[发明专利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置无效
| 申请号： | 201110366976.7 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102468185A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 宇圆田大介;松村健;井上刚一;盛田美希 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/552;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 制造 方法 以及 具有 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片接合薄膜，其特征在于，具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层。
2.一种芯片接合薄膜，其特征在于，具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。
3.一种切割/芯片接合薄膜，其中，在切割薄膜上层叠有权利要求1或2所述的芯片接合薄膜，其特征在于，
所述切割薄膜具有在基材上层叠有粘合剂层的结构，
所述芯片接合薄膜层叠在所述切割薄膜的粘合剂层上。
4.一种芯片接合薄膜的制造方法，用于制造权利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
形成胶粘剂层的步骤，和
在所述胶粘剂层上粘贴由金属箔构成的电磁波屏蔽层的步骤。
5.一种芯片接合薄膜的制造方法，用于制造权利要求2所述的芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下步骤：
形成胶粘剂层的步骤，和
在所述胶粘剂层上通过蒸镀形成电磁波屏蔽层的步骤。
6.一种半导体装置，其中，具有权利要求1或2所述的芯片接合薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
