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[发明专利]一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法-CN202011414698.3有效
发明人：汪连山;李方政;赵桂娟;孟钰琳;杨少延;魏鸿源;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGayGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。
一种 algan bn 多量结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]一种聚苯胺改性氧化石墨烯/羟基化氮化硼复合环氧涂层的制备方法-CN202110017159.4有效
发明人：殷允杰;叶挺;王潮霞;陈坤林 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚苯胺改性氧化石墨烯/羟基化氮化硼复合环氧涂层的制备方法，对苯二胺对氧化石墨烯进行氨基修饰得到氨基改性氧化石墨烯，并与苯胺盐酸溶液原位聚合为PrGO，再与羟基化氮化硼结合，PrGO与BN(OH)x相互插层得到BN(OH)x‑PrGO混合物，最后BN(OH)x‑PrGO混合物通过腰果酚改性固化剂与环氧树脂结合制备得到BN(OH)x‑PrGO复合环氧涂层。本发明分别对氮化硼和氧化石墨烯进行改性，有效提升了PrGO和BN(OH)x在有机溶剂中的分散性及材料相容性，两种改性材料的高度屏蔽与协同作用极大提升了环氧复合涂层的防腐性能
一种苯胺改性氧化石墨羟基氮化复合涂层制备方法

[发明专利]一种氮化硼与氧化铝导热填料的制备方法-CN202110803074.9有效
发明人：焦华;周雪蕊;赵康;靳洁晨;张鑫媛;汤玉斐 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼与氧化铝导热填料的制备方法，该方法首先冻融处理BN粉末，再将BN粉末加入多巴胺溶液中进行暗反应，得到BN溶液体系；其次在螯合剂和碱性溶液的作用下配制出Al2O3前驱体溶液体系；将配制出的Al2O3前驱体溶液体系与BN溶液搅拌混合均匀，并以BN·Al2O3前驱体的形式固定下来，球磨洗涤干燥后将获得的前驱体粉末在惰性气体保护下进行高温煅烧得到氮化硼
一种氮化氧化铝导热填料制备方法

[发明专利]一种Al2-CN202210803938.1有效
发明人：李文质;李承基;吴美静 -专利权人：福建省德化县新继裕陶瓷工艺有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种Al2O3‑BN复相陶瓷及其制备方法，包括以下重量份数的原料：BN 30‑50份、Al2O3‑BN复相陶瓷及其制备方法，本发明中得到的Al2O3‑BN复相陶瓷抗热震性较好，与单纯的Al2O3陶瓷性能相比其性能更加优异，并且本发明中的Al2O3‑BN复相陶瓷可以根据图纸要求进行机械加工
一种 al base sub

[发明专利]一种BN-ZrO₂-SiC复合材料的复合烧结助剂-CN201310436048.2无效
发明人：姚金甫;叶长宏;于艳;吴建春;方园;王峰 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种BN复合材料的制造技术。一种BN-ZrO₂-SiC复合材料的复合烧结助剂，包括Al₂O₃微粉、MgO细粉和SiO₂微粉，Al₂O₃微粉1-4%，MgO细粉1-3%，SiO₂微粉1-3%；该复合烧结助剂用于BN复合材料，该复合材料中BN含量30-70%，ZrO₂₂O₃微粉、MgO细粉和SiO₂微粉来热压烧结生产BN复合材料，能达到良好的助烧结作用，使材料气孔率低、强度高
一种 bn zro sub sic 复合材料复合烧结助剂

[发明专利]一种磁性Fe2-CN202010115062.2有效
发明人：刘锡清;汪涛;闫永胜;周志平 -专利权人：江苏大学
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于催化材料制备技术领域，具体涉及一种磁性Fe2O3/BN复合材料及其制备方法与应用。本发明利用BN表面的负电性使正价铁离子吸附在BN上，实现一锅法制备磁性Fe2O3/BN复合材料，并应用于去除水体中的抗生素残留本发明合成方法简单，制备的磁性Fe2O3/BN复合材料具有良好的磁性易于回收重复利用。在光催化实验中磁性Fe2O3/BN复合材料表现出优于单体的降解活性。
一种磁性 fe base sub

[发明专利]一种纳米BN填充PTFE制备耐磨耐高温复合材料的方法-CN201610432442.2在审
发明人：唐海军;马建杰;石国军;邹俊松 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司江苏油田分公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C08K3/38 文献下载
摘要：一种纳米BN填充PTFE制备耐磨耐高温复合材料的方法，涉及油田采油技术领域，将纳米六方相BN通过表面活性剂分散在溶剂中，然后填充于PTFE中，经干燥、模压、烧结，取得耐磨耐高温复合材料。本发明克服了六方相纳米BN填料因为尺寸小、表面能高、容易团聚的缺点，实现了纳米六方相BN在PTFE中的高度分散，以显著提升复合材料的耐摩擦磨损性能，将其应用于抽油杆接箍，填充有纳米氮化硼的聚四氟乙烯复合材料
一种纳米 bn 填充 ptfe 制备耐磨耐高温复合材料方法

[发明专利]一种带隙可调的BN（Al）薄膜材料及其制备方法-CN201710413970.8在审
发明人：张侃;徐永宽;于陕升;文懋;谷鑫磊 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙可调的BN(Al)薄膜材料的制备方法，本发明通过Al掺杂的方法实现对六方BN带隙更自由的调控，增加其紫外光的吸收范围，其制备方法通过选择富硼的氮化硼靶材，在溅射过程中对衬底施加高偏压诱导出大量的N空位缺陷，同时通过共溅射使Al原子进入薄膜中N空位缺陷处，实现带隙可在较宽范围内调控的新型BN(Al)薄膜半导体材料。本发明中BN(Al)薄膜半导体材料采用射频共溅射法获得，工艺简单且效率高，可用于波长可调的发光器件，近紫外光吸收材料或光探测器件。
一种可调 bn al 薄膜材料及其制备方法

[发明专利]用于模型压缩的方法和装置-CN202010038026.0在审
发明人：杨国亮;李放;喻丁玲 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：该方法的一具体实施方式包括：获取训练样本集和测试样本集；按照模型处理步骤对具有卷积层和BN层的待压缩模型进行处理；提取与历史准确率关联存储的卷积滤波器的弹性值和BN层参数，以及根据卷积滤波器的弹性值、BN层参数和预先设定的模型删减概率，确定待压缩模型中的待删除的卷积滤波器；删除待压缩模型中的待删除的卷积滤波器和与待删除的卷积滤波器对应的BN层通道，得到压缩后的模型。
用于模型压缩方法装置

[发明专利]多任务模型训练方法、装置及计算机可读存储介质-CN202210568388.X在审
发明人：周恩慈;张骞;黄畅 -专利权人：北京地平线信息技术有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：该方法包括：确定多个数据源对应的多组样本图像，其中，每一数据源对应一组样本图像；确定待训练的多任务模型的目标BN参数、目标权重参数和目标偏置参数；通过多组样本图像，对目标BN参数、目标权重参数和目标偏置参数进行第一阶段训练；将目标BN参数置于推理状态；在目标BN参数的推理状态下，通过多组样本图像对目标权重参数和目标偏置参数进行第二阶段训练。
任务模型训练方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]一种高性能Ru基合成氨催化剂及其制备方法和应用-CN202210486089.1在审
发明人：江莉龙;蔡洪芳;张天华;王秀云;周岩良 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明通过合成BN载体，再合成Ru/BN催化剂，然后通过等体积浸渍的方法，将稀土元素负载于Ru/BN催化剂上，最终得到RuM/BN催化剂。
一种性能 ru 合成氨催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于h-BN作为缓冲层的硅基氮化镓外延片及其制备方法-CN202310384770.X在审
发明人：刘兴林;杨冰;黄俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于h‑BN作为缓冲层的硅基氮化镓外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明中通过在氮化后的硅基衬底上沉积h‑BN缓冲层，再在h‑BN缓冲层上依次预铺铝原子、沉积AlN成核层、AlN外延以及通过二次高温退火制备AlN缓冲层，最后在AlN缓冲层表面外延氮化镓，最后通过机械释放方法使硅衬底与h‑BN缓冲层分离。
一种基于 bn 作为缓冲氮化外延及其制备方法

[发明专利]AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法-CN201510160791.9有效
发明人：程知群;王凯;董志华;刘国华;周涛;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
衬底蓝宝石移除层压力传感器工艺实现粘贴孔洞范德瓦耳斯力衬底剥离陶瓷载体外延材料外延生长转移器件常规的结构层金属铜单晶漏极帽层源极腐蚀生长

[发明专利]一种Pb²⁺抗原和相应单克隆抗体及其制备方法-CN201010216757.6有效
发明人：张燚;王哲;刘国文;李小兵;张鹏;李鹏;孔涛;唐佳佳;扬威;李东娜 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C07K14/795 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pb2+抗原和相应单克隆抗体，同时还提供了该抗原及单克隆抗体的制备方法，将Pb2+与螯合剂p-NH2-Bn-CHX-A″-DTPA螯合，通过戊二醛与血蓝蛋白(KLH)偶联，超滤，得到完全免疫抗原(KLH-NH-Bn-CHX-A″-DTPA-Pb)。免疫BALB/c小鼠，取该小鼠脾细胞与骨髓瘤细胞融合，筛选出针对BSA-NH-Bn-CHX-A″-DTPA-Pb强阳性，对BSA-NH-Bn-CHX-A″-DTPA及其它各种金属离子无交叉反应的特异性单克隆抗体
一种 pb sup 抗原相应单克隆抗体及其制备方法

[发明专利]MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法-CN201510037533.1有效
发明人：张焱;胡慧;王越;冯庆荣 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法，无需高真空条件，在2～7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层，避免了生长过程中的杂质污染；利用CVD法生长的BN层性能优良，导热性好，适合作为势垒层，提高了势垒层的致密性，增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与
mgb2 bn 约瑟夫及其制备方法