“非磷非硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果906094个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法-CN200710020383.9有效
发明人：班群 -专利权人：江苏林洋新能源有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法，产品包括在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ag/Cr电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的p型氢化非晶硅薄膜、本征的i型氢化非晶硅薄膜、掺磷的n型氢化非晶硅薄膜，第一层Ag/Cr电极穿过掺硼的p型氢化非晶硅薄膜层，并伸入本征的i型氢化非晶硅薄膜中，在掺磷的n型氢化非晶硅薄膜上设置SnO₂透明导电薄膜层，在SnO_{本发明在廉价的衬底上制备pin结构微晶硅薄膜太阳电池，稳定后的器件转换效率衰减不超过初始效率的10％，有效提高了氢化非晶硅薄膜太阳电池的使用稳定性。}
氢化非晶硅薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种多晶硅层形成方法、LTPS阵列基板及显示装置-CN201510179587.1在审
发明人：胡国仁 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅层形成方法，包括：在一基板的一表面上沉积形成非晶硅离子参杂层及氮化硅层，所述氮化硅层位于非晶硅离子参杂层之上；其中，所述非晶硅离子参杂层中含有磷离子；在所述氮化硅层上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成镍层；形成多晶硅层，即对形成镍层后的非晶硅层进行退火并诱发所述非晶硅层结晶。
一种多晶形成方法 ltps 阵列显示装置

[发明专利]叠层型光电元件以及电流平衡调整方法-CN200410031301.7无效
发明人：狩谷俊光 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在包括在支撑体102上顺序叠层了金属层103，下部透明导电层104，由非单晶硅构成的第1n层105，由微晶硅构成的第1i层106，由非单晶硅构成的第1p层108，由非单晶硅构成的第2n层109，由微晶硅构成的第2i层110，由非单晶硅构成的第2p层112的构造的叠层型光电元件中，使得在第1i层106和第2i层110中含有磷(P)，当第1i层106中磷对硅的含量比为R1，第2i层110中磷对硅的含量比为R2时，
叠层型光电元件以及电流平衡调整方法

[发明专利]一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法-CN201210127547.9无效
发明人：贾河顺;罗磊;任现坤;程亮;姜言森;刘鹏;李玉花;徐振华;王兆光;张春艳;张丽丽;张黎明 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法，具体涉及一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：1.晶硅表面制绒；2.非受光面印刷磷浆；3.烘干；4.非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；5.扩散炉内通入磷源进行磷扩散本在完成电池受光面扩散的同时，进行非受光面的磷吸杂，可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。
一种型晶硅太阳电池双面扩散方法

[发明专利]一种负载型磷腈催化剂催化制备聚硅氧烷的方法-CN201910742410.6在审
发明人：李志波;赵娜;时金凤 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C08G77/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用非均相负载型磷腈催化剂催化环硅氧烷开环聚合制备聚硅氧烷的方法。本报道发明的聚硅氧烷制备方法简单高效，聚合完成后可分离出非均相负载型磷腈催化剂，所得聚硅氧烷产品组成及分子量可调且无催化剂残留，分离出的负载型磷腈催化剂可回收循环使用多次。
磷腈催化剂负载型制备聚硅氧烷聚硅氧烷非均相产品组成开环聚合无催化剂催化环硅氧烷可分离可回收可调制备催化聚合残留

[发明专利]实现电子局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN202010528271.X有效
发明人：黄海冰;张梦葛;张胜军;沈梦超;绪欣;吴智涵 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种实现电子局部钝化接触的方法，首先在去除损伤层的晶体硅衬底上制备隧穿氧化硅和非晶硅层，然后在这层非晶硅薄膜上局部覆盖磷掺杂剂，接着通过碱溶液刻蚀掉无局部覆盖磷掺杂剂区域的非晶硅薄膜层，再通过退火将非晶硅充分晶化为多晶硅，同时也激活磷掺杂剂以及完成其在多晶硅薄膜内的再分布，最后在这个局部掺磷的多晶硅薄膜上制备金属化层。进一步，本发明还公开了一种具有电子局部钝化接触结构的晶体硅太阳能电池和相应的电池制备方法。
实现电子局部钝化接触方法晶体太阳能电池及其制备

[发明专利]太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201510291019.0有效
发明人：申红明;王强;邓洪海 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201510395554.0有效
发明人：邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法-CN201310111615.7无效
发明人：王强;花国然;朱海峰;姚滢;邓洁 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种PECVD法沉积非晶硅的控制爆膜的方法-CN202111508441.9在审
发明人：何秋霞;朱军;谈锦彪;马擎天 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种PECVD法沉积非晶硅的控制爆膜的方法，包括：对N型晶体硅基体的背表面进行抛光处理，形成抛光面；在所述抛光面上沉积氧化硅遂穿层；在所述氧化硅遂穿层表面采用PECVD法沉积非晶硅层，在PECVD装置通入硅烷，并控制所述硅烷水平掠过所述氧化硅遂穿层，沉积所述非晶硅层；在沉积所述非晶硅层的过程中，同时对所述非晶硅层进行磷掺杂；对掺杂过后的所述N型晶体硅基体进行退火，激发所述非晶硅层内部的磷原子，形成多晶硅层本发明的有益效果是改变工艺气体在硅片的流动方向和工艺过程中升高温度的方法，杜绝了沉积Poly硅的爆膜现象，同时提升了均匀性，片内偏差由原先的12％减小到5％以内。
一种 pecvd 沉积非晶硅控制方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池的制备方法-CN202211590882.2在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括：将硅片进行制绒处理；将制绒好的硅片置于磷扩散炉内进行磷扩散吸杂，以形成磷扩散掺杂N+扩散层；将硅片背面的磷硅玻璃层去除；将背面去除磷硅玻璃层的硅片进行抛光，并去除硅片正面的磷硅玻璃层，裸露出N+扩散层；对硅片进行清洗，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片正背面各沉积一层透明导电层本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够解决传统异质结太阳电池的制备工艺中存在的发电效率较低的问题。
硅基异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池磷扩散工艺-CN202110999124.5在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2021-08-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供了一种优异的TOPCon电池磷扩散工艺，采用高温对非晶硅层进行晶化，再渐续扩散推进的方式，即在扩散前利用延长升温、恒温过程时间对非晶硅层进行晶化，降温后再进行第一次扩散+恒温推进，第二次扩散+降温推进，最后带氧退火的方式，使用该方法使得非晶硅层具有高的晶化比例，同时有效的减少了磷原子穿透隧穿氧化层，多晶硅较非晶硅有较高的电迁移率和稳定的光电性能，又保证了隧穿层的作用，通过该发明使得掺杂后非晶硅
一种 topcon 电池扩散工艺

[发明专利]一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法-CN201410424158.1有效
发明人：周洪彪;刘文峰;汪已琳;杨晓生 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括在N型硅基底前表面制备纳米绒面、N+型磷浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在N型硅基底背面制备N++型磷重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对N++型磷重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层p型非晶硅薄膜层，去除N++型磷重扩散晶硅层区域表层的本征和p型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将N型硅基底背面的P区和N区分开
一种电极型晶硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]基于超薄锗量子点薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010258351.8在审
发明人：钱松;单丹 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本案涉及一种基于超薄锗量子点薄膜太阳能电池及其制备方法，其至少包括有：衬底层；形成于所述衬底层上的硼掺杂氢化非晶富硅碳化硅薄膜层；形成于所述硼掺杂氢化非晶富硅碳化硅薄膜层上的纳米锗薄膜层；以及形成于纳米锗薄膜层上的磷掺杂氢化非晶富硅碳化硅薄膜层；采用PECVD工艺在衬底层依次制备硼掺杂氢化非晶富硅碳化硅薄膜层、纳米锗薄膜层和磷掺杂氢化非晶富硅碳化硅薄膜层。
基于超薄量子薄膜太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置-CN201320466068.X有效
发明人：范芳芳 -专利权人：国电光伏有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置，包括激光系统、反应腔室、样品加热器、抽真空系统和进气系统。激光系统设有激光脉冲控制器，通过调节激光脉冲个数，控制非晶硅薄膜中磷或硼的掺杂程度。样品加热器主要对非晶硅薄膜进行加热，以提高掺杂效率。抽真空系统设有真空泵，通过真空泵对腔室抽真空；进气系统设有气体流量计及截止阀，以此控制反应气体进入的量。用激光对非晶硅薄膜进行磷或硼的掺杂，反应速度快，杂质激活率高，均匀性好，能制备光电性能较好的N型/P型非晶硅薄膜。
一种用于制造非晶硅薄膜激光装置