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[发明专利]一种钙钛矿复合薄膜忆阻器及其制备方法-CN202310818743.9在审
发明人：裴逸菲;闫小兵;王雅红 -专利权人：河北大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿复合薄膜忆阻器及其制备方法。该忆阻器是在玻璃衬底上依次形成有ITO底电极、复合阻变层和TiN上电极；其中，复合阻变层是由下层的氧化钼和上层的甲胺铅碘复合而成。该忆阻器的制备方法包括清洗、干燥玻璃衬底；将ITO通过射频磁控溅射法溅射于玻璃衬底上形成ITO底电极；在ITO底电极上通过磁控溅射法生长氧化钼并用溶胶凝胶法以及后退火工艺生长甲胺铅碘；在甲胺铅碘薄膜上生长本发明提供的忆阻器使用了氧化钼和甲胺铅碘作为复合阻变层，性能表现良好，是一种存储性能更为稳定、耐久性强、应用前景更为广阔的存储器。
一种钙钛矿复合薄膜忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种氧化物忆阻器及其集成方法-CN201811555663.4有效
发明人：蔡一茂;方亦陈;王宗巍;凌尧天;肖韩;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种氧化物忆阻器及其集成方法，基于当前集成电路制造业标准CMOS后端工艺，通过专门设计的工艺流程来来实现氧化物忆阻器的制备，减小忆阻器对后端工艺的影响，以更好地兼容后端工艺。本发明使得在普通传统CMOS工艺线上制作忆阻器及其阵列成为可能。此外，忆阻器有助于研究阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经网络的研究有着重要意义。
一种氧化物忆阻器及其集成方法

[发明专利]一种线性缓变忆阻器及其制备方法-CN201610425841.6有效
发明人：杨玉超;王宗巍;殷明慧;张腾;蔡一茂;王阳元;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性缓变忆阻器及其制备方法，该忆阻器在电极和阻变材料的界面处插入了一层对离子扩散速率具有调制效应的扩散调制层，本发明使得忆阻器导电细丝的形成和熔断处的离子扩散速率可以通过插入的扩散调制层达到不同的调制效果，从而实现对忆阻器特性的优化，使器件展现出阻值连续线性变化且更趋近于生物突触的特性。
一种线性缓变忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种门控离子通道仿神经突触忆阻器及其门控调节方法-CN202211242393.8在审
发明人：孙华军;岳君林;邹岚清;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种门控离子通道仿神经突触忆阻器及其门控调节方法，该忆阻器自上而下包括上电极、阻变功能层和下电极，阻变功能层中的氧空位浓度先减少再增多，氧空位浓度的最小值出现在阻变功能层的中部区域；并且，在阻变功能层靠近下电极的边缘处，还存在金属纳米颗粒。本发明通过对忆阻器件结构、组成及调控方法进行改进，额外引入金属纳米颗粒，与现有的忆阻结构相比，实现了导电细丝水平和垂直方向皆可控；并且，本发明器件从结构上实现了神经突触结构的全模拟，功能上仿神经突触通过调节门控离子通道
一种门控离子通道神经突触忆阻器及其调节方法

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795555.2在审
发明人：李伟;赵昕;刘诚;袁余涵;伊海;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钛掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795808.6在审
发明人：李伟;陈鹏宇;刘诚;赵昕;袁余涵;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钽掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795348.7在审
发明人：李伟;伊海;袁余涵;赵昕;刘诚;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触氮氧化硅氧化铝掺银磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法-CN202210617553.6在审
发明人：庄静文;凌海峰;明建宇;杨威;解令海;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明是一种基于有机忆阻器的双向单极性调控方法，该调控方法以双向单极性电压调控有机忆阻器为对象，通过电压调控或者脉冲扫描诱导氧离子传输构建离子传导机制，实现双向单极性电压调控。本发明通过对无机阻变层与有机功能层氧离子输运的调控，得到一种双向单极性电压调控的忆阻器，该忆阻器基于氧离子的调制，可以通过简单的电压调控或者脉冲扫描方法精确调控功能层氧离子传输，从而构建离子传导机制，实现双向单极性调控通过提取出忆阻器的电导态，实现单极性多值存储；并可应用忆阻器模拟神经元突触的功能。
一种基于有机忆阻器双向极性调控方法

[发明专利]一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法-CN202110129845.0有效
发明人：郭新;邵哲元;黄鹤鸣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备领域，更具体地，涉及一种忆阻器组合式交叉阵列的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：(1)在衬底上依次沉积底部电极、阻变层和顶部电极，获得若干个单器件忆阻器；(2)对每个单器件忆阻器进行电预处理；(3)在衬底上沉积金属，通过金属使得单器件忆阻器之间连接，获得忆阻器交叉阵列本发明制备方法，采用光刻技术和物理或化学沉积技术首先制备大批交叉电极的忆阻器，并对每个器件进行电预处理，得到单器件的稳定状态，避免了由于电预处理的大电压带来的影响，器件结构简单、性能良好且稳定。
一种忆阻器组合式交叉阵列制备方法

[发明专利]忆阻存储器及其制造方法-CN201210306813.4有效
发明人：陈广龙;许毅胜;熊涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻存储器，采用氮化钛材料作为器件的下电极，氮化钛相对于铝能够承受更高的温度，能实现在较高高温环境下通氢气/氮气退火改善阻变材料的金属氧化物阻变特性和均匀性，从而能改善阻变材料的初始态形貌本发明忆阻存储器的下电极的氮化钛材料能同时作为CMOS工艺的内部金属互连层的材料，能实现和CMOS工艺集成。本发明还公开了忆阻存储器的制造方法。
存储器及其制造方法

[发明专利]忆阻器3D阵列架构及其制备方法-CN202111324977.5在审
发明人：刘毅;王宇;陈欣彤;闫宇;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法，属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元，电极包括顶电极和底电极，顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方，阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接，第n个阵列与第n‑1个阵列在竖直方向上错位连接本发明提出的忆阻器3D阵列架构，通过将忆阻器阵列展开成平面形式，以定点测试单个忆阻器；同时，新的结构有良好的散热效果，可以进行长时间、海量的多比特数据的交换。
忆阻器阵列架构及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米级单层Bi(1‑x)CaxFeO3‑x/2阻变膜忆阻器的制备方法-CN201610040620.7有效
发明人：李玉霞;窦刚;郭梅;于洋;李煜;孙钊 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米级单层Bi(1‑x)CaxFeO3‑x/2阻变膜忆阻器的制备方法，其运用阻变膜在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，并依靠其产生量的变化，以实现器件电阻变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺和改进阻变膜材料配方两方面着手省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、并选用金属离子化合价更高、陶瓷烧结温度更低的原料、采用更低的煅烧温度，以使Ca2+部分对Bi3+进行A位取代，以增加阻变膜内部晶格缺陷和空穴、增大了阻变膜层分子结构的不对称性等技术手段，简化了制备工艺、提高了生产效率、降低了生产能耗和生产成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
一种基于纳米单层 bi sub ca feo 阻变膜忆阻器制备方法

[发明专利]一种基于纳米级单层阻变膜的忆阻器制备方法-CN201711221184.4有效
发明人：窦刚;郭梅 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米级单层阻变膜的忆阻器制备方法，其运用阻变膜在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，并依靠其产生量的变化，以实现器件电阻变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺和改进阻变膜材料配方两方面着手：省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、并选用金属离子化合价更高、陶瓷烧结温度更低的原料、采用更低的煅烧温度，以使Ca2+部分对Bi3+进行A位取代，以增加阻变膜内部晶格缺陷和空穴、增大了阻变膜层分子结构的不对称性等技术手段，简化了制备工艺、提高了生产效率、降低了生产能耗和生产成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。
一种基于纳米单层阻变膜忆阻器制备方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202210883845.4在审
发明人：李祎;任升广;左文彬;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明中阻变层采用一种或者多种金属化合物，且金属化合价不低于该金属最高正化合价的三分之二，气体离子注入区域内的空位浓度呈梯度分布，使得在外加正负偏压的情况下，导电细丝的形成和断裂发生在空位浓度更低的一侧，极大降低导电细丝演变的随机性，提升忆阻器的一致性和擦写特性。本发明采用低能气体离子注入，在对阻变层不造成不可逆的损伤的前提下，在阻变层内产生一定浓度的空位；选取合适的注入能量、注入剂量和注入角度，可以在阻变层中引入呈现浓度梯度分布的空位，有效降低忆阻器的电初始化电压，改善忆阻器的一致性和擦写特性。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路-CN202310149554.7有效
发明人：杨玉超;张柏骏;袁锐;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路，包括基于易失性阈值阻变忆阻器的LIF电路和自适应控制电路，所述LIF电路由一个易失性阈值阻变忆阻器串联一个读出电阻1，再并联一个模拟膜电容的电容C1组成；利用易失性阈值阻变忆阻器的动力学行为模拟
基于易失性阈值阻变忆阻器自适应人工脉冲神经元电路