第一半导体元件、该第二半导体元件及该被动元件均被电性连接于该有源元件。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体元件包括一第一热电偶，该第二半导体元件是一热敏电阻。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该有源元件是一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)，该第一热电偶具有一第一电极及一第二电极，该热敏电阻具有一本体部，该被动元件具有一第三电极及一第四电极，该互补式金属氧化物半导体具有一第五电极，一第二介电层设置于该第一电极、该第二电极、该本体部、该第四电极及该第五电极之间，该第一电极、该第二电极、该本体部、该第三电极、该第四电极及该第五电极是一掺杂的多晶硅薄膜、掺杂的复晶硅锗薄膜或一掺杂的单晶硅薄膜。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中该第一电极、该第三电极、该第四电极及该第五电极是一第一导电型，且该第二电极及该本体部是一第二导电型。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第一介电层，设置于该第一半导体元件、该第二半导体元件与该衬底之间，其中该衬底的该第二区具有一第一面及相对于该第一面的一第二面，该第一半导体元件、该第二半导体元件及该被动元件被设置于该第一面上，且该第二面具有一开口，该开口是对应于该第一半导体元件的位置而设置。

6.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一单一衬底，该单一衬底包括一第一区及与该第一区相连的一第二区；

形成一有源元件于该第一区；

形成一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件于该第二区上；以及

电性连接该第一半导体元件与该有源元件、该第二半导体元件与该有源元件及该被动元件与该有源元件。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其中该第二区具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，该第二表面具有一开口对应至该第一半导体元件的位置，该第一半导体元件的形成方法包括：

形成一第一介电层于该第一表面上；

形成一第一电极于该第一介电层上；

形成一第二电极于该第一介电层上，该第二电极与该第一电极相邻而设；

形成一第二介电层于该第一电极及该第二电极之间；

形成一第一导电层于该第一电极及该第二电极上，以电性连接该第一电极及该第二电极。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中该第二半导体元件的形成方法包括：

形成该第一介电层于该第一表面上；

形成一本体部于该第一介电层上；

形成该第二介电层于该本体部的周围；以及

形成一对第二导电层于该本体部上。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中形成该被动元件的方法包括：

形成一第三电极于该第二区上；

形成一第三介电层于该第三电极上；以及

形成一第四电极于该第三介电层上。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其中该有源元件为一互补式金属氧化物半导体，该互补式金属氧化物半导体具有一第五电极，该第一电极、该第三电极、该第四电极及该第五电极是一第一导电型，且该第一电极、该第三电极及该第五电极是同时形成，该第二电极及该本体部是一第二导电型，且该第二电极及该本体部是同时形成，该第一介电层包括一第一介电材料层及一第二介电材料层，该互补式金属氧化物半导体具有一第四介电层设置于该单一衬底及该第五电极之间，该第四介电层是与该第一介电材料层同时形成。