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- [发明专利]光逻辑元件和光逻辑器件-CN97197285.0无效
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H·G·古德森;G·I·莱斯塔德;P·E·诺尔达尔
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奥普蒂科姆公司
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1997-06-12
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1999-09-08
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G02F3/02
- 一种光逻辑元件(OLE)，具体为多态、多稳态光逻辑元件，更具体为可近似寻址的光逻辑元件，其中包括能够从一种物理或化学态转变为第二种物理或化学态的光存储物质(1)。在层状的结构中或在这种结构上设置存储物质(1)，在层状的结构中或与之相邻设置产生磁场、电磁场、电场或给存储物质(1)提供能量的激励器(2)和用于探测存储物质在其物理或化学态下的有条件光响应情况的光探测器(3)，该光逻辑元件一种光逻辑器件，至少包括一个由光逻辑元件(OLE)构成的结构(S)，该结构(S)中每个逻辑元件(OLE)中的光存储物质(1)、激励器(2)和探测器(3)与该结构(S)中周围的逻辑元件(OLE)中的存储物质该结构(S)中的每个逻辑元件(OLE)在存储物质(1)和激励器(2)间都具有一个单值的赋值，在存储物质(1)和光探测器(3)间也有一个赋值，用于单值探测，并且能够分别进行存取和寻址。光逻辑器件(OLD)中的结构(S)分别整体或部分地构成为光存储器、逻辑或算术电路和寄存器，或将它们组合构成光数据处理器。
- 逻辑元件器件
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202010385311.X有效
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张剑;徐晓俊;熊伟;陈华伦
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-05-09
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2023-03-24
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H01L21/336
- 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体制造领域，该方法包括在衬底上沉积多晶硅层，衬底包括存储器件区域和逻辑器件区域，存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构；通过光刻工艺定义出逻辑器件的N型掺杂区；根据N型掺杂区，对多晶硅层进行N型掺杂；沉积阻挡层，阻挡层用于保护多晶硅层；去除存储器件区域对应的阻挡层；去除闪存器件的栅极结构上方的多晶硅层、闪存器件结构以外的氧化物和氮化物；在多晶硅层形成逻辑器件的多晶硅栅；解决了闪存器件的制造过程中，存储区域外围电路区域中的多晶硅层容易被消耗，影响逻辑器件性能的问题；达到了提高逻辑器件中用于制作多晶硅栅的多晶硅层的稳定性的效果。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]硬件仿真工具、调试方法和存储介质-CN202310272072.0在审
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于佳奇;张玉田
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芯华章科技（北京）有限公司
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2023-03-17
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2023-08-15
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G06F11/26
- 本申请提供一种硬件仿真工具，包括：接口，用于与主机通信地连接；多个可编程逻辑器件，所述多个可编程逻辑器件包括第一可编程逻辑器件和与所述第一可编程逻辑器件连接的第二可编程逻辑器件，其中，所述第一可编程逻辑器件配置为形成第一调试模块、第一数据缓存和第一功能模块，所述第一功能模块对应于逻辑系统设计的第一部分，其中，所述第一调试模块配置为用于根据来自所述主机的第一调试命令使得所述第一功能模块在第一阶段内运行所述逻辑系统设计的第一部分并生成第一数据；所述第一数据缓存配置为用于根据所述第一调试命令截留所述第一数据；所述第一调试模块还配置为将截留的所述第一数据发送到所述第二可编程逻辑器件。
- 硬件仿真工具调试方法存储介质
- [发明专利]半导体器件和电路-CN201910909776.8有效
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廖忠志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-09-25
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2022-08-05
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H01L27/11
- 用于核心(逻辑)器件和SRAM器件的共同优化的结构和方法包括具有逻辑部分和存储器部分的半导体器件。在一些实施例中，逻辑器件设置在逻辑部分内。在一些情况下，逻辑器件包括单鳍N型FinFET和单鳍P型FinFET。在一些示例中，静态随机存取存储器(SRAM)器件设置在存储器部分内。SRAM器件包括设置在两个P阱区域之间的N阱区域，其中两个P阱区域包括N型FinFET传输门(PG)晶体管和N型FinFET下拉(PD)晶体管，并且其中N阱区域包括P型FinFET上拉(PU)晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件和电路。
- 半导体器件电路
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