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[发明专利]一种非晶高硅铝镁材料及制备方法-CN202310322341.X在审
发明人：李自刚;李志强;彭从华;李安刚;李晓卫 -专利权人：河南竹林庆州耐火材料有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶高硅铝镁材料及制备方法。所述非晶高硅铝镁材料包括：非晶高硅铝镁材料，所述非晶高硅铝镁材料由Mg、Cu、Ag、Gd、氧化镁细粉、氧化铝细粉和碳化硅颗粒加工构成；所述Mg、Cu、Ag、Gd的纯度均为99.99wt％的高纯度块状金属本发明提供的非晶高硅铝镁材料及制备方法通过引入碳化硅颗粒，可以大大提高非晶高硅铝镁材料的压缩应变和断裂强度，进而扩大了非晶高硅铝镁材料的应用性的优点。
一种非晶高硅铝镁材料制备方法

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜材料的制备方法-CN201410555667.8在审
发明人：郝会颖;何明 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅薄膜材料的制备领域，特别涉及一种多晶硅薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上，采用磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜，得到复合薄膜；对复合薄膜进行激光辐照，非晶硅薄膜晶化，即得多晶硅薄膜材料；其中，在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，温度不高于150℃。本发明提供的多晶硅薄膜材料的制备方法，非晶硅薄膜和金属铝膜均采用磁控溅射技术获得，不需要硅烷等危险气体；在磁控溅射技术依次沉积非晶硅薄膜和金属铝膜过程中，最高温度不超过150℃，采用廉价的玻璃衬底即可，多晶硅薄膜制备工艺中温度低，可大大降低能耗。
一种多晶薄膜材料制备方法

[发明专利]一种结晶硅薄膜的制备方法-CN200710152024.9无效
发明人：李德杰 -专利权人：李德杰
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种结晶硅薄膜的制备方法，属于薄膜和太阳能利用技术领域。该方法依次包括：在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上沉积一层金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜，继续沉积一层非晶硅薄膜或含氢非晶硅薄膜；将得到的沉积有上述薄膜的玻璃在真空条件下进行退火，退火温度控制在400℃到600℃之间，金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜将扩散到非晶硅或含氢非晶硅薄膜的上面，同时诱导非晶硅或含氢非晶硅薄膜转换为结晶硅薄膜，用酸腐蚀掉铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜，得到在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上的结晶硅薄膜
一种结晶薄膜制备方法

[发明专利]一种铁硅铝复合磁粉芯及其制备方法-CN201810378830.6在审
发明人：瞿德林;王久如;王晓祥;李丛俊 -专利权人：天长市中德电子有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁硅铝复合磁粉芯，其原料包括：铁硅铝磁粉芯、铁基非晶磁粉芯、脱膜剂、粘接剂。本发明还提出铁硅铝复合磁粉芯的制备方法，包括如下步骤：将Si、Al、Ti、Fe，加入真空炉中熔炼后，浇成铸锭，在氮气气氛下经破碎、球磨、过筛制得铁硅铝磁粉芯；将铁基非晶薄带脆化处理后，在氮气气氛下经球磨、过筛制得铁基非晶磁粉芯；将铁硅铝磁粉芯和铁基非晶磁粉芯中加入脱膜剂及粘接剂混合均匀，模压成型制得胚体后，经热处理制得铁硅铝复合磁粉芯。本发明制得铁硅铝复合磁粉芯的磁导率高和磁芯损耗小，综合性能优异。
复合磁粉芯铁硅铝铁硅铝磁粉芯铁基非晶磁粉芯脱膜剂粘接剂过筛球磨制备铁基非晶薄带热处理磁芯损耗脆化处理模压成型综合性能磁导率真空炉熔炼胚体铸锭破碎

[发明专利]干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法-CN201310111724.9无效
发明人：钱隽;史伟民;廖阳;李季戎;王国华;周平生 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再刻蚀去铝。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池制备。
刻蚀步法诱导非晶硅晶化薄膜方法

[发明专利]铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法-CN201310181115.0无效
发明人：史伟民;钱隽;金晶;李季戎;廖阳;王国华;许月阳 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用，在低温下通过两步退火法，将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜，以减少金属沾污。其主要技术方案是：首先在玻璃上作为生长衬底，后续依次制备非晶硅、二氧化硅及铝膜，形成多重界面的结构。然后，进行两步退火，先进行快退，后续将样品置退火炉中进行慢退火、再腐蚀去铝，并用氮气吹干。最后可制得铝诱导晶化的多晶硅薄膜，晶粒大小约为50-200nm。本发明可有效缓解金属诱导晶化（MIC）技术中，金属污染，适用于场效应晶体管和薄膜太阳能电池等光电器件制备。
低温诱导非晶硅薄膜化为多晶方法

[发明专利]一种大块铝基非晶/纳米晶复合材料及其制备方法-CN201210593276.6无效
发明人：杨滨;张涛;卓龙超;王西涛 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明属于非晶材料制备领域，具体涉及一种大块铝基非晶/纳米晶复合材料及其制备方法，尤其涉及采用喷射沉积成形法制备大块铝基非晶/纳米晶复合材料的方法。所述材料由铝、硅、镍、钴、钇、镧组成，各组分的原子百分比为：铝86%、硅0.5%、镍4.06%、钴2.94%、钇6%、镧0.5%，其具有纳米晶α-Al与非晶基体组成的复合结构。所述复合材料具有非晶/纳米晶复合结构，其力学性能优异；突破了现有技术中该材料制备尺寸上的瓶颈，其宏观尺寸可以达到200mm，适于工业化应用；此大块铝基非晶/纳米晶复合材料的制备工艺简单、便于操作，有利于工业推广
一种大块铝基非晶纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]漂移型非晶硅光电阴极-CN90109222.3无效
发明人：海宇涵;陈远星;臧宝翠 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1990-11-19 - 公布日： 1994-04-13 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：漂移型非晶硅光电阴极是在基片1上涂复透明导电膜2，在透明导电膜2上沉积n型和p型非晶硅膜，在P型非晶硅膜4上蒸涂铝或银膜，在铝或银膜5上复盖铯氧敏化层。本发明量子效率容易超过扩散型非晶硅光电阻极两个数量级，可用在光电倍增管，象增强管等光电器件中。
漂移型非晶硅光电阴极

[发明专利]一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法-CN201110027087.8有效
发明人：贾德昌;叶丹;杨治华;段小明;周玉;孟庆昌;张培峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制、产量低和成型过程伴有分解的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和金属铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、成型过程没有分解、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好
一种金属纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法-CN201110027089.7有效
发明人：贾德昌;叶丹;杨治华;段小明;周玉;孟庆昌;张培峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸块体陶瓷材料、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好
一种氮化纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种相变吸热模具及其应用-CN202110771255.8在审
发明人：况陈颖;甘章华;吴传栋;刘意;瞿赋;瞿新元;瞿彩虹;洪燕 -专利权人：黄石元祥模具材料有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01F27/08 文献下载
摘要：本发明提供的相变吸热模具，包括外壳和密封在所述外壳内的内芯；所述内芯为铝铜硅合金；以质量百分比含量计，所述铝铜硅合金中，铜为30～35％，硅为1～5％，余量为铝；所述外壳的熔点≥560℃。在本发明中，所述内芯密封于外壳内部，在合金铁芯进行晶化退火时，将相变吸热模具置于合金铁芯的水平面下，当合金铁芯发生晶化，放出大量非晶潜热时，相变吸热模具的内芯的铝铜硅合金将发生熔化，通过固液相变迅速吸收大部分非晶潜热，维持晶化退火温度，以有效解决大型非晶合金铁芯在真空炉内发生晶化退火时非晶潜热释放所导致的铁芯温度升高、磁导率下降的问题。
一种相变吸热模具及其应用

[发明专利]低温制造齐纳二极管工艺-CN201210034595.3有效
发明人：何志;周炳;季安;刘晓萌 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制造齐纳二极管工艺，包括以下步骤：在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅；通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口，并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽，清洗该硅槽上的光刻胶；在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜，并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜，其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层；在低温条件下退火条件下，使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜，在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶；清洗去除氧化硅层，残余的铝薄膜和非晶硅膜。
低温制造齐纳二极管工艺

[发明专利]黑色铝颜料及其制造方法-CN202080018772.1在审
发明人：川岛桂;长野圭太;濑户口俊一;鱼住嘉伸;中原知美 -专利权人：东洋铝株式会社;赤穗化成株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09C1/64 文献下载
摘要：黑色铝颜料具备片状的铝粒子和被覆铝粒子的被膜，被膜包含氧化钛层和非晶质硅化合物层，氧化钛层的组成满足TiOx(0.50≤x≤1.90)，非晶质硅化合物层包含硅氧化物、硅氢氧化物和硅水合物中的至少1种。
黑色颜料及其制造方法

[发明专利]一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710566633.2在审
发明人：姜礼华;谭新玉;肖婷;向鹏 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。
一种非晶碳薄膜单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

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