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[发明专利]一种SOT封装类芯片缺陷检测方法及系统-CN202310339215.5有效
发明人：黄耀祖;仇亮 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2023-04-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种SOT封装类芯片缺陷检测方法及系统，其中，所述方法包括：获取待检测SOT封装类芯片的外形特征；基于外形特征判断待检测SOT封装类芯片是否满足预设外形要求；响应于待检测SOT封装类芯片满足预设外形特征要求，对待检测SOT封装类芯片进行超声波检测，获取超声波信号；基于超声波信号判断待检测SOT封装类芯片是否满足预设内部特征要求；响应于待检测SOT封装类芯片满足预设内部特征要求，对待检测SOT封装类芯片进行电气测试，获取电气测试结果；基于电气测试结果判断待检测SOT封装类芯片是否满足电气测试要求，具有提高SOT封装类芯片缺陷检测的精度及效率的优点。
一种 sot 封装芯片缺陷检测方法系统

[发明专利]一种SOT23引线框架及其封装工艺流程-CN201610017709.1有效
发明人：梁大钟;刘兴波;宋波;石艳 -专利权人：气派科技股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明揭露了一种SOT23引线框架结构及其封装工艺流程，所述SOT23引线框架结构包括框架与多个以X排*Y列的方式排布在框架上的安装单元，每隔N列安装单元即设置有一列流道，N不小于2，每一安装单元均包括外引脚
一种 sot23 引线框架及其封装工艺流程

[实用新型]一种SOT23专用3D5S光学检测模组-CN201620994294.9有效
发明人：张伟峰 -专利权人：东莞市北井光控科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种SOT23专用3D5S光学检测模组，所述SOT23专用3D5S光学检测模组包括底座、主架、光源机构、防尘罩和3D视觉防尘风扇，所述主架水平设置在所述底座上，所述光源机构垂直设置在所述主架上
一种 sot23 专用 d5s 光学检测模组

[实用新型]一种倒立型贴片SOT-23三极管-CN201920362916.X有效
发明人：戴耀军 -专利权人：科广电子（东莞）有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒立型贴片SOT‑23三极管，包括绝缘基座、绝缘封装体，所述绝缘基座与所述绝缘封装体之间依次设有发射极导电板、集电极导电板、基极导电板，所述集电极导电板上焊接有第一晶片，所述第一晶片与所述集电极导电板之间连接有第一键合引线本实用新型的倒立型贴片SOT‑23三极管，散热性能、防水性能、导电稳定性优异、寿命长。
导电板集电极晶片绝缘封装体发射极三极管倒立贴片本实用新型键合引线绝缘基座延伸部引脚焊接导电稳定性防水性能弧型凸起散热性能上下两端焊接部倾斜部翘起

[发明专利]一种SOT芯片的热点定位方法及其制样方法-CN202310627897.X在审
发明人：尚跃;俞嘉祺;陈秋义 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT芯片的热点定位方法及其制样方法，所述制样方法包括如下步骤：（1）在所述SOT芯片的四周设置保护层，得到设有保护层的SOT芯片；（2）采用抛光将所述设有保护层的SOT芯片中晶背面对应位置的保护层、基岛铜片和银浆依次去除，暴露出晶粒的晶背面，得到抛光后的SOT芯片；（3）去除所述抛光后的SOT芯片的保护层；（4）将去除保护层后的所述SOT芯片固定在印制电路板上；根据原有管脚的设置对所述SOT芯片的键合线头进行打线引出连接铜框架，得到待热点定位的SOT芯片样品。本发明所述制样方法针对SOT芯片的制样成品率高。
一种 sot 芯片热点定位方法及其

[发明专利]磁性存储器及其制造方法-CN201911033480.0有效
发明人：应继锋;王仲盛;林灿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
磁性存储器及其制造方法

[发明专利]一种SOT-MRAM存储单元及其制备方法、SOT-MRAM-CN202111629723.4在审
发明人：刘恩隆;何世坤 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法、SOT‑MRAM，该SOT‑MRAM存储单元通过在SOT轨道层与磁性隧道结的自由层之间增加绝缘层，且在绝缘层内穿设有能够传输自旋流的插塞，插塞连接在自由层和SOT轨道层之间，将SOT轨道层产生的自旋流传输给自由层。在SOT‑MRAM器件的制备时，通过增加的绝缘层和插塞，能够给磁性隧道结刻蚀提供工艺窗口，能够大幅提高刻蚀工艺的窗口。在过度刻蚀以清除反溅射再沉积的金属材料时，既能够消除SOT轨道层或磁性隧道结短路现象，又能够完全消除SOT轨道层被刻蚀损伤或被穿透的现象，提高器件良率。增加的绝缘层还能够加大磁性隧道结中的自由层与SOT轨道层之间的距离，减小自由层受到来自SOT轨道层通电时的热扩散影响，降低自由层温度。
一种 sot mram 存储单元及其制备方法

[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法-CN202210168985.3在审
发明人：迟克群;孟皓;刘波;石以诺;张文彪;李州;冯向;张龙龙 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：SOT电极层，用于产生自旋轨道矩效应；插入层，覆盖于SOT电极层表面；磁性隧道结，位于插入层上；其中插入层用于在形成磁性隧道结的刻蚀过程中，保护SOT电极层不受损伤。
sot mram 存储单元及其制备方法

[发明专利]磁性存储器装置及形成方法-CN202080013786.4在审
发明人：薛林;朴赞道;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT‑MRAM。SOT‑MRAM包括具有磁性储存层的存储器单元，该磁性储存层与SOT层并排设置并接触SOT层。并排的磁性储存层和SOT层可通过使流过SOT层的电流的方向反转来实现磁性储存层的切换，而无需任何附加条件。
磁性存储器装置形成方法

[发明专利]一种SOT-MRAM器件及其形成方法-CN202210085736.8在审
发明人：张丛;刘宏喜;陈文静;王嘉毅;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOT‑MRAM器件的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上沉积SOT层；图形化磁隧道结图案到SOT层上方的光刻胶；对光刻胶表面进行固化处理，在SOT层上沉积MTJ堆叠层；采用剥离工艺去除SOT层上的光刻胶；在SOT层和MTJ堆叠层上沉积介质层，对介质层进行图形化处理，刻蚀介质层，将所需图案转移到介质层；在图形化处理后的介质层上沉积电极层，对电极层进行图形化处理，刻蚀后形成SOT‑MRAM本发明通过图形化光刻胶后沉积膜堆的方式，避免了对SOT层蚀刻而引起的器件开路，优化MTJ隧道结的侧壁形貌，消除了刻蚀引起的侧壁损伤及缺陷，提高了SOT‑MRAM器件的稳定性。
一种 sot mram 器件及其形成方法

[发明专利]SOT23-X引线框架及其封装方法-CN201811317871.0有效
发明人：陈逸晞;袁凤江;邱焕枢;王光明;杨全忠;颜志扬 -专利权人：佛山市蓝箭电子股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOT23‑X(X＝3,5或6)引线框架及其封装方法，包括框架体和框架单元，横向相连的两排框架单元之间设置一条横向连筋，第n列和第(n+1)列框架单元之间设置一条纵向的塑封料注塑流道，第本发明实现了SOT23‑X三种封装形式的塑封模具以及成型/分离模具的兼容，并提高了框架单元的面积密度高。
sot23 引线框架及其封装方法

[实用新型]一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构-CN202122602523.1有效
发明人：陈侠;陈明;蒙嘉源;黄祥;田沁丰 -专利权人：深圳电通纬创微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构，涉及芯片技术领域。该一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构，包括MOSFET芯片以及基岛，所述MOSFET芯片安装在基岛的中心位置，基岛上侧设置有Pin5脚位，基岛下侧设置有Pin2脚位，基岛上右侧设置有
一种高效可靠性 sot23 封装 mosfet 引线框架结构

[发明专利]垂直磁随机存取存储器的多层自旋轨道矩电极-CN201910456880.6在审
发明人： T.戈萨维;S.马尼帕特鲁尼;林家庆;K.奥古斯;C.维根;A.史密斯;佐藤德之;K.奥布里恩;B.布福德;I.杨;M.D.T.拉曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本文中的实施例涉及用于制造自旋轨道矩（SOT）电极的系统、设备和/或过程，SOT电极包含：具有与磁性隧道结（MTJ）的自由层耦合的第一面的第一层；以及与第一层的与第一面相对的第二面耦合的第二层，其中第一SOT层中的电阻的值低于第二SOT层中的电阻的值，并且其中施加到SOT电极的电流将使得电流优先在第一SOT层中流动，以使得自由层的磁极化改变方向。在SOT电极的制造期间，第二层可充当蚀刻停止处。
电极第一层自由层耦合的电阻蚀刻磁性隧道结改变方向磁极化第二面自旋制造施加轨道流动

[发明专利]存储器器件-CN202010877393.X在审
发明人：宋明远;林世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种存储器器件，所述存储器器件包括排列在衬底之上的自旋轨道力矩(SOT)层。磁性隧道结(MTJ)结构可排列在SOT层之上。第一导电配线排列在SOT层下方且耦合到SOT层。第二导电配线排列在SOT层下方且耦合到SOT层。第三导电配线排列在MTJ结构之上。存储器器件还包括排列在第一导电配线与SOT层之间的第一选择器结构。
存储器器件

[外观设计]面料（E23）-CN201830462699.2有效
发明人：张根法 -专利权人：江苏意瑞达纺织科技有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： 05-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：面料（E23）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于制造纺织类产品。3．本外观设计产品的设计要点：图案与色彩的结合。
外观设计省略面料平面设计四方连续图案制造图片