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[发明专利]一种铌酸钠柱状粉体及其陶瓷的制备方法-CN201811539484.1在审
发明人：刘亮亮;蒋海炜;郭壮壮;王永强;张拯 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠柱状粉体及其陶瓷的制备方法，属于无铅功能陶瓷制备技术领域。包括以下步骤：（1）原料混合；（2）制备铌酸钾前驱物；（3）制备铌酸钠的原料混合物；（4）制备铌酸钠柱状粉体。本发明制备的铌酸钠颗粒保持了前驱物的各向异性形貌，制得的铌酸钠微晶粉体长约5～25微米，直径约0.5～2微米、长径比大于10，微晶粉体颗粒均匀、分散性好。采用上述铌酸钠柱状粉体制备了铌酸钠陶瓷，所得铌酸钠陶瓷的体积密度为4.38g/cm³，晶粒尺寸较小，为0.2～0.6微米，居里温度为271℃。本发明工艺过程易于控制且产品的重现性和稳定性好，所得粉体具有高的形貌各向异性，且能够制备出致密的铌酸钠无铅铁电陶瓷。
铌酸钠制备制备铌酸柱状粉体形貌铌酸钠陶瓷微晶粉体前驱物陶瓷制备技术领域致密原料混合物分散性好粉体制备工艺过程功能陶瓷原料混合晶粒长径比电陶瓷重现性粉体无铅柱状

[发明专利]铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷的制备方法-CN200910021832.0无效
发明人：樊慧庆;刘来君;陈秀丽;柯善明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷的制备方法，将分析纯级五氧化二铌、碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛、三氧化二铋，化学计量比为(1-x)[(Na_0.5Bi_{0.5Na_0.5)TiO₃]，其中：0.005＜x＜0.9配料，经过高能球磨混料、预烧、冷等静压成型、高温烧结、打磨抛光以及溅射金电极工序，最终制备铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷。由于对铌酸钠钾-钛酸铋钠固溶体体系进行高能球磨和无压烧结，制备出了纳米级的铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷，陶瓷的晶粒尺寸由现有技术的1～5微米减小到88～93纳米。}
铌酸钠钾钛酸铋钠纳米陶瓷制备方法

[发明专利]一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷及其制备方法-CN202110911722.2有效
发明人：白一甲;程啟祥;孟利艳;张安荔;李晶 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种钒掺杂铌酸钠压电陶瓷，属于介电陶瓷材料技术领域。本发明的钒掺杂铌酸钠压电陶瓷具有式1所示结构：NaNb1‑xVxO3式1，其中，0x≤0.15；所述钒掺杂铌酸钠压电陶瓷为钙钛矿晶体结构。本发明通过在Nb格位引入V5+离子，实现了更强的NbO6八面体非心对称畸变，进而有效地提升了材料的本征自发极化强度，提高了铌酸钠钙钛矿氧化物陶瓷材料的介电
一种掺杂铌酸钠压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202210146594.1在审
发明人：沈波;曹英博;林锦锋;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有良好工艺容忍性的高压电及高介电性能的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法与应用，其中铌酸钠基陶瓷材料的化学通式为(0.90‑x)NaNbO3‑0.10Babase:Sub>0.3)O3‑xNaSbO3，其中0.01≤x≤0.02；制备方法包括：将钠源、铌源、锑源、钡源、钛源、锡源混合后，依次进行初次球磨、煅烧、二次球磨、烘干、造粒、压制成型、排胶、烧结后，即得到所述的铌酸钠基陶瓷材料。与现有技术相比，本发明所制备的新型铌酸钠基陶瓷具有优异的压电性能，压电系数可达361pC/N，介电常数可达到4500，因此在电声器件和医疗超声器件方面有很好的应用前景；同时本发明能够在较宽的烧结温区制备高压电性能及高介电常数的新型铌酸钠基陶瓷
一种具有良好工艺容忍高压电高介电性能铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]铌酸钠粉末、铌酸钠粉末的制造方法、板状颗粒、板状颗粒的制造方法和取向陶瓷的制造方法-CN201280024864.6有效
发明人：渡边隆之;斋藤宏;林润平;熊田伸弘 -专利权人：佳能株式会社;国立大学法人山梨大学
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明提供含有铌酸钠的取向陶瓷及其原料的制造方法。具体地，提供铌酸钠粉末，包括具有0.1μm‑100μm的平均边长的立方形铌酸钠颗粒，该立方体的至少一面包括假立方表示法中的(100)面，其中该铌酸钠粉末具有钙钛矿单相结构。
铌酸钠粉末制造方法颗粒取向陶瓷

[发明专利]一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法-CN201110425711.X无效
发明人：黄延民;刘来君;史丹平;吴爽爽;郑少英 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法。铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷的组成式为：(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrMnO3，其中0.01≤x≤0.2，式中x表示相应的组分的摩尔数。采用钙钛矿型的锰酸锶(SrMnO3)作为烧结助剂，可以在晶界形成液相，加速了传质过程，得到了致密铌酸钠钾-锰酸锶[(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrMnO3]陶瓷，同时也提高了其压电常数。本发明采用将原料球磨4～24小时，然后以3～5℃/min的升温速率升温至800～1000℃预烧2～8小时；以4～8℃/min的升温速率升温至1000～1200℃烧结2～8小时得到铌酸钠钾-锰酸锶[(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrMnO3]陶瓷。本发明通过掺杂锰酸锶助烧剂后的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷，其压电常数从纯的铌酸钠钾的118pC/N提高到250pC/N。
一种铌酸钠钾锰酸锶陶瓷及其制备方法

[发明专利]铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷的制备方法-CN201010223390.0无效
发明人：刘来君;吴枚霞;杨曌;方亮;胡长征 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷的制备方法。铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷，含有五氧化二铌、碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛、三氧化二铋，化学计量比为(1-x)[(Na0.5K0.5)NbO3]-x[(Bi0.5K0.5)TiO3]，其中：0.1＜x＜0.9，经过配料、高能球磨混料、预烧、冷等静压成型、高温烧结、打磨抛光以及溅射金电极工序，最终制备铌酸钠钾-钛酸铋钾纳米陶瓷。本发明还公开了上述由于采用了不同的元素配比，有效的改变了陶瓷的晶粒尺寸，制备出从微米级到纳米级一系列的电子陶瓷，从而也制备了不同压电和介电性能的电子陶瓷。
铌酸钠钾钛酸铋钾纳米陶瓷制备方法

[发明专利]一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法-CN202210648728.X有效
发明人：南策文;杨乐陶;孔曦 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法，铌酸钠基陶瓷材料的化学式为：(Na1‑2xBix)(Nb铌酸钠基陶瓷材料实现了高效的储能特性，通过掺杂钽改性后，提高了陶瓷晶粒和晶界的电阻率，减小了陶瓷在高电场下的漏电流，提高了陶瓷的击穿场强、能量密度和能量效率。
一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铌酸钠粉末及其制备方法、陶瓷制备方法及压电元件-CN201380026106.2有效
发明人：柳渕智彰;飨场利明;伊福俊博;久保田纯;渡边隆之;吉田达雄;林润平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：一种铌酸钠粉末，包括形状为长方体、侧边平均长度为0.1μm以上、100μm以下的铌酸钠颗粒，其中，每个铌酸钠颗粒的至少一面是拟立方晶体表示法的(100)晶面，铌酸钠粉末的含水量为0.15质量％以下。提供一种使用铌酸钠粉末制备陶瓷的方法。铌酸钠粉末的制备方法包括：在超过0.1MPa的压力下保持包含铌成分和钠成分的水性碱分散液的步骤，在保持后将固体物质与水性分散液分离的步骤，以及在500℃至700℃热处理固体物质的步骤。
铌酸钠粉末及其制备方法陶瓷压电元件

[发明专利]一种利用镁改性铌酸钠陶瓷氧离子电导性能的方法-CN202010698050.7在审
发明人：刘智勇;徐帅昌;张安;卢金山;谢兵 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用镁改性铌酸钠陶瓷氧离子电导性能的方法其是由传统固相烧结工艺制备而成，利用低价镁离子置换铌酸钠中的铌离子使材料产生氧空位缺陷，从而诱导产生氧离子电导性能。由于镁离子半径比铌离子半径大，增大了氧离子迁移路径中的间隙rc，有利于氧离子的迁移，从而降低活化温度，在中温(600℃)获得高电导率的氧离子电导陶瓷(σ＝2.0本发明提出的铌酸钠基钙钛矿陶瓷在中温区域表现出良好的氧离子电导性能，并且制备工艺简单，经济合理，适合工业化生产，在新能源材料领域具有广阔的应用前景。
一种利用改性铌酸钠陶瓷离子电导性能方法

[发明专利]一种铌酸钠基无相变电介质陶瓷材料、其制备方法及其用途-CN202310772855.5在审
发明人：刘宏波 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开一种铌酸钠基无相变电介质陶瓷材料、其制备方法及其用途，铌酸钠基无相变电介质陶瓷材料，其结构通式为aNaNbO3‑bSrO‑cFe2本发明铌酸钠基无相变电介质陶瓷材料，随着Sr、Fe含量变化，实现了剩余极化趋于零、极化‑电场线性响应，介电峰降低最终消失，具有介电常数大、介电损耗低、高温容温变化率稳定等优点，可用于陶瓷电容器和MLCC
一种铌酸钠基无相变电介质陶瓷材料制备方法及其用途

[发明专利]一种高性能铌酸钠介电陶瓷粉体的制备方法-CN201510896898.X在审
发明人：朱孔军;古其林;孙巧梅;王婧;刘劲松;裘进浩 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种在低温溶剂热条件下合成立方相铌酸钠纳米陶瓷粉体的方法，包括称取有机溶剂制备反应溶液的步骤、加入五氧化二铌的步骤、进行水热反应的步骤、洗涤烘干的步骤。通过该方法制得的铌酸钠粉体具有立方相结构和纳米级尺寸，烧结活性高；同时，烧结过程中还伴随着相变产生的晶格膨胀，可实现低温烧结，致密化程度高，室温介电常数显著增强。不仅提供了一种立方相铌酸钠纳米粉体的低温快速合成方法，同时还为解决铌酸钠基功能陶瓷烧结致密化问题提供了一种新的思路。
一种性能铌酸钠介电陶瓷制备方法

[发明专利]一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法-CN201510849715.9有效
发明人：侯育冬;朝鲁门;朱满康;郑木鹏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法，属于介电陶瓷材料领域。通过该方法实现纯铌酸钠陶瓷中反铁电相的稳定，在100kV/cm的高电场下也没有出现电场诱导的铁电相，同时材料具有低介电损耗(<2％)。制备方法：按摩尔计量比为Na:Nb＝1:1称取Na2CO3和Nb2O5，将两种原料放入球磨罐中球磨，无水乙醇做研磨介质；随后混料得到的粉体通过高能球磨法干磨得到铌酸钠纳米粉体，将得到的纳米粉体不加任何粘结剂的前提下直接加压成型后，1350～1375℃烧结成陶瓷体。本发明方法简单，能耗低；所制备铌酸钠陶瓷材料具有较稳定的反铁电性和低介电损耗。
一种稳定反铁电性低介电损耗铌酸钠陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种具有高饱和极化以及低剩余极化的无铅铌酸钠基反铁电陶瓷及其制备方法-CN201910204306.1有效
发明人：王根水;叶嘉明;陈学锋;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高饱和极化以及低剩余极化的无铅铌酸钠基反铁电陶瓷及其制备方法，涉及的无铅铌酸钠基反铁电陶瓷材料的化学组成为：(1−x)NaNbO3‑xCaSnO
一种具有饱和极化以及剩余无铅铌酸钠基反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法-CN202011080909.4有效
发明人：陈秀丽;史军彭;周焕福;张海林 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2020-10-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，组成式为(1‑x)[0.9 NaNbO3‑0.1Bi(Mgbase:Sub>3，x为摩尔百分比，0≤x≤0.40，本发明还公开了一种铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，包括所述的一种高储能、高效率的铌酸钠基陶瓷材料，还包括如下步骤：制备铌酸钠基陶瓷粉体；将铌酸钠基陶瓷粉料放入球磨罐中进行预定处理后，产物压成坯体进行预烧；预烧完成后将产物倒入球磨罐中再次进行预定处理，完成后将粉体用模具压成圆片；将圆片在马弗炉中按烧结条件进行烧结即可制备铌酸钠基陶瓷材料，通过引入强铁电体Bi(Mg2/3Ta1/3陶瓷材料的储能密度。
一种高储能高效率铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法

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