[发明专利]一种SiGe HBT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT器件，其特征是，包括：P型衬底上部形成有集电区，集电区两侧形成有N型膺埋层和场氧，场氧位于集电区和N型膺埋层上方，场氧上部形成有多晶硅场板，基区形成于集电区和场氧上方，基区上方形成有相邻的发射区和隔离氧化物，部分发射区位于隔离氧化物的上方，隔离侧墙分别形成于多晶硅场板、基区、发射区和隔离氧化物的旁侧，多晶硅场板、基区和发射区通过接触孔引出连接金属连线，N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线并且与多晶硅场板的金属连线相连，接触孔和深接触孔中形成有过渡金属层，填充有金属钨。

2.如权利要求1所述的SiGe HBT器件，其特征是：所述N型膺埋层具有磷杂质。

3.如权利要求1所述的SiGe HBT器件，其特征是：所述集电区具有具有磷杂质。

4.如权利要求1所述的SiGe HBT器件，其特征是：所述发射区具有砷或磷杂质。

5.如权利要求1所述的SiGe HBT器件，其特征是：所述金属过渡层具有钛或锡。

6.如权利要求1-5任意一项所述的SiGe HBT器件，其特征是：所述多晶硅场板覆盖区域包含N型赝埋层与集电区的交界处。

7.一种SiGe HBT器件的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上淀积氧化层和氮化硅，以氮化硅作为硬掩膜层制作浅沟槽区域，再次淀积氧化层，刻蚀氧化层形成氧化物侧墙后在浅沟槽区域底部注入形成N型膺埋层；

(2)在浅沟槽区域填充氧化物，经刻蚀、研磨形成场氧，注入形成集电区；

(3)生长锗硅外延层，刻蚀形成基区；

(4)淀积氧化物介质层，打开发射区窗口和场板区窗口；

(5)淀积在位N型多晶硅，注入N型杂质，经光刻、刻蚀后形成发射区、多晶硅场板和隔离氧化物；

(6)淀积氧化硅，干刻形成发射区侧墙、基区侧墙和多晶硅场板侧墙；

(7)将多晶硅场板、基区和发射区通过接触孔引出连接金属连线，N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线并且与多晶硅场板的金属连线相连，在接触孔和深接触孔中生长过渡金属层，填充金属钨。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入磷杂质，剂量为1e¹⁴cm^-2～1e¹⁶cm^-2，能量为2KeV～50KeV。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，注入磷杂质，剂量为2e¹²cm^-2～5e¹⁴cm^-2，能量为30KeV～350KeV。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征是：实施步骤(5)时，注入磷或砷杂质，剂量大于2e¹⁵cm^-2。

11.如权利要求7所述的制造方法，其特征是：实施步骤(7)时，采用钛或锡生长金属过渡层。