[发明专利]一种半导体器件加工设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体处理设备技术领域，尤其涉及一种半导体器件加工设备。

背景技术

现有技术中，半导体器件的加工制造过程中，需要在半导体晶片(wafer)上生成导电薄膜层、绝缘薄膜层等各种薄膜层(thin-film)以及各种沟槽、开口等，生成薄膜层和沟槽等的步骤对半导体器件加工而言是至关重要的环节。

一般情况下，薄膜层的生成可以通过PVD(物理气相淀积，又称溅射)、热氧化及CVD(化学气相淀积)等手段实现，沟槽、开口等可以通过刻蚀的方式实现。现有技术中的CVD、热氧化及刻蚀设备的共同点是，均需将待加工的晶片放置在基座上，之后在设备的腔体中进行相应的反应过程，在晶片的加工过程中，为了加快反应速度、提高加工效率等，往往对反应环境的温度会有一定的要求。在控制设备腔体温度的方法中，比较常用的一种方式就是给基座加热，之后由基座将热量传递给位于基座上方的晶片，从而控制反应速度等。

现有技术为基座加热的方式如图1所示，将半导体晶片13置于基座(susceptor)11上方，基座(susceptor)11一般使用陶瓷原料制作而成，基座11的下方设置有加热灯(lamp)12。具体的，基座11的上表面设置有安装槽14，安装槽14的形状与晶片13相配合，而加热灯12则均匀的设置于基座11的下表面。在生产过程中，由加热灯12产生的热量传递给基座11，之后由基座11再将热量传递给晶片13，从而实现对反应过程中温度的控制。

但是，在实际生产过程中发现，在同一批生产的器件中，某些器件的电性和良率与周边其它器件的电性和良率相差较大。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种覆晶封装方法，通过改变涂胶路径，解决了现有技术的问题，节省了封胶的时间，提高了封胶效率，并且在一定程度上避免了封胶区域的气泡、包覆不良和剥离强度不足等现象。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种半导体器件加工设备，包括：

基座；

密封地内嵌于所述基座的加热装置，所述加热装置为直接产热体。

优选地，所述加热装置具体为连接有外接电源的若干电阻丝，所述电阻丝均匀的排布在所述基座内。

优选地，还包括与所述电阻丝相连的接地电源线。

优选地，还包括测温装置，所述测温装置包括显示终端以及检测终端。

优选地，所述检测终端具体为热电偶，所述热电偶密封地内嵌于所述基座。

优选地，所述热电偶为多个。

优选地，所述基座上表面设置有硅片安装槽。

优选地，所述半导体器件加工设备为化学气相淀积设备、刻蚀设备或热氧化设备中的至少一种。

优选地，所述半导体器件加工设备为型号为P5000的化学气相淀积设备。

相对于上述背景技术中的技术方案，本发明实施例具有以下优点：

本发明实施例所提供的技术方案，加热装置内嵌于基座，加热装置加热后，其产生的热量能够快速的传递到整个基座中，然后通过基座将热量传递给放置在基座上的半导体晶片中，从而实现对半导体晶片的加热。由于加热装置为直接产热体且内嵌于基座，一方面使得加热装置不易受外界环境影响而损坏，延长了加热装置的使用寿命，另一方面加热装置与基座的接触面积增大了，使得加热装置产生的热量能够快速、直接的全部传递至基座，从而基座可以快速均匀的对半导体晶片进行加热，从而保证了半导体晶片的加工质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的半导体器件加工设备中基座与加热灯之间安装结构的示意图；

图2为本发明实施例提供的半导体器件加工设备中基座与加热装置之间安装结构的示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，采用现有技术中的加热设备生产出的器件中，同一批次的器件往往出现电性和良率不平均，且某些器件的电性和良率与周边其它器件的电性和良率相差较大的情况。