[发明专利]超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法在审
| 申请号： | 202310143477.4 | 申请日： | 2023-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN115955906A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 梁莹;孟铁军;项金根 | 申请（专利权）人： | 深圳量旋科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 隋丹丹 |
| 地址： | 518048 广东省深圳市福田区福保街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法，用于低成本地减小芯片串扰的效果。基底的制作方法包括：于芯片基底的主体上制作通孔；对所述芯片基底的主体进行膜层溅射处理，以于所述通孔的内壁及所述芯片基底的主体的表面生长金属膜层，其中所述表面包括上表面和下表面；对经过膜层溅射处理的芯片基底的主体进行金属电镀处理，以形成填充于所述通孔的金属柱及覆盖于所述芯片基底的主体的上表面的金属镀层；对经过金属电镀处理的芯片基底的主体的表面进行平滑处理，以去除所述芯片基底的主体的表面的所述金属膜层及所述芯片基底的主体的上表面的所述金属镀层，形成超导量子芯片的基底。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 量子 芯片 及其 基底 制作方法 | ||
【主权项】：
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