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[发明专利]一种用于发动机异型的后机匣蒙皮的圆环形高硅氧隔热层及其隔热方法-CN201811409204.5在审
发明人：杨玲;张海峰;贺晔红;徐琪 -专利权人：中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： F01D25/14 文献下载
摘要：本发明公开一种用于发动机异型的后机匣蒙皮的圆环形高硅氧隔热层及其隔热方法，包括高硅氧针刺毡、高硅氧布、连接布和高硅氧纤维缝纫线；高硅氧针刺毡、连接布和高硅氧布均呈圆环形；高硅氧布分为上层和下层，下层高硅氧布的圆环内径小于上层高硅氧布的圆环内径；上层高硅氧布和下层高硅氧布将高硅氧针刺毡进行包覆后，通过高硅氧纤维缝纫线将上层高硅氧布和下层高硅氧布的圆环外径进行缝合，上层高硅氧布和下层高硅氧布的圆环内径与连接布对接后进行缝合。
高硅氧布硅氧圆环上层高硅氧针刺毡后机匣连接布圆环形隔热蒙皮高硅氧纤维发动机缝纫线高硅氧隔热层缝合技术方案结构不规则形状异性材料包覆下层

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN202310015238.0在审
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶1，其中，11≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶1，其中，0≤1≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN201911425863.2有效
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶x，其中，1x≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶y，其中，0≤y≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]硅氧颗粒及其制备方法、负极材料和电池-CN202011434907.0在审
发明人：张和宝;王岑;李喆;罗姝;查道松 -专利权人：安普瑞斯（南京）有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供一种具有核壳结构的硅氧颗粒，硅氧颗粒为硅氧一次颗粒或硅氧二次颗粒，硅氧颗粒包括：内核颗粒，包括硅氧化合物基质及单质纳米硅颗粒，内核颗粒中硅氧含量摩尔比如下：氧元素/硅元素＝X，0.5≤X≤1.5；碳化硅壳层，包覆内核颗粒，构成具有核壳结构的硅氧颗粒；碳层，包覆单个或多个具有核壳结构的硅氧颗粒；其中，硅氧颗粒料堆的休止角≤40°，优选为≤30°，更优选为≤20°；硅氧颗粒料堆的固液界面接触角≥45本申请所提供的硅氧颗粒用于电池，具有低膨胀率、较长的循环寿命、高容量、高库伦效率等特点。
颗粒及其制备方法负极材料电池

[发明专利]可交联的有机硅组合物及反应产物及制备方法和应用-CN201910388603.6有效
发明人：曹新宇;尚欣欣;范先朋;鹿颖;马永梅;张榕本;方世壁;杨传玺;张京楠;郑鲲;叶钢 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：本发明公开了可交联的有机硅组合物及其反应产物及制备方法和应用，所述有机硅组合物包括：梯形聚硅氧烷，具有活性基团的线形聚硅氧烷，以及不同种类的催化剂；所述组合物还包括支化聚硅氧烷和添加剂；其中，梯形聚硅氧烷可与聚合度较低的线形聚硅氧烷共聚形成交联体，梯形聚硅氧烷和所述交联体均可与封端剂反应后得到封端梯形聚硅氧烷和封端交联体，梯形聚硅氧烷还可以发生自封端反应形成自封端梯形聚硅氧烷，再将所述交联体，封端交联体，封端梯形聚硅氧烷，自封端梯形聚硅氧烷与线形聚硅氧烷和催化剂组成组合物本发明通过在梯形聚硅氧烷中引入线形硅氧烷，提高了有机硅反应产物的热稳定性、柔韧性和折射率等性能。
交联有机硅组合反应产物制备方法应用

[发明专利]聚碳酸酯-聚硅氧烷共聚物组合物、由其形成的制品及其制造方法-CN201680065595.6有效
发明人：詹姆斯·富兰克林·胡韦尔;拉蒙·赫罗特;罗伯特·迪尔克·范·德·格兰佩尔;马克·阿德里安乌斯·约翰内斯·范·德·梅;雷姆科·维尔茨;杨剑;张军华 -专利权人：沙特基础工业全球技术有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：一种聚碳酸酯组合物，其包含：包含碳酸酯单元和硅氧烷单元的第一聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物，其中少于0.5mol％的所述硅氧烷单元直接结合到另一硅氧烷单元；第一聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物包含平均嵌段长度为约10至约100的硅氧烷单元且为5wt％至8wt％的硅氧烷含量；包含碳酸酯单元和硅氧烷单元的第二聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物，其中少于0.5mol％的硅氧烷单元直接结合到另一硅氧烷单元；第二聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物包含平均嵌段长度为10至100的硅氧烷单元，为10wt％至30wt％的硅氧烷含量，并且其中第一聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物与第二聚(碳酸酯‑硅氧烷)共聚物的重量比为2至20；和任选的双酚聚碳酸酯；其中所述聚碳酸酯组合物具有2.5wt％至10wt％的总硅氧烷含量。
聚碳酸酯聚硅氧烷共聚物组合形成制品及其制造方法

[发明专利]一种苯基聚硅氧烷胶黏剂及其制备方法-CN202110954980.9有效
发明人：钱帆;张文彬;袁有学;梁乐成 -专利权人：广东万木新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基聚硅氧烷胶黏剂及其制备方法。本发明所述苯基聚硅氧烷胶黏剂包括如下制作原料：乙烯基铈杂化苯基聚硅氧烷，乙烯基线性苯基聚硅氧烷，氢基苯基聚硅氧烷，固化剂；所述乙烯基铈杂化苯基聚硅氧烷、氢基苯基聚硅氧烷中至少一种原料为受阻酚改性原料。本申请使用乙烯基铈杂化苯基聚硅氧烷，乙烯基线性苯基聚硅氧烷，氢基苯基聚硅氧烷，固化剂原料制备所述苯基聚硅氧烷胶黏剂，通过在所述苯基聚硅氧烷胶黏剂的聚硅氧烷结构中引入受阻酚结构，同时使用铈杂化的乙烯基有机聚硅氧烷，从两个方面提升苯基聚硅氧烷胶黏剂的耐高温性能，而且从根本上解决材料间的相容性问题。而且所述苯基聚硅氧烷胶黏剂具有硬度高，透明度高的效果。
一种苯基聚硅氧烷胶黏剂及其制备方法

[发明专利]形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法-CN201110430768.9有效
发明人：尹熙灿;郭泽秀;金奉焕;裵镇希;吴正堈;林相学;韩东一;金相均;李真旭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
形成硅氧层组合及其生产方法利用

[发明专利]用聚硅氧烷低分子合成确定粘度聚硅氧烷的方法-CN201110247661.0有效
发明人：桑圣凯;胡生祥;付佃亮;宋超 -专利权人：山东东岳有机硅材料有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C08G77/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用聚硅氧烷低分子合成确定粘度聚硅氧烷的方法，属于有机硅氧烷合成技术领域，包括以下步骤：调整聚硅氧烷合成中的中间硅氧烷链节数和封端剂链节数比例做出粘度与投料摩尔比关系曲线；将聚硅氧烷低分子脱水处理后加入催化剂聚合，拔出低分子后测其粘度值，从而得出低分子中的中间硅氧烷链节数和封端链节数比例；根据曲线，调整聚硅氧烷低分子中的中间硅氧烷链节数和封端链节数比例即可合成确定粘度的聚硅氧烷。采用本发明不仅可以合成确定粘度的聚硅氧烷，而且粘度范围也被大大扩展，使得聚硅氧烷低分子可以被有效的、高质量的使用，本发明制备的聚硅氧烷的品质不低于完全采用环硅氧烷开环聚合制备的聚硅氧烷的品质。
用聚硅氧烷低分子合成确定粘度聚硅氧烷方法

[发明专利]羟基封端的线性硅氧烷的制备方法-CN01142981.X有效
发明人： C·A·霍尔;D·G·V·科沃林 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2001-12-06 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明披露了一种制备羟基封端的线性硅氧烷的方法,包括如下步骤a)将具有下式的氯硅氧烷与挥发性甲基硅氧烷混合,从而形成氯硅氧烷于挥发性甲基硅氧烷中的溶液ClR2SiO(R12SiO)xSiR2Cl式中x为1－10的整数,R和R1各自独立地选自烃基;b)使氯硅氧烷于甲基硅氧烷中的溶液水解,从而形成反应产物的水解混合物;c)将反应产物的水解混合物分离成水相和含羟基封端的线性硅氧烷和挥发性甲基硅氧烷的硅氧烷相;和d)从硅氧烷相中回收羟基封端的线性硅氧烷。
羟基线性硅氧烷制备方法

[发明专利]包含三种硅氧烷的预混合物的毛发调理组合物-CN200580004872.4有效
发明人：上原延明 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2005-02-09 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： A61K8/89 文献下载
摘要：公开了一种毛发调理组合物，所述组合物包含由三种硅氧烷组成的硅氧烷体系和凝胶基质，其中所述硅氧烷体系包含具有高粘度的第一硅氧烷、具有低粘度的第二硅氧烷和为氨基硅氧烷的第三硅氧烷，并且其中所述组合物由以下步骤制备：将所述三种硅氧烷混合形成硅氧烷体系；然后将所述硅氧烷体系与凝胶基质混合。
包含三种硅氧烷混合物毛发调理组合

[发明专利]抗裂性硅基平整化组合物、方法和膜-CN201880087116.X在审
发明人：黄红敏;海伦·晓·徐 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种用于使半导体器件的表面平整化的组合物包括：硅基材料，硅基材料包括硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷和/或聚硅氧烷树脂；连同至少一种溶剂、催化剂以及交联剂，交联剂包括硅氧烷化合物。
抗裂性硅基平整组合方法

[发明专利]硅酮组合物-CN201910827083.4有效
发明人：松本诚;安廷谟;姜承铉;郑印洪 -专利权人： KCC有机硅株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及含有有机聚硅氧烷混合物和铂催化剂的硅酮组合物，其中所述有机聚硅氧烷混合物含有：在其分子中包括具有至少一个烯基的单元和至少一个SiO4/2单元的第一有机聚硅氧烷(a)、在其分子中具有至少两个烯基的第二有机聚硅氧烷(b)、以及有机氢聚硅氧烷(c)，其中所述有机氢聚硅氧烷(c)包含高反应性有机氢聚硅氧烷和直链有机氢聚硅氧烷，其中所述高反应性有机氢聚硅氧烷包含第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)或第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)，所述第一有机氢聚硅氧烷(c‑1)在其分子中包括具有与至少一个硅直接键合的氢基团的单元和至少一个SiO4/2单元，所述第二有机氢聚硅氧烷(c‑2)在其分子中包括与至少两个硅直接键合的氢基团和与以介于中间的氧原子邻接至上述硅基团的硅原子直接键合的至少一个芳基或卤代烷基，并且所述直链有机氢聚硅氧烷包含第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)，所述第三有机氢聚硅氧烷(c‑3)在其分子中包括与至少一个硅直接键合的氢基团。
硅酮组合

[发明专利]一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用-CN202010816236.8有效
发明人：李美江;宋华锋;刘美辰 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明涉及工业填料技术领域，针对硼酸与硅羟基反应活性差及聚硼硅氧烷结构难以控制的问题，公开了提供一种含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑的制备方法及其应用，包括以下步骤：（1）制备含硅氯键硼硅氧烷：在搅拌和氮气保护下，将硼酸、氯硅烷加入溶剂中反应得到含硅氯键硼硅氧烷；（2）含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑：在搅拌和氮气保护下，将步骤（1）反应后得到的含硅氯键硼硅氧烷加入亲水性白炭黑中，加热反应得到含硅氯键硼硅氧烷改性白炭黑采用含硅氯键硼硅氧烷改性亲水白炭黑，硼氧键与白炭黑硅羟基发生配位作用，降低硅羟基结构化作用，硅氯键和硼氧键同时与白炭黑表面羟基作用，提升白炭黑改性效果。
一种含硅氯键硼硅氧烷改性炭黑制备方法及其应用

[发明专利]包含硅氧烷溶剂的有机功能材料的制剂-CN201680018910.X有效
发明人：格雷·比雷;克里斯托夫·莱昂哈德;曾信荣;伊里娜·马丁诺娃;奥雷莉·吕德曼 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造有机半导体器件的制剂，所述制剂含有至少一种有机功能材料和至少第一溶剂和第二溶剂，其特征在于所述第一溶剂为硅氧烷。优选地，所述硅氧烷是选自八甲基环四硅氧烷，十甲基环五硅氧烷，十二甲基环六硅氧烷，十四甲基环七硅氧烷，六乙基环三硅氧烷，八乙基环四硅氧烷，2,4,6,8,10‑五乙基‑2,4,6,8,10‑五甲基环五硅氧烷和2,4,6‑三乙基‑2,4,6‑三甲基环三硅氧烷的环硅氧烷。
包含硅氧烷溶剂有机功能材料制剂

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