[发明专利]一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅的欧姆电极结构，包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。

2.如权利要求1所述的欧姆电极结构，其中所述碳化硅基底是碳化硅体单晶或碳化硅外延层。

3.如权利要求2所述的欧姆电极结构，其中所述碳化硅单晶的晶型为4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC或15R-SiC。

4.如权利要求1所述的欧姆电极结构，其中所述碳化硅基底的导电类型包括n型、p型或半绝缘。

5.如权利要求1所述的欧姆电极结构，其中所述碳化硅基底的电阻率在10^-2到10⁶Ω·cm。

6.如权利要求1所述的欧姆电极结构，其中所述石墨烯层为单层或多层。

7.如权利要求1所述的欧姆电极结构，其中所述金属层为由一种金属构成的单一金属层，或由两种或两种以上金属构成的复合金属层。

8.如权利要求7所述的欧姆电极结构，其中所述金属为Ti、Ni、Al、Au、Pt、Ta、W或Cr。

9.如权利要求7所述的欧姆电极结构，其中，所述复合金属层为双层金属层。

10.一种碳化硅欧姆电极结构的制备方法，包括以下步骤：

1)选取碳化硅单晶基底或形成碳化硅外延层；

2)在所述碳化硅单晶基底或碳化硅外延层上形成石墨烯层；以及

3)在所述石墨烯层上形成金属层。

11.如权利要求10所述的制备方法，其中所述步骤2)中通过直接热分解碳化硅单晶基底或碳化硅外延层形成石墨烯层。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中所述步骤2)中通过将已制备好的石墨烯直接转移到碳化硅单晶基底或碳化硅外延层上形成石墨烯层。

13.如权利要求10所述的制备方法，其中所述石墨烯层为单层或多层。

14.如权利要求10所述的制备方法，其中所述金属层为由一种金属构成的单一金属层，厚度为50nm到300nm。

15.如权利要求10所述的制备方法，其中金属层为由两种金属构成的复合金属层，第一层厚度为10nm-50nm，第二层厚度为40nm到300nm。