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[发明专利]防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法-CN200510090563.5有效
发明人：沈建元;许献文;朱季龄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-08-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法，包括：一超循环氮化物只读存储器(NROM)元件耦合至一NROM阵列，使得当NROM阵列中的NROM元件被抹除时，该超循环NROM元件的两个位也被抹除，随后程序化该超循环NROM元件的右侧位，以便从超循环NROM元件未程序化的左侧位获得该超循环NROM元件的临界电压差，接着根据超循环NROM元件的临界电压差得到一循环次数，再根据NROM阵列的循环次数得到一临界电压偏移量，最后根据NROM阵列的临界电压偏移量计算得出一抹除电压，如果该NROM阵列再被程序化，可对NROM阵列中未程序化的NROM元件施加该抹除电压以进一步减少临界电压。
防止存储器阵列读取缩小系统方法

[发明专利]增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法-CN200610075472.9有效
发明人：林清淳;陈耕晖;郭乃萍;陈汉松;洪俊雄;谢文义 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种增加一氮化物只读存储器(Nitride Read－Only Memory，NROM)阵列的抹除均匀性的方法。NROM内存阵列具有数个NROM存储单元、耦接在这些NROM存储单元的左侧的数个偶序金属位线以及耦接在这些NROM存储单元的右侧的数个奇序金属位线。此方法包括：首先，抹除这些NROM存储单元的左侧。接着，施加正电压至耦接在这些NROM存储单元的左侧的这些偶序金属位线。然后，将耦接各NROM存储单元的右侧的这些奇序金属位线放电至共同节点。
增加氮化物只读存储器阵列均匀结构方法

[发明专利]垂直EEPROM NROM存储器件-CN200580011541.3无效
发明人： L·弗尔伯斯 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：描述了便于在NOR或NAND高密度存储结构中使用垂直NROM存储单元和选择门电路的NROM EEPROM存储器件和阵列。本发明的存储器实施例利用垂直选择栅和NROM存储单元来构成NOR和NAND NROM结构存储单元串、段以及阵列。这些NROM存储单元架构允许具有可利用形体尺寸半导体制造工艺的集成选择栅的经改进高密度存储器件或阵列通常能承受、并且不会遭受典型的多位NROM单元中的电荷分离问题。该存储单元架构通过将NROM存储单元置于将存储单元与其相关联的位/数据线和/或源线隔离的选择栅的后面，以允许减轻干扰及过度擦除问题。
垂直 eeprom nrom 存储器件

[发明专利]氮化物只读存储器及其制造方法-CN01123714.7有效
发明人：宋建龙 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-27 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种氮化物只读存储器(NitrideReadOnlyMemory；NROM)的制造方法。本发明的方法在制造NROM单元时，先形成一层或多层的隔离层覆盖氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide－Nitride－Oxide；ONO)结构与栅极，再形成氮化硅(SiNx)间隙壁(Spacer)，来保护NROM由于氮化硅间隙壁若直接与栅极接触，会导致NROM组件的阈值电压(ThresholdVoltage)升高，因此本发明利用一层或多层由氧化硅(SiOy)所构成的隔离层，隔离NROM组件及氮化硅间隙壁。不仅可保护NROM组件，且可避免使用氮化硅间隙壁所造成的副作用及组件之间产生泄漏电流(LeakageCurrent)。
氮化物只读存储器及其制造方法

[发明专利]防止氮化物内存晶胞被充电的制造方法及其装置-CN01123721.X有效
发明人：宋建龙;刘振钦;周立业 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-26 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种防止氮化物只读存储器(NitrideReadOnlyMemory；NROM)晶胞被充电的制造方法。本发明的方法在NROM单元的内层介质(Inter－LevelDielectrics；ILD)/内金属介质(Inter－MetalDielectrics；IMD)中形成保护层，此保护层可防止制造过程中的紫外线(Ultra－VioletLight)或等离子体穿透而进入NROM单元内，并可防止离子迁移率的增加，而导致制造过程的电荷量提高，影响NROM单元的电性稳定度。另外，尚可降低NROM单元的阈值电压(ThresholdVoltage)，而扩大阈值电压的范围。
防止氮化物内存晶胞充电制造方法及其装置

[发明专利]NROM器件及其制作方法-CN200810112512.1无效
发明人：鲍震雷;宋立军 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种NROM器件及其制作方法。所述NROM器件的制作方法包括：提供具有氧化硅-氮化硅-氧化硅三层结构的半导体衬底；在所述三层结构表面形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层，以划分存储单元区域和外围电路区域；去除所述外围电路区域的三层结构所述NROM器件及其制作方法能避免预清洗影响NROM器件性能，降低了预清洗工艺的控制难度，减小了NROM器件的尺寸。
nrom 器件及其制作方法

[发明专利]只读存储器及只读存储单元阵列及其编程与擦除方法-CN200510114582.7有效
发明人：李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-10-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种虚拟接地NROM EEPROM阵列中NROM存储单元的选择数据区域的擦除方法。此方法会擦除选择的数据区域而不会干扰未选择的数据区域的程式状态。
只读存储器只读存储单元阵列及其编程擦除方法

[发明专利]一种垂直型NROM存储结构及其制备方法-CN201010573812.7有效
发明人：霍宗亮;刘明;刘璟;张满红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型NROM存储结构及其制备方法。该垂直型NROM存储结构包括：硅衬底；位于硅衬底表面的浅槽隔离区；位于硅衬底表面，被浅槽隔离区包围的漏极；位于漏极上方的竖直沟道；位于竖直沟道上端，被隔离介质包围的漏极区域；形成于竖直沟道表面的存储功能层堆栈结构本发明提供的垂直型NROM存储结构可以在一个存储单元中实现4-bit以上数据存储，由于引入了隔离介质来抑制相邻存储位之间的串扰，所以相比于平面结构的NROM器件，该结构可以满足进一步的变比要求。
一种垂直 nrom 存储结构及其制备方法

[发明专利]一种双位NROM存储器及提高其电子注入效率的方法和结构-CN201210333706.0有效
发明人：田志;顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高双位存储NROM电子注入效率的方法，其中，包括以下步骤：制备具有两个凸面的衬底；在衬底上依次形成带有凸面结构的隧穿介质层、存储电荷层、阻挡氧化层；在阻挡氧化层上制备多晶硅；在衬底上进行刻蚀工艺本发明还包括一种提高NROM存储器电子注入效率的结构，该结构包括上述方法制成的结构；本发明还包括一种双位存储NROM存储器，其包括上述的提高NROM存储器电子注入效率的结构。
一种 nrom 存储器提高电子注入效率方法结构

[发明专利]多阶NROM的存储单元及其操作方法-CN01134625.6有效
发明人：黄俊仁;周铭宏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-11-07 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种多阶(Multi－Level)NROM的存储单元及其操作方法，其可形成一氮化物层，此氮化物层可以陷入数个电荷以形成数个电荷陷入区域，这些电荷陷入区域可以储存这些电荷以做为存储用的位，多阶NROM的存储单元包括一第一位，在第二位储存这些电荷以形成一电位障，此电位障影响所读到的第一位的一临限电压位阶的大小，通过改变电位障的大小来设定临限电压位阶的大小，只须以固定的偏压，单边读取第一位的临限电压位阶的大小，便可定义多阶NROM
多阶 nrom 存储单元及其操作方法

[发明专利]NROM器件-CN200580014671.2有效
发明人： L·福伯斯 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2005-05-04 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：配置来存储至少每四F²两比特的NROM闪存元件阵列。分裂垂直沟道沿相邻柱的各个侧产生。单个控制栅极在柱上面且在柱之间的沟槽中形成。
nrom 器件

[发明专利]垂直NROM-CN03817995.4无效
发明人： L·福布斯 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：适用于垂直存储器单元的结构和方法。该垂直存储器单元包括从基片(300)向外延伸的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) (301)。该MOSFET具有第一源极/漏极区域(302)、第二源极/漏极区域(306)、在第一和第二源极/漏极区域之间的沟道区域(305)以及通过栅极绝缘体(307)与沟道区域(305)相隔开的栅极(309)。第一传输线与第一源极/漏极区域(302)相耦合。第二传输线与第二源极/漏极区域(306)相耦合。该MOSFET适用于编程以具有在栅极绝缘体(307)的第一存储区域(240)和第二存储区域(350)的至少一个区域中俘获的电荷，并且以第一源极/漏极区域(302)或者第二源极/漏极区域(306)中作为源极区域进行工作。
垂直 nrom

[发明专利]NROM的制造方法及其器件-CN200910051851.8有效
发明人：张宏;韩永召 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明公开一种NROM的制造方法及其器件，其步骤包括：在半导体衬底的工作表面下形成源极和漏极；在源极和漏极之间的半导体衬底上刻蚀出沟槽，并对所述半导体衬底的沟槽部位注入硅离子，使沟槽表面的半导体衬底非晶化本发明的NROM器件在工作时，对于等比例尺寸缩小的NROM器件，相对地延长了有效沟道长度，克服沟道长度缩短产生的各种问题，如器件的阈值电压下降、较高漏电流、两个位之间形成的干扰。
nrom 制造方法及其器件

[发明专利]基于共振隧穿器件的非易失性存储器和SRAM-CN200580036544.2有效
发明人：袁丁 -专利权人：隆智半导体公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：再者，本发明教导了使用共振隧穿势垒的NROM和NAND器件。
基于共振器件非易失性存储器 sram

[发明专利]不连续的氮化物只读存储器存储单元的结构-CN02141183.2有效
发明人：张国华;赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-07-09 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：不连续的氮化物只读存储器(NROM)的存储单元，至少包括：衬底；第一ONO叠层栅极和第二ONO叠层栅极，形成在衬底上，其中ONO叠层栅极是由一氮化物层夹在两氧化物层之间所组成；氧化层，形成在衬底上以覆盖第一本发明的不连续的NROM存储单元的结构可以解决电子被诱捕进入氮化物层的难题，并且可准确地控制源极/漏极和ONO层的相关位置。
连续氮化物只读存储器存储单元结构

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