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[实用新型]一种SDB工艺的测试结构-CN202021810675.X有效
发明人：张璐 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种SDB工艺的测试结构，用于检测单扩散区切断的工艺情况，所述测试结构包括至少一个基本单元：所述基本单元包括两个鳍式场效应晶体管：第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管；所述鳍式场效应晶体管包括若干根相邻的平行鳍部和横跨鳍部的栅极结构,鳍式场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的鳍部上；所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用同一根栅极结构；单扩散区切断设置在第二鳍式场效应晶体管的栅极结构上，用于截断第二鳍式场效应晶体管的源极和漏极
一种 sdb 工艺测试结构

[发明专利]设计电路的方法以及静态随机存取存储器器件-CN202110680897.7在审
发明人：陈彝梓;谢豪泰;叶哲儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：该方法包括：设置电路；选择该电路中的第一NMOS鳍式场效应晶体管；以及将具有第一鳍数量的第一NMOS鳍式场效应晶体管替换为具有第二鳍数量的第二NMOS鳍式场效应晶体管和具有第三鳍数量的第三NMOS鳍式场效应晶体管，其中，第二鳍数量与第三鳍数量之和等于第一鳍数量。本发明的实施例还提供了一种SRAM器件。
设计电路方法以及静态随机存取存储器器件

[发明专利]半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510293006.7有效
发明人：谢欣云;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部，所述绝缘层的材料为掺氮的氧化硅所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能；此外以掺氮的氧化硅为所述绝缘层材料，可有效提高绝缘层的散热功效，从而提高鳍式场效应晶体管的散热功效，进而提高鳍式场效应晶体管的性能。
半导体器件场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]动态随机存取存储器单元-CN201110425199.9有效
发明人：沃纳·郑林 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器单元，包含：第一鳍式场效应晶体管以及第二鳍式场效应晶体管。所述第二鳍式场效应晶体管与所述第一鳍式场效应晶体管相邻，包含：源极随耦晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第一鳍片；存取晶体管，其位于所述第二鳍式场效应晶体管的第二鳍片；写入字元线；以及读取字元线，当所述读取字元线被施以高电位时，所述源极随耦晶体管使数据得以由所述第一鳍式场效应晶体管被读取出来。
动态随机存取存储器单元

[发明专利]包括不对称硅化物结构的场效应晶体管及相关器件-CN201310445019.2在审
发明人：宋泰中;金奎泓;朴在浩;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管及其相关器件。该鳍式场效应晶体管可以包括鳍式场效应晶体管的源极区和漏极区。鳍式场效应晶体管的栅极可以横跨源极区与漏极区之间的鳍式场效应晶体管的鳍。第一硅化物层和第二硅化物层可以分别包括面对横跨鳍的栅极的第一表面和第二表面，其中，第一表面和第二表面的尺寸是不同的。
包括不对称硅化物结构场效应晶体管相关器件

[发明专利]包括鳍形的集成电路器件-CN201610122110.4有效
发明人：郑在烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括衬底，其具有从衬底突出的第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体。第一鳍形场效应晶体管体和第二鳍形场效应晶体管体分别在集成电路器件的第一区和第二区中具有各自不同的第一形状和第二形状。
包括集成电路器件

[发明专利]半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510290564.8有效
发明人：谢欣云;周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部。所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能。
半导体器件场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成-CN201810128834.9有效
发明人：谢瑞龙;成敏圭;林宽容 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的集成，揭示用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的结构，以及用以在集成电路中集成垂直场效应晶体管与鞍形鳍式场效应晶体管的方法。形成自该第一装置区突出的第一半导体鳍片并形成自该第二装置区突出的第二半导体鳍片。通过使用该第一半导体鳍片形成垂直场效应晶体管，且通过使用该第二半导体鳍片形成鞍形鳍式场效应晶体管。使邻近该第二半导体鳍片的该第二装置区中的该沟槽隔离的顶部表面相对邻近该第一半导体鳍片的该第一装置区中的该沟槽隔离的该顶部表面凹入。
垂直场效应晶体管鞍形鳍式集成

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及半导体器件-CN202110224048.0在审
发明人：杨忙;张玉静;陈尚志 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及半导体器件,通过在鳍式场效应晶体管制程中二极管中形成由第一导电类型阱层、第二导电类型深阱层和第二导电类型阱层组成的二极管结构，进而能够减小鳍式场效应晶体管制程中二极管的泄露电流情况；并且通过第一导电类型阱层、第二导电类型阱层和第二导电类型深阱层的占用面积的优化设计，不仅提高了鳍式场效应晶体管制程中二极管的性能，同时优化了鳍式场效应晶体管中二极管的设计，减少了其版图设计的限制。
一种场效应晶体管半导体器件

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件的制造方法-CN201510149024.8在审
发明人：桑宁波;李润领;关天鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管器件的制造方法，主要增加了两步光刻步骤和刻蚀步骤的工艺，从而通过两次光刻刻蚀来定义两个器件区域的鳍片的不同高度，进而形成不同的宽长比的鳍片，最终获得不同驱动能力的鳍式场效应晶体管FinFET，形成例如SRAM等鳍式场效应晶体管器件，可以广泛应用在30纳米及以下集成电路加工工艺。
场效应晶体管器件制造方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法-CN202310856132.3在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。
一种场效应晶体管剂量辐射效应模型构建方法

[发明专利]一种单层原子沟道鳍式场效应晶体管的制备方法及产品-CN202010142634.6有效
发明人：韩拯;陈茂林;孙东明;孙兴丹;王汉文;刘航;董宝娟;刘松 -专利权人：中国科学院金属研究所;湖南大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单原子层厚度沟道材料的鳍式场效应晶体管及其制备方法，所述鳍式场效应晶体管以高介电常数材料为介电层，以单层过渡金属硫族化合物为沟道材料。首先在基片上刻蚀出垂直台阶或垂直阵列结构，再在侧壁沉积均匀包覆介电层，然后在台阶处合成单层过渡金属硫族化合物，并采用各向异性刻蚀工艺获得垂直的单原子层厚度沟道材料，最后结合选择性湿法刻蚀和微纳加工工艺，获得单原子层厚度沟道材料的鳍式场效应晶体管所得晶体管的鳍宽仅为0.6纳米；基于基片顶层的不同厚度，可以获得几百纳米高的鳍式场效应晶体管；通过制备台阶阵列，可以得到高密度的鳍阵列型鳍式场效应晶体管，用于构建高集成和低功耗的逻辑器件。
一种单层原子沟道场效应晶体管制备方法产品

[发明专利]用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图-CN202010821446.6有效
发明人：陈尚志;张玉静;杨忙 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，涉及集成电路技术领域。电性解析版图包括第一版图和第二版图，第一版图为指状结构鳍式场效应晶体管，指状结构鳍式场效应晶体管的栅极、源极、漏极和基底均为并联，第二版图为用于解析指状结构鳍式场效应晶体管的版图，第二版图的至少部分的栅极、源极或漏极具有个别的金属线连接，第二版图的基底共用，第二版图的至少部分的晶体管可被单独量测，这样，可以将原先要解析的指状结构鳍式场效应晶体管的个别晶体管的电学行为进行拆解和组合，可以完全地解析指状结构鳍式场效应晶体管的电学行为此版图还可用于校验鳍式场效应晶体管的电路模型，以及其版图效应的加成性是否准确。
用于结构场效应晶体管解析版图

[发明专利]具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管-CN201510268708.X有效
发明人：肖姆·波诺斯;赫曼特·维纳亚克·德什潘德 -专利权人：安华高科技通用IP（新加坡）公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及具有无掺杂本体块的鳍式场效应晶体管。提供了用于实现基于无掺杂本体块硅的器件，诸如场效应晶体管(FET)和鳍式场效应晶体管(FinFET)的系统和方法。在实施方式中，一旦形成抗穿通部(PTS)层，使用外延生长技术来形成FinFET的鳍部的有源区的硅。在实施方式中，根据本公开的实施方式的外延生长技术制造在有源区中具有小凹口的鳍部。
鳍式场效应晶体管外延生长技术掺杂源区鳍部场效应晶体管穿通部小凹口制造

[发明专利]具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构-CN200710166452.7有效
发明人：李宗霖;张长昀;吕升达;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，包括半导体基材；以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片；以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场效应晶体管包括与第一鳍片相隔一鳍片间隙的第二鳍片；以及覆盖于第二鳍片的上表面及多个侧壁上的第二栅极。第一栅极与第二栅极的栅极高度大于约一半的鳍片间隙。
具有多个鳍式场效应晶体管半导体结构

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