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[发明专利]CDSEM校准方法-CN201210287385.5有效
发明人：黄怡;林益世;蔡博修;李文慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：一种CDSEM校准方法，包括：利用除CDSEM以外的设备获取若干图案的参考关键尺寸；利用校准精度符合要求的CDSEM获取若干图案的CDSEM关键尺寸，将获取的若干参考关键尺寸、CDSEM关键尺寸做线性回归分析，获得一元线性回归方程，据此知道参考关键尺寸与CDSEM关键尺寸之间的确切关系，还可以获取预测CDSEM关键尺寸，以作为CDSEM再次校准的判断标准之一。在后续多次CDSEM校准过程中，普通技术人员可以依照所述方法对CDSEM进行再次校准，而不用资深技术人员来完成每次CDSEM的校准工作，降低了半导体制程的成本，并可根据线性回归方程的截距来对CDSEM的焦距进行进一步的校正
cdsem 校准方法

[发明专利]一种基于CDSEM的特征识别方法及装置-CN201610984604.3有效
发明人：柏耸;袁可方 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于CDSEM的特征识别方法及装置，所述方法包括：通过CDSEM获取训练衬底的CDSEM识别信息，所述训练衬底上设置有已知的特征，所述CDSEM识别信息包括CDSEM图像及其相应的CDSEM特征曲线；根据所述训练衬底的CDSEM识别信息以及所述已知的特征对神经网络进行训练，以使得训练后的神经网络适于对待识别衬底进行特征识别。本发明的方案能够基于CDSEM对半导体衬底的特征进行更为准确的识别。
一种基于 cdsem 特征识别方法装置

[发明专利]一种CDSEM机台的校准方法-CN200910052702.3有效
发明人：程蒙;贺挺;师伟堂 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：一种CDSEM机台的校准方法，属于半导体制造工艺设备技术领域。该发明提供的CDSEM机台的校准方法，采用多个FEM条件准备校准用的第一晶圆、第二晶圆，从而充分考虑了光刻机焦距漂移对CD尺寸的影响；并采用多次测量值的平均处理办法得到每个CDSEM的关键尺寸处理值，从而充分考虑了CDSEM机台自身的电荷效应影响。采用该方法校准CDSEM机台后，其测量CD值准确可靠，各个CDSEM机台测试结果之间相匹配和保持一致。
一种 cdsem 机台校准方法

[发明专利]一种基于机器学习的CDSEM图像虚拟测量方法-CN202011459003.3有效
发明人：李立人;时雪龙;燕燕;许博闻;周涛 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种基于机器学习的CDSEM图像虚拟测量方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、将光刻空间像图和CDSEM图像对齐步骤、采用神经网络模型，将所述光刻空间像图作为输入，与之对应的所述CDSEM图像作为目标输出，遍历所述训练集中的N1组所述光刻空间像图‑CDSEM图像数据对完成所述神经网络模型的训练；遍历验证集中的N2组所述光刻空间像图‑CDSEM图像数据对完成所述神经网络模型的验证。本发明通过建立OPC后光罩图案和光刻工艺后的CDSEM图像的映射，实现采用机器学习生成CDSEM图像，得到一个独立于OPC模型的验证模型，用于确认光刻后的图形的质量。
一种基于机器学习 cdsem 图像虚拟测量方法

[发明专利]一种优化CDSEM跑货顺序的方法-CN201210496704.3有效
发明人：夏婷婷;朱骏;马兰涛;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种优化CDSEM跑货顺序的方法，包括：步骤S1：导出已完成跑货的批量产品之制程时间Twafer；步骤S2：计算单点制程时间Tpoint；步骤S3：将所述单点制程时间Tpoint导入自动派货系统；步骤S4：计算所述CDSEM量测机台的等待时间Twait；步骤S5：所述自动派货系统根据步骤S4所获得的等待时间Twait，以及所述自动派货系统所记录的批量产品的优先等级顺序优化所述CDSEM量测机台的跑货顺序本发明所述的优化CDSEM跑货顺序的方法实现了CDSEM量测机台等待时间的量化，并结合所述自动派货系统记录的批量产品的优先等级顺序、测量点数量等相关信息，优化所述CDSEM量测机台的跑货顺序，不仅提高了所述CDSEM量测机台的利用率，而且减少了高等级批量产品在所述CDSEM测量站点的等待时间，极大的改善了生产效率。
一种优化 cdsem 顺序方法

[发明专利]获取并处理CDSEM文件的方法-CN202211402206.8在审
发明人：刘朗;陆正;江志兴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F40/186 文献下载
摘要：本发明提供一种获取并处理CDSEM文件的方法，所述方法包括：通过曝光工艺于晶圆上形成光刻胶图案；将晶圆置于量测机台内，并设置机台参数对光刻胶图案的关键尺寸进行量测以获取CDSEM文件；于终端输入CDSEM文件的绝对路径以读取CDSEM文件；对CDSEM文件中的数据进行匹配以筛选出目标数据；判断目标数据是否为FEM数据；若判断结果为是，利用数据分析库将目标数据转为第一种形式的模板文件，若判断结果为否，利用数据分析库将目标数据转换为第二种形式的模板文件通过本发明解决了以现有的获取及处理CDSEM文件的方法所存在的效率较低的问题。
获取处理 cdsem 文件方法

[发明专利]一种半导体CDSEM量测设备量测失败后自动重新量测的系统-CN202210294778.2在审
发明人：马巍;郑潜丰 -专利权人：上海哥瑞利软件股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体CDSEM量测设备量测失败后自动重新量测的系统，包括设备本地端以及代操端；设备本地端：CDSEM设备的量测执行端连接CDSEM设备的电脑主机，CDSEM设备的电脑主机连接显示器以及键盘鼠标设备，KVM切换器连接CDSEM设备的电脑主机的键鼠信号输出端口以及视频信号输出端口，并且KVM切换器连接通信网络；代操端：RCM客户端电脑、RCM服务器连接通信网络，RCM客户端电脑安装有RPA代操系统；CDSEM设备的电脑主机生成视频信号、键鼠信号，视频信号分别传输至显示器以及KVM切换器，键鼠信号分别传输至键盘鼠标设备以及KVM切换器；KVM切换器将视频信号、键鼠信号通过通讯网络传输至RCM客户端电脑以实时同步量测图像
一种半导体 cdsem 设备失败自动重新系统

[发明专利]一种提升缺陷检测性能的方法-CN202011459029.8有效
发明人：许博闻;时雪龙;燕燕;周涛;李立人 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：一种提升缺陷检测性能的方法，其包括训练集、验证集和测试集的生成步骤、遍历训练集中的N1组三通道图像‑目标CDSEM图像数据对完成神经网络模型的训练步骤、遍历验证集中的N2组三通道图像‑目标CDSEM图像数据对完成目标检测神经网络模型的验证步骤、遍历测试集中的N3组三通道图像‑目标CDSEM图像数据对完成目标检测神经网络模型的测试步骤以及基于最终的目标检测神经网络模型，对新的原始CDSEM图像进行缺陷检测步骤。因此，本发明将原始CDSEM图像的灰度信息和梯度信息进行结合，作为目标检测神经网络模型的输入图像，有助于模型从不同的视野去学习图像的缺陷特征，从而进一步提升模型训练的速度和准确度。
一种提升缺陷检测性能方法

[发明专利]基于机器学习预测刻蚀工艺后CDSEM图像的方法-CN202011461483.7有效
发明人：燕燕;时雪龙;周涛;许博闻;李立人 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：一种基于机器学习预测刻蚀工艺后CDSEM图像的方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、在进行模型训练之前将所述空间像‑CDSEM图像对齐步骤、遍历N组所述空间像‑CDSEM图像数据对完成神经网络模型的训练因此，本发明在刻蚀之前根据空间像推算出实际刻蚀后的CDSEM图像，以检查是否有缺陷并进行进一步的修正，其优点在于速度快、精度高和成本低。
基于机器学习预测刻蚀工艺 cdsem 图像方法

[发明专利]基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案的方法-CN202011462245.8有效
发明人：燕燕;时雪龙;周涛;许博闻;李立人 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案的方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、在进行模型训练之前将所述第一目标CDSEM图像与所述第二目标CDSEM图像对齐步骤、遍历N组所述第一目标CDSEM图像‑第二目标CDSEM图像数据对完成神经网络模型的训练、以及神经网络模型应用步骤。
基于逆向刻蚀模型确定光学临近修正光刻目标图案方法

[发明专利]关键尺寸扫描电子显微镜机台的校准方法-CN201910952699.4有效
发明人：李卫 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种CDSEM机台的校准方法。包括：提供校准晶圆；在晶圆上选取N个图形区域组成第一测试图形,在晶圆上剩余的图形区域中选取L个图形区域组成第二测试图形,使用第一CDSEM机台和第二CDSEM机台分别测试第一测试图形和第二测试图形后得到CD平均值，根据CD平均值判断第一CDSEM机台与第二CDSEM机台是否匹配；其中，第一测试图形最外围图形区域的连线围成的区域与第二测试图形最外围图形区域的连线围成的区域存在交叠区域。
关键尺寸扫描电子显微镜机台校准方法

[发明专利]一种基于图像的离线的光刻工艺稳定性控制方法-CN202011459019.4有效
发明人：许博闻;时雪龙;燕燕;周涛;李立人 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于图像的离线的光刻工艺稳定性控制方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、在进行模型训练之前将空间像和CDSEM图像对齐步骤、遍历N组空间像‑CDSEM图像数据对完成神经网络模型的训练的步骤、以及基于神经网络模型计算出的CDSEM图像反向推导出光刻工艺参数的步骤。本发明代替了使用散射仪和专门设计的光栅图样，从散射轮廓曲线来推断实际光刻工艺参数的传统方式，提出离线的空间像到CDSEM图像的方式，完成对光刻工艺参数的推导，缩短了时间周期和器件的使用成本，实现了离线的光刻工艺稳定性的控制
一种基于图像离线光刻工艺稳定性控制方法

[发明专利]一种量化测量CDSEM像散情况的方法-CN201210228274.7有效
发明人：夏婷婷;金颖;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明提供的一种量化测量CDSEM像散情况的方法，包括以下步骤：步骤1，选择样本控片；步骤2，利用CDSEM测量样本控片在不同像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值；步骤3，建立顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散情况的关系曲线本发明简便易行，能够及时准确的监测CDSEM电子束像散情况，避免人为判断失误而产生的图形异常。
一种量化测量 cdsem 情况方法

[发明专利]一种CDSEM图像处理方法及其装置-CN202010295827.5有效
发明人：刘佳琦;李林;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明提供了CDSEM图像处理方法，用于确定CDSEM机台拍摄的待量测图形的图像的测量范围，所述CDSEM图像处理方法包括：基于所述待量测图形的图像得到第一灰度图；对所述第一灰度图作傅里叶变换以得到对应的第一频谱分布
一种 cdsem 图像处理方法及其装置

[发明专利]一种新的关键尺寸监控结构的外形设计-CN201110272693.6无效
发明人：何伟明;郑海昌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域关于关键尺寸测量的监控结构的外形设计，该监控结构同时具有水平图形和垂直的图形，具有密集图形、半密集图形、孤立的图形，有特殊的标记方便CDSEM自动量测程式的建立，所述特殊的标记用来定位和自动对焦，从而可以避免用量测图形直接做定位和自动对焦，提高了CDSEM量测的成功率和精度，该种标记可以设计在掩模板上，设置在没有电路的位置上，即使CDSEM电子束会破坏光刻胶，那么由于做定位和自动对焦的位置下没有电路
一种关键尺寸监控结构外形设计

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