“非晶态铝”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果833713个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光电转换元件-CN201680052868.3有效
发明人：国吉督章;东贤一;神川刚;原田真臣;酒井敏彦;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
光电转换元件包括太阳能电池模块太阳光发电系统

[发明专利]一种铝基微/纳米多孔非晶合金材料及其制备方法-CN200810230098.4无效
发明人：何杰;赵九洲;兴成尧 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本发明属于多孔非晶合金材料设计与制备技术，具体为一种铝基微/纳米多孔非晶合金材料及其制备方法，主要解决①铝基非晶合金的压缩性塑性形变差，②泡沫金属铝强度低和耐蚀性差，③铝基微/纳米多孔非晶合金材料稀缺，首先，在快速冷却条件下铝基合金熔体发生快速凝固，获得含有微/纳米尺寸晶态粒子的铝基非晶合金基复合材料。其次，对非晶复合材料进行电化学腐蚀或化学处理，获得铝基微/纳米多孔非晶合金材料。本发明铝基微/纳米多孔非晶合金材料的几何形状取决于所需求的材料形式，可用作于吸波、减振降噪、吸音、电磁屏蔽、催化吸附、吸能缓冲等材料。
一种铝基微纳米多孔合金材料及其制备方法

[发明专利]具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料及其制备方法-CN202110839910.9有效
发明人：杨春明;周立海;胡玉娟;卞玉洁;任宇飞;张瑞娜;王传涛;闫挺;甄延忠;付峰 -专利权人：延安大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料，包括由晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS组成，其中非晶态NiMoS是由Ni(OH)2转化得到，晶态Ni(OH)2和非晶态NiMoS之间形成了协同催化界面。本发明还公开了一种具有晶态非晶态协同催化界面的电极材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，在钛网上制备原位生长的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体；步骤2，对步骤1得到的晶态Ni(OH)2纳米片前驱体进行钼硫化处理，制备得到晶态Ni(OH)2非晶态NiMoS具有协同催化界面的电极材料
具有晶态协同催化界面电极材料及其制备方法

[发明专利]一种改性非晶态镍合金催化剂的制备方法-CN200610165100.5有效
发明人：潘智勇;董明会;张晓昕;孟祥堃;慕旭宏;宗保宁;王宣 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： B01J23/883 文献下载
摘要：一种改性非晶态镍合金催化剂的制备方法，包括将金属镍、金属铝加热到熔融态、猝冷制备镍铝合金和抽提脱铝的步骤，其特征在于，还包括将抽提脱铝所得合金用去离子水洗涤至pH值为7～13，再与选自稀土金属、IIB、该方法制备的金属改性非晶态合金，金属助剂的保留率高，加氢活性和稳定性高。
一种改性晶态镍合金催化剂制备方法

[发明专利]一种Y型分子筛的合成方法-CN201210249568.8有效
发明人：鲍晓军;李铁森;刘海燕;范煜;石冈;袁珮;何盛宝;于建宁 -专利权人：中国石油大学(北京);中国石油天然气集团公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：该方法是以天然矿物作为分子筛合成的全部硅源和铝源，其中一种矿物为低硅结晶态天然矿物，另一种矿物为高硅非晶态天然矿物，所述低硅结晶态天然矿物经亚熔盐活化后形成活性硅铝酸盐，所述高硅天然矿物经热活化形成活性高硅矿物，将获得的活性硅铝酸盐和活性高硅矿物均匀混合，于水热条件下经老化和晶化，得到Y型分子筛。本发明可通过调节合成原料中两种矿物的比例调节分子筛产物的硅铝比。本发明扩展了分子筛材料制备的原料范围，大幅降低了分子筛的生产成本，生产过程更环境友好。
一种分子筛合成方法

[发明专利]激光热喷涂制备非晶铝涂层的快速冷却装置-CN201710241710.7有效
发明人：孔德军;章冬辉;宋仁国;王文昌;张静;闫保旭 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B23K26/34 文献下载
摘要：本发明涉及非晶喷涂技术领域，尤其涉及一种激光热喷涂制备非晶铝涂层的快速冷却装置,本发明的激光热喷涂制备非晶铝涂层的快速冷却装置，可以避免激光焊接、熔覆等过程中出现的变形、过烧等问题；极高的冷却速度(105K/s～106K/s)还可以有效地抑制液态金属在冷却过程中的形核和长大，从而得到非晶态固体；可以实时监测冷却温度，实现即时控制；冷却过程安全可靠无污染。
非晶快速冷却装置铝涂层热喷涂制备激光冷却过程冷却非晶态固体激光焊接即时控制喷涂技术实时监测液态金属有效地熔覆形核变形

[发明专利]一种非晶/晶体复合结构铝基合金的制备方法-CN201110057681.1无效
发明人：刘祖铭;黄立清;黄群;陈芝霖;张刘杰;李飞;刘咏 -专利权人：中南大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶/晶体复合结构铝基合金的制备方法。.％)，其中x＝1～4的铝基合金熔体快速凝固制备非晶态合金的过程中，对熔体凝固过程施加稳恒磁场作用，控制合金凝固组织结构的形成，得到非晶/晶体复合结构材料。所施加的稳恒磁场的强度为900Gs～1200Gs；所选用的合金成分为可形成完全非晶态组织的合金，按照名义成分配料后，经真空电弧熔炼或真空感应熔炼制备母合金，然后对熔体凝固过程施加稳恒磁场，并按照该合金熔体快速凝固制备非晶的制备工艺，制备非晶/晶体复合结构组织材料。本发明提出了一种直接制备非晶/晶体复合结构组织的方法，制备的非晶/晶体复合结构中晶体相分布均匀，制备过程不改变原有的制备工艺，工艺过程简单。
一种晶体复合结构合金制备方法

[发明专利]非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法-CN201210405847.9无效
发明人：史衍丽;余连杰;何雯瑾;邓功荣;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接其制备工艺步骤为衬底清洗、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属电极制备和封装测试；或者为衬底清洗、金属第二电极制备、制备非晶态碲镉汞薄膜、光敏面成型、金属第一电极制备和封装测试。本发明中的非晶态半导体材料对衬底无选择性，组成异质结的材料之间的晶格匹配性能较好，并具有显著的光电响应。
晶态碲镉汞硅异质结红外探测器及其制造方法

[发明专利]SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器及其制备方法-CN201711376686.4在审
发明人：余煜玺;刘熠新;余洪哿 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器设有非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷环片、非晶态SiCN陶瓷底座、贴片天线、耦合槽天线和空气谐振腔；所述非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷底座表面和非晶态SiCN陶瓷环片内表面涂有金属层，金属层形成谐振腔，贴片天线设在非晶态SiCN陶瓷压力片顶部，耦合槽天线设在谐振腔上表面，谐振腔通过耦合槽天线与贴片天线耦合，贴片天线与共面波导线耦合。
非晶态谐振腔陶瓷压力传感器贴片天线无线无源压力片耦合槽天线陶瓷底座陶瓷环片耦合金属层制备空气谐振腔波导线内表面上表面

[发明专利]非晶态软磁粉芯及其制备方法和应用-CN202010854915.4有效
发明人：郭峰;汪贤;付邦良;刘彬彬 -专利权人：昆山磁通新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶态软磁粉芯及其制备方法和应用。该制备方法包括步骤：将非晶态软磁粉末依次进行钝化处理和绝缘包覆处理，得到绝缘包覆粉末；将绝缘包覆粉末加热至预设温度，并将被加热的绝缘包覆粉末喷射沉积到成型模具中；其中，预设温度低于所述非晶态软磁粉末的晶化温度且≥非晶态软磁粉末的玻璃转化温度‑30℃，且低于非晶态软磁粉末的晶化温度。上述制备方法解决了高硬度、难变形的非晶态软磁粉芯的压制成型困难的问题，同时克服了大尺寸非晶态软磁粉芯需要高压力成型设备的问题，故而相比于传统的压制成型方法，上述制备方法制得的非晶态软磁粉芯的密度高，残余应力小，非晶态软磁粉芯的磁导率等磁性能明显改善，损耗低。
晶态软磁粉芯及其制备方法应用

[发明专利]大功率磁电机-CN95110702.X无效
发明人：朱少华 -专利权人：朱少华
申请日： 1995-04-07 - 公布日： 2000-03-01 - 主分类号： H02K1/02 文献下载
摘要：大功率磁电机，它涉及一种摩托车磁电机，该磁电机的转子飞轮上采用两端不开口的永磁材料，固定转子飞轮上的永磁材料及极靴采用非导磁性材料铝、铜或不锈钢固定桥固定，转子飞轮上的导磁磁路用超微晶或非晶态软磁合金材料辅助敷设，定子线圈铁芯均用超微晶或非晶态软磁合金材料制作。
大功率磁电机

[发明专利]形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置-CN201010106376.2无效
发明人：梅津畅彦;稻垣敬夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置，该方法包括步骤：在基板上形成非晶态半导体薄膜；通过将激光照射至非晶态半导体薄膜，在非晶态薄膜上选择性地进行热处理，并且使对应于照射区的非晶态半导体结晶，从而为每个元件区域局部地形成晶态半导体薄膜；以及检测晶态半导体薄膜的结晶度。该检测步骤包括步骤：通过将光照射至晶态半导体薄膜和非晶态半导体薄膜，获得基于结晶区和未结晶区之间的光相位差的光学阶差，以及晶态半导体薄膜的选分和晶态半导体薄膜的结晶度的控制二者或其中之一进行评价。
形成半导体薄膜方法检测装置

[发明专利]光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法-CN201110164384.7有效
发明人：殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光电探测叠层，包括m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度通过形成的高低交错能带的非晶态氧化物半导体的光电探测叠层，增强了光生电流，大大提高了光电效率。
光电探测半导体紫外探测器及其制造方法

[发明专利]高致密纳米金属材料的制备方法-CN200510037955.5无效
发明人：余新泉;张伟;郑臻 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： C22B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密纳米金属材料的制备方法，它首先是采用化学沉积技术制备出非晶态金属，然后采用分级热处理技术对非晶态金属进行晶化处理，所述的金属为镍或镍基合金，上述制备非晶态金属镍或镍基合金的方法采用下列步骤L，醋酸钠5－15g/L，丁二酸2－10g/L，碘化钾20－80mg/L，醋酸铅0.1－3mg/L，硫尿0.1－3mg/L，余为水，2)将配制的化学沉积溶液加热升温至75－95℃，然后将基体材料碳钢或铝置于化学沉积溶液中，即可在基体材料表面形成非晶态金属金属镍或镍基合金。
致密纳米金属材料制备方法

[发明专利]球形碳-铝复合材料-CN201110266238.5有效
发明人：吕英迪;邱少君;郑晓东;陈志强;李红丽;石强;唐望 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种球形碳-铝复合材料，是为了解决电爆炸制备的铝粉的双层核壳结构易与空气中的氧气和水反应问题。本发明的球形碳铝复合材料，其粒径为150-300nm，为非晶态碳层、氧化铝层和单质铝三层核壳结构。本发明主要用于炸药和推进剂。
球形复合材料