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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、集成电路以及半导体装置的制造方法-CN201710468207.5有效
发明人： 王仲盛;黄鼎盛;施教仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底、位于所述衬底上的第一晶体管及位于所述衬底上的第二晶体管。所述第一晶体管具有第一阈值电压，且所述第一晶体管的沟道区及源极/漏极区为N型。所述第二晶体管具有第二阈值电压，所述第二晶体管的沟道区为N型且所述第二晶体管的源极/漏极区为P型，并且所述第一阈值电压的绝对值实质上等于所述第二阈值电压的绝对值。
半导体装置集成电路以及制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的方法和电路-CN201910759607.0有效
发明人：应继锋;王仲盛;侯敦晖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
制造半导体器件方法写入 mram 单元电路

[发明专利]磁性存储器及其制造方法-CN201911033480.0有效
发明人：应继锋;王仲盛;林灿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
磁性存储器及其制造方法

[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法-CN201910635581.9有效
发明人：应继锋;王仲盛;牛宝华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
制造 mram 单元阵列方法写入

[发明专利]存储器器件和半导体管芯以及制造存储器器件的方法-CN202010743312.7在审
发明人：应继锋;王仲盛;林灿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种存储器器件，包括位线、辅助线、选择器和存储器单元。字线与位线相交。辅助线设置在字线和位线之间。选择器插入在位线和辅助线之间。存储器单元插入在字线和辅助线之间。本申请的实施例还涉及半导体管芯以及制造存储器器件的方法。
存储器器件半导体管芯以及制造方法

[发明专利]鳍式FET技术的集成热电器件-CN201610010247.0有效
发明人： 王仲盛;施教仁;徐晓萱 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：可以在具有热电器件的半导体器件中实施Fin FET技术的集成热电器件的操作。热电器件包括衬底和设置在衬底上的鳍结构。热电器件包括设置在鳍结构的相对端部上的第一连接层和第二连接层。热电器件包括热耦合至鳍结构的相对端部的第一导热结构和第二导热结构。鳍结构可以配置为基于流经鳍结构的电流的方向，将热量从第一导热结构和第二导热结构中的一个导热结构转移至另一导热结构。在这点上，可以通过电耦合至热电器件的电源电路来调节电流的流动。本发明还提供了鳍式FET技术的集成热电器件。
鳍式 fet 技术集成热电器件

[发明专利]非易失性存储装置-CN201810479503.X在审
发明人：应继锋;牛宝华;王仲盛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在本公开内容中，一种非易失性存储装置包括电阻式存储单元以及写入及读取电路。所述写入及读取电路耦合到所述电阻式存储单元，且被配置成对扰动交流信号与第一写入信号进行组合，以产生第二写入信号。接着，所述写入及读取电路将所述第二写入信号施加到所述电阻式存储单元来对所述电阻式存储单元进行编程。振荡信号与第一写入信号(恒定直流信号)及交流信号的组合将穿透绝缘层的屏蔽效应并使受困电荷逃脱。
电阻式存储单元写入信号读取电路非易失性存储装置写入交流信号绝缘层恒定直流屏蔽效应振荡信号电荷扰动耦合到成对编程穿透施加配置

[发明专利]半导体组件-CN201610956886.6在审
发明人： 王仲盛;张骏伟;施教仁;刘胜峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体组件包括具有衬底主要表面的衬底、位于衬底主要表面上且具有与衬底主要表面相隔一距离的第二主要表面的介电材料、以及自衬底主要表面延伸穿过介电材料的多个鳍，其中多个鳍包括第一鳍子集以及第二鳍子集，与第二鳍子集相比，第一鳍子集位于较靠近多个鳍的中心，且第一鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生热量少于第二鳍子集的每一鳍在操作半导体组件期间所产生的热量。
半导体组件

[发明专利]集成电路及其操作方法-CN201611051605.9在审
发明人：施教仁;王仲盛;陈世欣;李仁豪;黄鼎盛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种集成电路及其操作方法。所述IC包括受测装置及第一加热器。所述第一加热器定位于所述装置的第一侧处且提供热量来控制所述装置的温度。所述第一加热器包括半导体装置，其具有第一掺杂区域及具有与所述第一掺杂区域的导电类型相反的导电类型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域介接。
集成电路及其操作方法

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