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[发明专利]一种铝合金防腐蚀处理方法-CN201610701577.4在审
发明人：包惠芳 -专利权人：包惠芳
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金防腐蚀处理方法，其步骤是首先在铝合金表面涂覆非晶态物质；然后采用离子注入方式注入非晶态物质形成不溶共络层；其次在铝合金表面形成金属氧化层，所述非晶态物质包括有有机化合物或无机氧化物。
一种铝合金腐蚀处理方法

[发明专利]一种铝锡合金轴瓦的制备方法-CN201710212343.8有效
发明人：周晓龙;李晓龙;王志勇;曹建春;黎敬涛 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：本发明公开一种铝锡合金轴瓦的制备方法，属于铝基轴瓦合金材料技术领域。本发明提出了一种包含熔炼、甩带、轧制等工艺的制备技术。主要通过熔炼和甩节来获得非晶态的铝锡合金，然后通过轧制与冲压成型来获得组织均匀、晶粒细小的铝锡合金轴瓦产品。该发明能够在现有设备组织生产，设备投入少；同时通过对轧制工艺的精准控制，能够获得晶粒细小、均匀的微观组织，提高了铝锡合金的耐磨性及综合性能的稳定性。
一种轴瓦合金制备方法

[发明专利]用于处理水处理残余物的方法和设备-CN202080039721.7在审
发明人：马克·罗素 -专利权人：亚地斯集团有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C04B7/32 文献下载
摘要：一种用于处理水处理残余物或其它富含非晶态氧化铝或氢氧化铝的废弃残余物以便用在水硬粘合剂制造中的方法，包括加热该残余物以除去水和氧化其中所含的有机材料，包括在加热过程中控制残余物温度，使得它们被加热到不高于800℃，更优选不高于650℃的温度，以保证WTR中的铝化合物，尤其是氧化铝和氢氧化铝保持在非晶态。
用于处理水处理残余物方法设备

[发明专利]一种半导体元件及其制备方法-CN201510629914.9有效
发明人：徐志波;周圣伟;程志青;王肖 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体元件，通过利用衬底上生长的金属保护层、金属氧化物保护层避免硅衬底表面非晶态层的形成；利用过渡层减小所述金属氧化物保护层与所述III‑IV族缓冲层的晶格差异，提高所述III‑IV族缓冲层的晶体质量本发明同时提出一种制备方法，该方法可以避免在硅衬底界面附近非晶态层的形成，避免裂纹的产生。同时充分利用PVD法沉积的高质量多层缓冲结构，及在其上生长氮化镓或铟镓氮或铝镓氮外延层，制作成发光二极管元件或晶体管元件。
金属氧化物保护层半导体元件非晶态层缓冲层制备发光二极管元件铝镓氮外延层硅衬底表面金属保护层晶体管元件缓冲结构晶格差异生长氮化镓硅衬底过渡层铟镓氮衬底多层减小沉积制作

[发明专利]SiC单晶低维纳米材料可控掺杂-CN200810086326.5无效
发明人：杨为佑;高凤梅 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种有机前驱体共热解实现SiC单晶低维纳米材料可控掺杂新方法，其包括以下具体步骤：(1)将两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例球磨混合均匀；(2)混合均匀后进行交联固化，得到非晶态固体；(3)将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中
sic 单晶低维纳米材料可控掺杂

[发明专利]一种具有耐蚀性的铁基非晶态软磁合金及其制备方法-CN201410266091.3有效
发明人：董晓源;吴雪源;许晓飞 -专利权人：河南中岳非晶新型材料股份有限公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01F1/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有耐蚀性的铁基非晶态软磁合金，其特征在于：按原子百分比计算，每摩尔合金中包括以下成分：Fe 76‑80% Si 6‑11% B 8‑15% Cr 0.5‑5% 其中Fe+Si+B+Cr=100%；按照以上配比的铁基非晶态软磁合金的磁饱和率和强度很好，同时的非晶态软磁合金成形性、形成能力和热稳定性能都较好，且合金的涡流损耗较低，合金的形成能力较强，增加了合金的非晶形成能力，提高了非晶态软磁合金的耐腐蚀性
合金软磁合金铁基非晶非晶态软磁合金耐蚀性非晶形成能力热稳定性能原子百分比耐腐蚀性涡流损耗成形性磁饱和配比制备

[发明专利]一种晶态-非晶态Bi-CN201910887832.2在审
发明人：刘建新;樊彩梅;李瑞;王韵芳;王雅文 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶态‑非晶态Bi
非晶态光催化固氮光催化剂同质结乙二醛晶态制备制备方法和应用五水硝酸铋乙二醇溶剂非晶态化简单安全制备过程副产物可重复水解法碳酸钾种晶催化剂合成引入环保表现

[发明专利]多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法-CN00816776.1有效
发明人：小川哲也;时冈秀忠;西前顺一;冈本达树;佐藤行雄;井上满夫;宫坂光敏;次六宽明 -专利权人：三菱电机株式会社;精工爱普生股份有限公司
申请日： 2000-10-06 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
多晶态硅膜制造方法装置以及半导体及其

[发明专利]核壳型非晶态金属氧化物吸附剂及其制备方法和应用-CN201310698212.7有效
发明人：王东君;沈军;李中华;安勇良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：壳型非晶态金属氧化物吸附剂及其制备方法和应用，本发明涉及一种非晶态金属氧化物吸附剂及其制备方法和应用。核壳型非晶态金属氧化物吸附剂由非晶态合金粉末利用水热法制备而成。方法：一、将氢氧化钠与水放入密闭式反应容器中，然后加入非晶态合金粉末进行反应，然后自然冷却至室温，得到反应产物；二、pH值调解至中性，然后静置分离得到固体产物，将固体产物烘干至恒重，即得到核壳型非晶态金属氧化物吸附剂核壳型非晶态金属氧化物吸附剂作为有毒Cr6+离子吸附剂用于吸附水中的有毒Cr6+离子。
核壳型非晶态金属氧化物吸附剂及其制备方法应用

[发明专利]一种非晶态夫西地酸的稳定方法-CN202210160976.X有效
发明人：田芳;高明;苏钰清 -专利权人：深圳市泰力生物医药有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶态夫西地酸的稳定方法。A、将夫西地酸与载体溶解于溶剂中；B、挥发溶剂以得到稳定的非晶态夫西地酸分散体；所述的载体为聚乙烯已内酰胺‑聚醋酸乙烯酯‑聚乙二醇接枝共聚物或尤特奇；所述的溶剂为水、甲醇、二氯甲烷、乙醇、丙酮、乙酸乙酯或任意组合本发明的非晶态夫西地酸分散体相比于非晶态夫西地酸，或结晶态夫西地酸具有更快的溶出速度。实施本发明能够实现夫西地酸更好的溶解和渗透。可明显改善制剂药动学行为，提高治疗效果。
一种晶态稳定方法

[发明专利]一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器及其制备方法-CN201510933266.6有效
发明人：刘东青;程海峰;张朝阳;郑文伟 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶态SiC薄膜的低功耗忆阻器，为由衬底、底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层组成的叠加结构，所述功能层为非晶态SiC薄膜，所述非晶态SiC薄膜的厚度为10nm～30nm本发明的制备方法，包括以下步骤(1)在衬底上制备底电极；(2)在所述底电极上通过射频磁控溅射方法制备非晶态SiC薄膜；(3)在所述非晶态SiC薄膜上通过金属掩模板用直流磁控溅射方法制备顶电极，即得到所述低功耗忆阻器
一种基于晶态 sic 薄膜功耗忆阻器及其制备方法

[发明专利]SmFeB系非晶态软磁合金材料及其制备方法-CN202010604968.0有效
发明人：张鹏 -专利权人：华麟津磁（天津）科技有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SmFeB系非晶态软磁合金材料，属于磁性材料的技术领域。本发明的SmFeB系非晶态软磁合金材料其是将包括Sm、Co、B、Si的Fe基合金通过熔炼并急冷形成非晶态软磁合金材料；所述Fe基合金中含有3.5~11.8at%的Sm，1.5~5.0at%的Co、5.8~15.0at%的B、5.0~15.0at%的Si，和60at%以上的Fe，还提供了上述SmFeB系非晶态软磁合金材料的制备方法。本发明的SmFeB系非晶态软磁合金材料具有较高的饱和磁感应强度和高磁导率，低的磁滞伸缩系数，在开关电源、通讯变压器、磁头以及磁传感器等元器件领域有良好的应用前景。
smfeb 晶态合金材料及其制备方法

[发明专利]非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法-CN202011366780.3有效
发明人：赵玉龙;庞星;张琪;赵星越 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法，所述非晶态二硫化钼柔性压力传感器，包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有电极和若干非晶态二硫化钼薄膜；所述电极与所述非晶态二硫化钼薄膜接触；其中，所述若干非晶态二硫化钼薄膜构成压力敏感元件。
晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法

[发明专利]球形拓扑结构的非晶态金属有机框架化合物、其作为回音壁式谐振腔的用途及激光器件-CN202011382637.3有效
发明人：高振华;许宝源;孙浩然;孟宪赓;杨硕;王雪;王子飞 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明涉及球形拓扑结构的非晶态金属有机框架化合物、其作为回音壁式谐振腔的用途及激光器件，该非晶态金属有机框架化合物是以4,4'‑二苯乙烯二羧酸为有机配体，通过锌离子化合物与腺嘌呤构成基本结构单元作为金属有机框架(MOFs)的结点，形成非晶态球形MOFs谐振腔。本发明还提供一种球形拓扑结构的非晶态金属有机框架化合物作为回音壁式谐振腔的用途，以及模式可调的高品质激光器件。本发明的球形拓扑结构的非晶态金属有机框架化合物作为WGM谐振腔，很好的解决了不光滑棱边带来的散射损耗高的问题，而且制备方法简单。
球形拓扑结构晶态金属有机框架化合物作为回音壁谐振腔用途激光器件

[发明专利]单原子原位负载非晶态氧化物陶瓷纳米纤维的制备方法-CN202210415413.0有效
发明人：刘一涛;石家军;刘华磊;丁彬;俞建勇 -专利权人：东华大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B01J23/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种单原子原位负载非晶态氧化物陶瓷纳米纤维的制备方法：将无机醇盐、螯合剂、醇溶剂混合搅拌，形成水解液前驱体；将无机金属盐溶液滴加到水解液前驱体中，同时敞口搅拌使其进行充分的水解缩聚，得到具有可纺性的无机溶胶；将可纺性无机溶胶依次进行静电纺丝、梯度煅烧，得到原子簇原位负载非晶态氧化物陶瓷纳米纤维；对原子簇原位负载非晶态氧化物陶瓷纳米纤维进行碱溶液喷雾刻蚀处理，最终得到单原子原位负载非晶态氧化物陶瓷纳米纤维。本发明通过原位负载和喷雾刻蚀得到的单原子原位负载非晶态氧陶瓷纳米纤维具有活性位点多、分散性好、负载量高和比表面积大的优点。
原子原位负载晶态氧化物陶瓷纳米纤维制备方法