[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110359964.1 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107090A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅极、第一金属栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第一金属栅极的层间介电层；
b）去除所述第一伪栅极以形成第一填充开口；
c）执行N2H2气体处理工艺；以及
d）在所述第一填充开口内形成第二金属栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤中的所述N2H2气体处理工艺中反应腔室的压力为500-2000mTorr。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤中的所述N2H2气体处理工艺中N2H2气体的流速为1000-5000sccm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤中的所述N2H2气体处理工艺中的反应功率为2000-5000W。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述b）步骤中去除所述第一伪栅极的方法为干法刻蚀。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述N2H2气体处理工艺是在所述干法刻蚀的腔室内进行的原位N2H2气体处理工艺。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述c）步骤之后还包括清洗步骤，其中，清洗剂包括N-甲基吡咯烷酮。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述a）步骤包括：
在所述半导体衬底上形成有第一伪栅极、第二伪栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；
去除所述第二伪栅极，以形成第二填充开口；
在所述层间介电层和所述第一伪栅极上以及所述第二填充开口依次形成第一功函数层和第一金属层；以及
去除所述第二填充开口外的所述第一功函数层和所述第一金属层，以形成第一金属栅极。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述d）步骤包括：
在所述层间介电层和所述第一金属栅极上以及所述第一填充开口内依次形成第二功函数层和第二金属层；以及
去除所述第一填充开口外的所述第二功函数层和所述第二金属层，以形成第二金属栅极。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属栅极为N型金属栅极和P型金属栅极中的一个，且所述第二金属栅极为N型金属栅极和P型金属栅极中的另一个。
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