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[发明专利]晶体管结构-CN202310012063.8在审
发明人： R·M·奎达什;M·M·拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管结构。本发明涉及用于晶体管的晶体管结构，晶体管结构可包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区以及位于该第一源极‑漏极区与该第二源极‑漏极区之间的与栅极结构重叠的沟道区。晶体管结构能够形成在第一掺杂类型的阱中。具有该第一掺杂类型的隔离结构能够形成在该阱内。用于源极‑漏极区中的每个源极‑漏极区的第二掺杂类型的轻掺杂的注入区能够形成在该阱内并且与隔离结构分离。该第一掺杂类型的重掺杂的表面注入区能够跨该阱的表面延伸并且覆盖每个源极‑漏极区的该轻掺杂的注入区。该表面注入区能够跨晶体管结构通过图案化或通过毯式注入方法形成。
晶体管结构

[发明专利]用于掩埋沟道转移门的设备和方法-CN201710424843.8有效
发明人： D·泰克莱布;M·M·拉曼;E·G·史蒂文斯;B·P·班纳彻沃兹;R·M·奎达什;V·克洛伯夫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及用于掩埋沟道转移门的设备和方法。本发明公开了一种图像传感器像素，该图像传感器像素可包括光电二极管、浮动扩散部和转移门。可在该转移门下方形成掩埋沟道。该掩埋沟道可从浮动扩散部延伸以与该转移门的一部分重叠，而没有完全在该转移门下方延伸或到达光电二极管。该掩埋沟道可为来自光电二极管的抗饱和电流提供到达浮动扩散部的路径，同时允许该转移门关闭电压保持足够高以防止转移门暗电流流入该光电二极管中。
用于掩埋沟道转移设备方法

[发明专利]用于在背照式高动态范围图像传感器像素中提高全局快门效率的方法和电路-CN202010527357.0在审
发明人： D·杨;S·韦利奇科;B·P·班纳彻沃兹;T·格蒂斯;M·M·拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及用于在背照式高动态范围图像传感器像素中提高全局快门效率的方法和电路。本发明提供了一种图像传感器，该图像传感器可包括图像传感器像素阵列。阵列中的每个像素可以是全局快门像素，该全局快门像素具有被配置为捕获场景信息的第一电荷存储节点和被配置为捕获由于杂散光和暗噪声信号而产生的背景信息的第二电荷存储节点。该第一电荷存储节点和/或该第二电荷存储节点可各自设有溢出电荷存储装置，以提供高动态范围(HDR)功能。可以从该场景信息中减去该背景信息以抵消期望的背景信号贡献并获得具有高全局快门效率的HDR信号。
用于背照式高动态范围图像传感器像素提高全局快门效率方法电路

[发明专利]带槽的油膜止推轴承-CN96199566.1无效
发明人： M·M·拉曼;H·利约索尔德;W·克拉克 -专利权人：海门科技公司
申请日： 1996-10-08 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： F16C33/10 文献下载
摘要：两个止推轴承面被轴承流体隔开并可相对旋转。两个轴承面中的一个限定多个从轴承面的一内径(124)向一外径(126)延伸的连续的槽间面(122)。相邻的槽间面在它们之间限定一连续的槽(128)，该连续的槽具有一在轴承面的一内径内的未划分部分(130)和在轴承面的一外径内的划分部分(132)。连续的槽在划分部分(132)由一中间槽间面(134)所划分，中间槽间面位于相邻的连续的槽间面(122)之间。连续的槽(128)上的划分部分(132)以不间断的方式与未划分部分连通。
油膜轴承