“金属类型”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1706753个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种内含屏蔽件的垂直类型高速连接器-CN202221536590.6有效
发明人：罗乐;蒋辉;朱江;刘兵 -专利权人：成都速易联芯科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内含屏蔽件的垂直类型高速连接器，包括垂直类型金属外壳、垂直类型绝缘本体、垂直类型金属端子、垂直类型齿形端子固定件和垂直类型屏蔽件，垂直类型绝缘本体组装进垂直类型金属外壳围成的容纳空间内，垂直类型金属端子固于垂直类型齿形端子固定件上。垂直类型齿形端子固定件呈齿形结构，垂直类型齿形端子固定件上还设有垂直类型屏蔽件避位槽，垂直类型金属接地端子穿设于垂直类型屏蔽件避位槽内。垂直类型屏蔽件两端对称设置有垂直类型接触部，垂直类型屏蔽件的两侧窄边各设有至少一个垂直类型卡位部，垂直类型齿形端子固定件、垂直类型金属端子与垂直类型屏蔽件一起组装进垂直类型绝缘本体内。
一种内含屏蔽垂直类型高速连接器

[实用新型]一种内含屏蔽片的垂直类型高速连接器-CN202221536644.9有效
发明人：罗乐;蒋辉;朱江;刘兵 -专利权人：成都速易联芯科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内含屏蔽片的垂直类型高速连接器，包括垂直类型金属外壳、垂直类型绝缘本体、垂直类型端子固定件、垂直类型金属端子和垂直类型屏蔽片，垂直类型绝缘本体组装进垂直类型金属外壳围成的容纳空间内，垂直类型金属端子固于垂直类型端子固定件上，垂直类型端子固定件、垂直类型金属端子与垂直类型屏蔽片一起组装进垂直类型绝缘本体内。本实用新型所提供的一种内含屏蔽片的垂直类型高速连接器，在解决了金属端子传输信号时造成的交互干扰的同时，又降低了生产的成本，降低了连接器的制造和组装工艺难度，增强了连接器的强度，使连接器中的端子传输信号更为稳定
一种内含屏蔽垂直类型高速连接器

[发明专利]超结结型场效应晶体管及其制作方法-CN202110274453.3在审
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结结型场效应晶体管，包括：漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，在第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有互相间隔的第一导电类型柱与第二导电类型柱，在第二导电类型柱的表面设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区内设有重掺杂的第二导电类型栅极，栅极金属与重掺杂的第二导电类型栅极连接，在第一导电类型柱的表面设有重掺杂的第一导电类型源极，源极金属与重掺杂的第一导电类型源极连接，栅极金属和源极金属之间设有隔离氧化层，栅极金属与重掺杂的第二导电类型栅极的接触面为第一上表面，源极金属与重掺杂的第一导电类型源极的接触面为第二上表面，所述第二上表面高于第一上表面。
超结结型场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]能实现电流双向流通的功率MOSFET器件及其制造方法-CN201510012655.5在审
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件及其制造方法，其元件区包括栅极金属区、源极金属区以及体极金属区，在源极金属区内包括源极金属以及元胞；元胞包括位于第一导电类型漂移区内上方的第二导电类型第一阱区、位于所述第二导电类型第一阱区内上方的第一导电类型注入区以及MOS栅结构；源极金属与第一导电类型注入区电连接，且第一导电类型注入区将源极金属与第二导电类型第一阱区隔离；体极金属区包括第二导电类型第二阱区以及体极金属，第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位，且第二导电类型第二阱区与体极金属电连接。
实现电流双向流通功率 mosfet 器件及其制造方法

[实用新型]能实现电流双向流通的功率MOSFET器件-CN201520016806.X有效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件，其元件区包括栅极金属区、源极金属区以及体极金属区，在源极金属区内包括源极金属以及元胞；元胞包括位于第一导电类型漂移区内上方的第二导电类型第一阱区、位于所述第二导电类型第一阱区内上方的第一导电类型注入区以及MOS栅结构；源极金属与第一导电类型注入区电连接，且第一导电类型注入区将源极金属与第二导电类型第一阱区隔离；体极金属区包括第二导电类型第二阱区以及体极金属，第二导电类型第二阱区与第二导电类型第一阱区等电位，且第二导电类型第二阱区与体极金属电连接。
实现电流双向流通功率 mosfet 器件

[发明专利]半导体装置-CN202110900149.5在审
发明人：骆冠宇;杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：示例性的半导体结构的制造方法包括接收集成电路布局，集成电路布局具有多个金属部件在金属层中。上述制造方法也包括基于尺寸准则，将金属部件分类为第一类型金属部件和第二类型金属部件，第一类型金属部件的尺寸大于第二类型金属部件的尺寸。上述制造方法还包括指定第一金属材料给第一类型金属部件，指定第二金属材料给第二类型金属部件，第二金属材料不同于第一金属材料。上述制造方法额外包括形成金属部件，嵌入于介电层内，每个金属部件具有各别指定的金属材料。
半导体装置

[发明专利]一种基于LIGBT的双栅控制采样器件-CN201910062231.8有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的双栅控制采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底金属电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第二金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体阴极区、第一个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体掺杂区、第二个第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第一金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
一种基于 ligbt 控制采样器件

[发明专利]模拟版图的金属走线方法、装置、设备及存储介质-CN202310573464.0有效
发明人：宋志勋;兰金保;张云福;陈建威;肖勇 -专利权人：深圳前海深蕾半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及芯片设计领域，公开了一种模拟版图的金属走线方法、装置、设备及存储介质，用于提高金属走线的连接效率。方法包括：创建图形交互窗口，并根据图形交互窗口生成走线类型选择框，其中，走线类型选择框中包括第一金属走线选择类型以及第二金属走线选择类型；创建自由函数集合，其中，自由函数集合包括：第一自由函数、第二自由函数以及主体自由函数；通过预设的目标设计软件选取待连接的初始金属走线，调用图形交互窗口，从走线类型选择框中确定目标金属走线选择类型；根据自由函数集合和目标金属走线选择类型，对初始金属走线进行自动连接，得到目标金属走线。
模拟版图金属方法装置设备存储介质

[发明专利]横向RC-IGBT器件及其制造方法-CN201810960333.7有效
发明人：杨珏琳 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。
横向 rc igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件-CN201910061974.3有效
发明人：李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于LIGBT的单栅控制电压电流采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、衬底电极、外延氧化层、第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阳极区、第一金属电极、第一导电类型半导体体区、氧化层、金属栅极、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体阴极区、第一导电类型半导体掺杂区、第二导电类型半导体掺杂区、第一导电类型半导体阴极区、第三金属电极、第四金属电极、第五金属电极、第二金属电极，器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。
一种基于 ligbt 控制电压电流采样器件

[发明专利]采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法-CN201210421076.2有效
发明人：徐承福;朱阳军;卢烁今;吴凯;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区。本发明所述半导体器件的背面采用Pb、Pt 或Ni金属淀积，形成金属硅化物，电阻率较低，有利于形成欧姆接触。
采用金属硅功率半导体器件结构制备方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制备方法-CN201510970419.4在审
发明人：曾勉;萧祥志;张盛东 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：CMOS器件包括依次层叠设置的基板、第一金属层、绝缘层及第一类型金属氧化物半导体层；还包括分别间隔设置在绝缘层上的第一、第二及第三金属部，第一及第二金属部间隔设置在第一类型金属氧化物半导体层两侧且均与第一类型金属氧化物半导体层接触；设置在第二金属部与第三金属部之间的间隙，以及邻近间隙的第二金属部及第三金属部上的第二类型有机半导体层；设置在第一金属部、第二金属部及第三金属部、第一金属部与第二金属部之间的第一类型金属氧化物半导体层、以及第二类型有机半导体层上的钝化层；设置在钝化层上且对应第二类型有机半导体层的第三金属层。
互补金属氧化物半导体器件及其制备方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物晶体管及静电保护架构-CN201010229351.1无效
发明人：吴炜 -专利权人：中颖电子有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物晶体管及静电保护架构，该横向扩散金属氧化物晶体管包括：第一类型衬底；栅极，形成于第一类型衬底上；第二类型轻掺杂区，形成于第一类型衬底中；第一类型高压阱区，形成于第二类型轻掺杂区中；第二类型高压阱区，形成于第二类型轻掺杂区中；第一类型衬底电极区，形成于第一类型高压阱区中；第二类型源极区，形成于第一类型高压阱区中；第二类型漏极区，形成于第二类型高压阱区中；衬底金属电极，直接与第一类型衬底电极区连接；源极金属电极，直接与第二类型源极区连接；漏极金属电极，直接与第二类型漏极区连接；栅极金属电极，直接与栅极连接。本发明可提高横向扩散金属氧化物晶体管的静电放电能力。
横向扩散金属氧化物晶体管静电保护架构

[发明专利]功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件-CN202211037095.5在审
发明人：吴左生 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件。该方法包括：提供设置有绝缘介质层的衬底，绝缘介质层中有间隔的第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽，第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的底部有高k栅介质层；形成金属层，金属层至少覆盖第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的侧壁及高k栅介质层；采用非金属材料与金属层反应形成至少覆盖第一类型栅沟槽的侧壁和高k栅介质层的第一功函数层；采用第一金属与功函数值大于第一金属的金属层反应形成功函数值小于第一功函数层，且至少覆盖第二类型栅沟槽的侧壁和高上述方法增大了金属功函数的可调范围，提升了金属功函数制程工艺的适用性。
函数制作方法金属栅极具有半导体器件

[发明专利]一种高压瞬态电压抑制二极管-CN201910742008.8有效
发明人：刘聪;孔谋夫;陈罕之 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：包括第一导电类型掺杂区，位于第一导电类型掺杂区下方的第二导电类型掺杂区，位于第二导电类型掺杂区下方的第二导电类型轻掺杂外延层，位于第二导电类型轻掺杂外延层之中、远离第二导电类型掺杂区一侧的梳状结构的第一金属阴极，完全覆盖第一金属阴极表面的第一导电类型注入区，与第二导电类型轻掺杂外延层肖特基接触的第二金属阴极，位于第一导电类型掺杂区上方的金属阳极。
一种高压瞬态电压抑制二极管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条