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[外观设计]文胸（GD200229高提拉）-CN202230706038.6有效
发明人：周楚海 -专利权人：汕头市爱尔美制衣有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：文胸（GD200229高提拉）。2.本外观设计产品的用途：用于供女性日常穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
文胸 gd200229 高提拉

[发明专利]一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R-T-B稀土永磁体及其制备方法-CN202211261584.9在审
发明人：付松;陈彪;王荣杰;朱啸航;章兆能;杨晓露 -专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种高温环境用具有富Gd核的核壳结构R‑T‑B稀土永磁体，所述磁体中，稀土元素R含量为29.0wt.％～34.0wt.％，R由Gd和R1组成，Gd元素含量为磁体质量的1.0wt.％～20.0wt.％；主相晶粒中包含体积比20vol.％～80vol.％的富Gd核、贫Gd壳层的主相晶粒。本发明采用双合金的方法分别熔炼高Gd含量和低Gd含量的合金片，然后制得烧结磁体，其中在高温扩散处理时高Gd含量主相中的Gd元素会向晶界富R相中扩散，最终高Gd含量主相晶粒会形成具有贫Gd壳层和富Gd核心的反壳层结构，贫Gd的壳层，可以显著降低Gd元素对磁体矫顽力的劣化作用，从而充分利用Gd的特点，制备得到具有低温度系数，同时具有较高矫顽力的磁体。
一种高温环境用具 gd 结构稀土永磁体及其制备方法

[发明专利]含猪伪狂犬病病毒gD蛋白基因的重组杆状病毒转移载体、重组杆状病毒及制备方法和应用-CN201910354213.7有效
发明人：钱平;李祥敏;李江龙;陈焕春 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C12N15/866 文献下载
摘要：本发明提供了含有猪伪狂犬病病毒gD蛋白基因的重组杆状病毒转移载体、重组杆状病毒及其制备方法和应用，属于兽用疫苗技术领域。含有猪伪狂犬病病毒gD蛋白基因的重组杆状病毒转移载体，以HBM信号肽‑gD‑His标签或HBM信号肽‑gD‑IgGFc‑His标签为外源基因分别插入杆状病毒转移载体的BamHI与EcoRI之间的酶切位点处和SpeI和HindIII之间酶切位点处；所述gD为编码跨膜区片段缺失的gD蛋白的基因。所述载体促进猪伪狂犬病病毒gD蛋白和gD‑IgGFc融合蛋白的分泌表达。采用gD蛋白和gD‑IgGFc融合蛋白制备亚单位疫苗，具有安全性好、特异性强、攻毒保护率高的特点。
含猪伪狂犬病病毒 gd 蛋白基因重组杆状病毒转移载体制备方法应用

[发明专利]一种Portal认证处理方法、认证协助方法及装置-CN201310486080.1有效
发明人：刘娟;高平利;高勇 -专利权人：杭州华三通信技术有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明提供一种Portal认证协助，认证处理方法以及对应的装置，应用于网关设备GD和Portal设备上，该GD位于Portal客户端与Portal认证设备PD之间，其中GD与PD之间通过私网相连，其中该方法包括以下步骤：对于未通过认证的客户端，GD为客户端申请私网IP地址；客户端访问网络时，PD触发客户端认证，并在认证通过时通知GD；GD将客户端标记为认证通过；对于通过认证的客户端，GD为其申请公网IP地址；在认证过程或后续访问公网过程中，客户端发送的报文均由GD通过预先建立的私网隧道发送至PD。本发明在GD与PD之间建立私网隧道允许PD灵活部署。一个PD可以服务多个GD，灵活性高且成本低廉。
一种 portal 认证处理方法协助装置

[发明专利]一种GD2嵌合抗原受体及其应用-CN202210197703.2在审
发明人：刘昱辰 -专利权人：北京美康基免生物科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C07K16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种GD2嵌合抗原受体及其应用，所述人源化的GD2的scFv抗体具有结合GD2抗原的活性；所述人源化的GD2的scFv抗体的氨基酸序列与SEQ ID NO.1具有80％以上的同一性。本发明还提供了GD2嵌合抗原受体以及表达所述GD2嵌合抗原受体的嵌合抗原受体T细胞。本发明所述的人源化的GD2的scFv抗体具有更好的生物活性以及相容性；所述的GD2嵌合抗原受体与GD2结合后有更好的反应效果，免疫反应更强，且具有更好的长效性；所述的嵌合抗原受体T细胞具有更高的安全性与持久性
一种 gd2 嵌合抗原受体及其应用

[发明专利]一种猴B病毒通用型TaqMan-MGB探针实时荧光定量PCR方法-CN202110323991.7有效
发明人：马玉媛;贾俊婷;章金刚;马丽敏;孙珍珠;王蕊;王强 -专利权人：中国人民解放军军事科学院军事医学研究院
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C12Q1/70 文献下载
摘要：本发明提供了实时荧光定量PCR的成套引物和探针，由如下gD‑5F引物、gD‑5R引物和gD‑5P探针组成；所述gD‑5F引物为序列表中序列1所示的单链DNA分子或其衍生物；所述gD‑5R引物为序列表中序列2所示的单链DNA分子或其衍生物；所述gD‑5P探针为序列表中序列3所示的单链DNA分子或其衍生物。本发明设计能同时检测猴B病毒5种基因型的实时荧光定量PCR检测引物gD‑5F、gD‑5R与探针gD‑5P，利用其对猴B病毒或其gD蛋白进行检测，检测下限为101
一种病毒通用型 taqman mgb 探针实时荧光定量 pcr 方法

[发明专利]一种高塑可溶Mg-Gd基镁合金及其制备方法-CN202010465863.1有效
发明人：朱艳春;马亮;李子良;王晓华 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C22C23/06 文献下载
摘要：本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种高塑可溶Mg‑Gd基镁合金及其制备方法，一种高塑可溶Mg‑Gd基镁合金，由以下质量百分含量组成：Gd为1.0~3.0%，Ni为0.05‑0.5%，Cu≤0.02%一种高塑可溶Mg‑Gd基镁合金的制备方法，包括下列步骤：预热坩埚；装炉；熔化；精炼；静置；铸造；均质化；挤压；性能测试。本发明提供了Mg‑Gd基镁合金的组分配比以及其制备方法，使得Mg‑Gd基镁合金溶解速率可达到93℃，3%Kcl，速率10‑50mg/cm2.h，使得Mg‑Gd基镁合金可溶性大大提高，并且提高了Mg‑Gd基镁合金的可塑性。本发明用于Mg‑Gd基镁合金的制备。
一种可溶 mg gd 镁合金及其制备方法

[发明专利]一种钆稳定的无定形碳酸钙纳米复合材料及制备方法-CN201210372149.3有效
发明人：俞书宏;隋聪;陆杨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： A61K47/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过用元素钆(Gd)来稳定无定形碳酸钙(ACC)获得的ACC-Gd多功能纳米材料及其制备方法和应用，以及一种通过在前述ACC-Gd纳米材料中引入合适聚合物或生物大分子而获得的ACC-Gd本发明通过用Gd来稳定无定形碳酸钙ACC获得了新型的多功能纳米材料，而且，由于Gd处于无定形碳酸钙的晶格中，大大降低了Gd本身的毒性，同时作为磁性元素的Gd具有很好的造影效果，所以本发明的多功能纳米材料可用于
一种稳定无定形碳酸钙纳米复合材料制备方法

[发明专利]含As耐蚀Mg-Gd-Y系合金及其制备方法-CN201910204610.6在审
发明人：吴国华;张哲;张亮;刘文才;骆康;丁文江 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C22C23/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种含As耐蚀Mg‑Gd‑Y系合金及其制备方法，所述含As耐蚀Mg‑Gd‑Y系合金的组分及其重量百分比为：5.0～11.0wt％Gd，2.0～5.0wt％Y，0.01～3.0wt％As，杂质元素熔炼时分别以Mg‑Gd、Mg‑Y中间合金的形式向镁熔体中添加Y和Gd。本发明的合金加入元素As，能明显提高Mg‑Gd‑Y系合金的耐蚀性，性能优异。
合金耐蚀制备重量百分比杂质元素中间合金镁熔体耐蚀性熔炼

[发明专利]一种模糊联动萃取分离产出高纯氯化钆工艺-CN201410041562.0有效
发明人：洪春水;于兴;邹玥 -专利权人：福建省长汀金龙稀土有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C22B59/00 文献下载
摘要：本发明公开一种模糊联动萃取分离产出高纯氯化钆工艺，由三条生产组成，分别为Sm/Gd分离线、Sm/Eu分离线、Eu/Gd分离线；（SmEuGd）Cl₃料液先经过Sm/Gd分离线预处理，达到Sm元素和Gd元素的分离；Sm/Gd分离线萃余出口的（SmEu）Cl₃料液进入Sm/Eu分离线，Sm/Gd分离线有机出口的（EuGd）A₃料液进入Eu/Gd分离线，Sm/Eu分离线和Eu/Gd分离线串联，分别得到SmCl₃产品、Eu%大于50%料液产品、99.99%GdCl₃产品。
一种模糊联动萃取分离产出高纯氯化工艺

[发明专利]一种包覆PS的Gd2O3粒子制备方法及其复合材料-CN201510247922.7有效
发明人：赵景婵;张圣辰;刘飞;王改玲;武玲敏;潘欣悦 -专利权人：西北大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C08F112/08 文献下载
摘要：一种包覆PS的Gd2O3粒子制备方法及其复合材料，涉及功能型高分子材料制备领域。本发明所述包覆PS的Gd2O3粒子制备方法包括①制备Gd(OH)3的醇溶液；②将硅烷偶联剂KH‑570的醇溶液加入到Gd(OH)3的醇溶液中，得到KH‑570‑Gd(OH)3；③制备SDS和吐温‑80的混合乳液，将混合溶液分为两份，向其中分别加入KH‑570‑Gd(OH)3和St；④将加有St的混合乳液与加有KH‑570‑Gd(OH)3的混合乳液混合，加入引发剂进行乳液聚合反应，破乳，得到包覆PS的Gd2O3该包覆PS的Gd2O3粒子可以改善与高分子聚合物之间的相容性、分散性以及界面结合力，增强屏蔽性能。
一种 gd sub ps 粒子制备方法及其复合材料

[发明专利]一种高强高模量Mg-Gd-Ag-Mn-Ge镁合金及其制备方法-CN201911032767.1在审
发明人：陈先华;涂腾;李建波;黄光胜;彭建;潘复生 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C22C23/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高强高模量Mg‑Gd‑Ag‑Mn‑Ge镁合金及其制备方法，属于金属材料技术领域。本发明的Mg‑Gd‑Ag‑Mn‑Ge镁合金按照如下质量百分比组成：9～11％的Gd、1～2％的Ag、0.15～0.3％的Mn、1.5～3.5％的Ge、0.02％以下的杂质元素、余量为Mg。本发明在Mg合金中添加Gd，Ag，Mn元素，形成具有高强韧性的Mg‑Gd‑Ag‑Mn合金，Gd在镁合金中有很强的固溶强化和时效强化效果；Ag和Mn能细化晶粒，提高合金强度和韧性，同时在高强韧性的基础上添加Ge元素，凝固过程中生成高弹性模量的Gd
镁合金合金高强韧性弹性模量金属材料技术高弹性模量质量百分比晶粒高强高模固溶强化结合能力凝固过程时效强化杂质元素空位细化制备

[发明专利]具有胶质瘤靶向性的Gd2O3纳米粒及制法和应用-CN201310478554.8在审
发明人：闫长祥;宋光荣;叶玲;顾微;李帅;邓云龙;韩松 -专利权人：北京三博脑科医院有限公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： A61K49/14 文献下载
摘要：一种具有胶质瘤靶向性的Gd2O3纳米粒，是以Gd2O3为内核，表面修饰有硅烷化试剂，并加入聚乙二醇，然后键合氯毒素，得到具有胶质瘤靶向性的Gd2O3纳米粒，表达式为：CTX-PEG-TETT-Gd2O3Nps本发明还公开了制备上述Gd2O3纳米粒的方法。
具有胶质靶向 gd2o3 纳米制法应用

[发明专利]一种含Gd稀土镁合金及其制备方法-CN202010494092.9在审
发明人：袁玉春;马爱斌;江静华;郭庆放;宋丹;孙甲鹏;刘欢 -专利权人：河海大学;宿迁市河海大学研究院
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Gd稀土镁合金及其制备方法，按照质量分数计，该含Gd稀土镁合金包括以下组分制成：Gd：15.2～16.5％，Zn：1.78～2.3％，余量为Mg；其中，Gd/Zn的原子比为2.99～3.55该含Gd稀土镁合金的制备方法可以通过控制保温温度和时间双级阶梯析出长程有序结构(LPSO)相和β相，具有优异的共格和沉淀析出强化效果，再通过组合等通道转角挤压等大塑性加工方法对试样进行加工，获得高强耐热超细晶稀土镁合金Gd、Zn与Mg，形成低熔点共晶相Mg5(Gd，Zn)，有利于提高合金的流动性，提高铸造稳定性，细化晶粒。元素Gd在合金中充分发挥固溶强化作用，极大地提高了镁合金在室温和高温下的综合力学性能，扩大了镁合金的应用领域和用途。
一种 gd 稀土镁合金及其制备方法

[发明专利]低电压控制高频开关以及复合高频部件-CN200780012470.8有效
发明人：中川大;中山尚树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：在发射/接收选择开关(203)中，第一二极管(GD1)被配置为与发射信号线串联并且第二二极管(GD2)被配置为与接收信号线并联。其中直流电流通过第一二极管(GD1)的第一电流路径与其中直流电流通过第二二极管(GD2)的第二电流路径并联连接。当将预定的正电压施加到控制端子(VcG)时，二极管(GD1，GD2)变为导通状态，并且直流电流依次流经控制端子(VcG)、电阻器(GR)、电感器(GSL1)、二极管(GD1)、带状线(GSL2)和电感器(GL)，并且直流电流依次流经控制端子(VcG)、电阻器(GR)、第二二极管(GD2)和电感器(GL)。
电压控制高频开关以及复合部件

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