专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底及其制备方法-CN202010315433.1有效
  • 徐林 - 东华大学
  • 2020-04-21 - 2022-03-25 - G01N21/65
  • 本发明涉及一种基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底及其制备方法,基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底由高分子纳米碗和金属膜组成,金属膜覆盖在高分子纳米碗的内表面和外表面;基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底的增强因子为107~109,增强因子为相同浓度的染料溶液在有增强基底和无增强基底上拉曼信号强度的比值,有增强基底为基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底,无增强基底与有增强基底的区别仅在于其无金属膜;制备方法为:以高分子纳米碗为基底,在其上垂直溅射金属膜制得基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底。本发明的制备方法简单,制得的基于金属纳米碗表面增强拉曼散射基底增强效果显著。
  • 基于金属纳米表面增强散射基底及其制备方法
  • [发明专利]超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法-CN202310143477.4在审
  • 梁莹;孟铁军;项金根 - 深圳量旋科技有限公司
  • 2023-01-20 - 2023-04-11 - H10N60/01
  • 本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法,用于低成本地减小芯片串扰的效果。基底的制作方法包括:于芯片基底的主体上制作通孔;对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理,以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层,其中所述表面包括上表面和下表面;对经过膜层溅射处理的芯片基底的主体进行金属电镀处理,以形成填充于所述通孔的金属柱及覆盖于所述芯片基底的主体的上表面金属镀层;对经过金属电镀处理的芯片基底的主体的表面进行平滑处理,以去除所述芯片基底的主体的表面的所述金属膜层及所述芯片基底的主体的上表面的所述金属镀层,形成超导量子芯片的基底
  • 超导量子芯片及其基底制作方法
  • [发明专利]一种应用于X波段的低可观测天线-CN202010682628.X在审
  • 刘锦霖;金城;何仲夏;陈国胜 - 盛纬伦(深圳)通信技术有限公司
  • 2020-07-15 - 2020-09-22 - H01Q1/36
  • 本发明提供一种应用于X波段的低可观测天线,包括底层介质基底单元、上层介质基底单元以及设置在底层介质基底单元和上层介质基底单元之间的泡沫层,底层介质基底单元的下表面金属板,底层介质基底单元的上表面为周期排布的金属单元,上层介质基底单元的上下表面均为金属单元,底层介质基底单元上表面金属单元为切掉两个对角的矩形,底层介质基底单元上表面中心为矩形金属贴片天线,上层介质基底单元上下表面金属单元为沿对角线分布的弯折金属条,上层介质基底单元上下表面金属条中心均设置有至少一个贴片电阻。
  • 一种应用于波段观测天线
  • [发明专利]助粘剂-CN200680024702.7有效
  • H·J·巴尔斯 - 威士伯资源公司
  • 2006-03-29 - 2008-09-03 - C03C17/38
  • 本发明涉及一种制造在基底上沉积有金属镀层的无铜制品的方法,包括:提供基底;使所述基底表面和溶液接触,该溶液包括选自Ce、Pr、Nd、Eu、Er、Ga、W、Al、Mn、Mo、Sb、Te、La、Sm组成的组中的至少一种金属离子,或其混合物;以及在所述基底的所述表面上施加金属镀层。本发明的另一个实施方式涉及一种制造金属镀层的基底的方法:提供基底;使所述基底表面和溶液接触,该溶液包括选自上述所列组中的多于一种的金属离子的混合物;或者使所述基底的所述表面与多于一种溶液接触,每种溶液的至少一种金属离子选自同样的组;以及在所述基底的所述表面上施加金属镀层。此外,本发明涉及一种制造金属镀层的基底的方法,包括:提供基底;使所述基底表面与含有Bi金属离子的溶液接触,并在所述基底的所述活化表面上施加金属镀层。此外由所述任一方法获得的制品也被要求保护。
  • 助粘剂
  • [发明专利]石墨炔金属基底、用于制备石墨炔金属基底的载体及其制备方法-CN202310138325.5在审
  • 郭彦炳;潘传奇;张碧滦 - 华中师范大学
  • 2023-02-20 - 2023-05-26 - C23C26/00
  • 本发明公开一种用于制备石墨炔金属基底的载体、石墨炔金属基底及其制备方法,属于材料技术领域。该用于制备石墨炔金属基底的载体,所述载体包括铜筒和金属基底层,所述铜筒包覆于所述金属基底层的表面。该石墨炔金属基底,包括石墨炔层和金属基底层,所述石墨炔层中的石墨炔均匀生长于所述金属基底层的表面。该石墨炔金属基底的制备方法,包括以下步骤:S1、用铜筒包覆金属基底形成载体,将所述载体与丙酮、吡啶和四甲基乙二胺混合得到混合物,将所述混合物在40‑50℃下预热处理;S2、将预热后的混合物与石墨炔单体溶液混合并避光反应得到所述石墨炔金属基底该石墨炔金属基底,石墨炔在金属基底表面分布均匀,且质量较好。
  • 石墨金属基底用于制备载体及其方法
  • [发明专利]散热组件、其制备方法以及电子设备-CN201910272249.0有效
  • 贾玉虎 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2019-04-04 - 2021-03-02 - H05K7/20
  • 本申请实施例提供了一种散热组件、其制备方法以及电子设备,其中散热组件可以包括导热基底金属基底层、散热片以及位于散热片与金属基底层之间的导热介质。导热基底具有第一表面以及与第一表面相互背离的第二表面金属基底层形成于第一表面。散热片与金属基底层间隔设置,散热片与金属基底层位于导热基底的同侧。制备时先在导热基底的第一表面形成金属基底层;将散热片焊接于金属基底层后在散热片与金属基底层之间设置导热介质。
  • 散热组件制备方法以及电子设备

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