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[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110212116.1在审
发明人：赵诚勋;沈载星;崔世卿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文中提供的可以是存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括多个单元串、外围电路和控制逻辑。单元串中的每个单元串包括漏极选择晶体管、源极选择晶体管、和串联耦合在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。外围电路可以被配置为对从多个单元串之中选择的单元串执行编程操作和编程验证操作。控制逻辑可以被配置为在编程验证操作期间基于编程操作的进展程度与参考进展程度之间的比较，来控制外围电路升高多个单元串之中的至少一个未选择单元串的沟道电压。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法-CN202010823760.8在审
发明人：赵诚勋;沈载星;周瀚洙;蔡熙昶;崔世卿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本文可以提供一种半导体存储器装置和操作该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置可包括：存储块，其包括上页、中央页和下页；外围电路，其被配置为对存储块执行读操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路执行读操作，并且控制外围电路使得在读操作期间，基于所述多个页当中的所选页的位置，要施加到在第一方向上与所选页相邻设置的第一相邻页的通过电压不同于要施加到在第二方向上与所选页相邻设置的第二相邻页的通过电压。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]三维半导体存储器器件-CN201410696386.4有效
发明人：申有哲;金泓秀;沈载星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维半导体存储器器件。三维半导体存储器器件包括堆叠结构、垂直半导体图案、公共源极区以及阱拾取区。堆叠结构设置在第一导电类型的半导体层上。每个堆叠结构包括垂直地堆叠在彼此上的电极并在第一方向上延伸。垂直半导体图案穿过堆叠结构。第二导电类型的公共源极区设置在半导体层中。至少一个公共源极区设置在两个相邻的堆叠结构之间。至少一个公共源极区在第一方向上延伸。第一导电类型的阱拾取区设置在半导体层中。至少一个阱拾取区邻近至少一个堆叠结构的两端。
三维半导体存储器器件

[发明专利]包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法-CN200910166990.5有效
发明人： 沈载星;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法。在一种半导体器件及形成该器件的方法中，该半导体器件包括在水平方向延伸的由半导体材料制成的基板。在该基板上提供多个层间电介质层。提供多个栅极图案，每个栅极图案位于相邻的较低层间电介质层与相邻的较高层间电介质层之间。由半导体材料制成的竖直沟道在竖直方向延伸并穿过该多个层间电介质层和该多个栅极图案，位于每个栅极图案和竖直沟道间的栅极绝缘层使栅极图案与竖直沟道绝缘，竖直沟道在包括半导体区域的接触区接触基板。
包括竖直立柱存储器件制造操作方法

[发明专利]利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件-CN200810185638.1有效
发明人：薛钟善;申有哲;沈载星 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。
利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性非易失性存储器

[发明专利]具有多层掺杂层的电荷陷阱存储单元和利用该存储单元的存储阵列及其操作方法-CN200610004708.X有效
发明人： 沈载星;朴炳国;李钟德;金桢雨 -专利权人：财团法人SEOUL大学校产学协力财团;三星电子株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的正孔注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。
具有多层掺杂电荷陷阱存储单元利用阵列及其操作方法