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[发明专利]一种卷膜真空镀铝连续工作装置及其工作方式-CN201810639297.4在审
发明人：窦发军 -专利权人：安徽省通达包装材料有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开一种卷膜真空镀铝连续工作装置及其工作方式，包括放卷膜过渡箱、收卷膜过渡箱、真空箱、收卷辊、放卷膜过渡箱密封门、收卷膜过渡箱密封门、放卷辊；所述放卷膜过渡箱设置在真空箱一侧上方位置；所述收卷膜过渡箱设置在真空箱另一侧上方位置；所述收卷辊设置在真空箱内靠近收卷膜过渡箱一侧位置；所述放卷辊设置在真空箱内靠近放卷膜过渡箱一侧位置；所述放卷膜过渡箱密封门设置在放卷膜过渡箱与真空箱中间位置；所述收卷膜过渡箱密封门设置在收卷膜过渡箱与真空箱中间位置
过渡箱放卷膜收卷膜真空箱密封门放卷辊收卷辊连续工作装置上方位置真空镀铝卷膜间断生产生产效率传递

[发明专利]一种防霉高韧性装饰膜及其制备方法-CN202211432240.X在审
发明人：叶文进;吴艳;孔祥西;周旭英;申屠爽;孔爱娟;江彩虹;刘岗;朱有剑 -专利权人：浙江中盛新材料股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种防霉高韧性装饰膜及其制备方法，一种防霉高韧性装饰膜，包括：上PE膜层、上过渡膜层、PETG膜层、下过渡膜层、下PE膜层、粘黏层和离型纸层；上PE膜层、上过渡膜层、PETG膜层、下过渡膜层、下PE膜层、粘黏层和离型纸层依次层叠排布，采用共挤成型的方式制备为一个整体；上过渡膜层和下过渡膜层的材料均包括PE颗粒和PETG颗粒；上PE膜层和下PE膜层的材料均包括PE颗粒和抗氧化剂；PETG膜层的材料包括PETG颗粒和色母粒；PETG膜层的厚度大于上PE膜层、上过渡膜层、下过渡膜层、下PE膜层的厚度。本发明的有益效果是：可以较长时间保持装饰膜的颜色，减少颜色磨损，降低分层的可能性。
一种防霉韧性装饰及其制备方法

[发明专利]多层薄膜结构的形成方法及多层薄膜结构-CN201811438487.6在审
发明人：李众;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述多层薄膜结构的形成方法包括如下步骤：形成第一膜层；形成过渡层于所述第一膜层表面，所述过渡层包括沿垂直于所述第一膜层的方向交替堆叠、且通过化学键结合的第一过渡膜和第二过渡膜；形成第二膜层于所述过渡层表面；所述第一过渡膜、所述第二过渡膜的材料分别与所述第一膜层、所述第二膜层相同，且所述第一过渡膜与所述第二过渡膜之间无界面，以减小所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面应力。本发明有效降低了第一膜层与第二膜层间的界面应力，改善了半导体器件的良率。
第一膜层过渡膜多层薄膜结构膜层界面应力过渡层半导体制造技术半导体器件过渡层表面化学键结合交替堆叠减小良率垂直

[实用新型]掩膜板-CN201620809777.7有效
发明人：范波涛 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：支撑掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撑掩膜板上，所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应在本实用新型实施例提供的掩膜板中，通过所述精密掩膜板包括过渡区，所述过渡区中具有第一图案，所述第一图案包括通孔，即所述过渡区中存在镂空的部分，由此可以提高掩膜板的应力分散效果。进一步的，通过还包括支撑掩膜板，所述过渡区与所述支撑掩膜板对应，从而通过所述支撑掩膜板可以起到阻挡有机材料蒸镀到AMOLED显示面板的有源区(AA区)之间的过渡区的目的了。
掩膜板

[发明专利]掩膜板及其制作方法-CN201710368266.5有效
发明人：李春霞 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩膜板制作方法，包括：提供基板；在基板上形成导电的过渡层；在过渡层上形成绝缘的掩膜板定义层，掩膜板定义层上具有多个开口，以暴露出过渡层；以所述掩膜板定义层为掩膜，以掩膜板定义层上的多个开口暴露出的过渡层为电极，采用电铸工艺，在掩膜板定义层的开口内形成电铸膜；去除所述掩膜板定义层，保留电铸膜；采用机械剥离工艺，将所述电铸膜剥离所述过渡层，得到掩膜板；其中，电铸膜与过渡层之间的附着力，小于过渡层与基板之间的附着力，以及小于电铸膜与基板之间的附着力。本发明相较于现有技术，在将电铸膜剥离过渡层的过程中，减小了对电铸膜的损伤，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。
掩膜板过渡层电铸定义层附着力基板开口膜剥离电铸工艺机械剥离成品率暴露电极导电减小绝缘去除掩膜制作损伤保留申请

[发明专利]一种雾化芯的制备方法、雾化芯及电子雾化装置-CN202310591122.1在审
发明人：叶正全;肖小朋;李俊辉;聂革;赵贯云;赵波洋 -专利权人：深圳市吉迩科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：所述雾化芯的制备方法包括如下步骤：在雾化基体上溅射第一过渡膜；在第一过渡膜上溅射发热膜；在发热膜上印刷电路；在印刷电路后的发热膜上溅射第二过渡膜和/或抗氧化膜；所述抗氧化膜的材质为氧化铝、氧化硅、氧化钛在发热膜的一侧设置第一过渡膜，另一侧设置第二过渡膜或抗氧化膜，将发热膜包裹在中间，对发热膜起到保护作用，第一过渡膜、第二过渡膜和抗氧化膜本身具有良好的耐高温抗氧化和导热性能，可防止发热膜发生氧化反应，延长发热膜和雾化芯的使用寿命
一种雾化制备方法电子装置

[发明专利]用于防冰除冰的电加热单元-CN202010123688.8在审
发明人：白斌;曾飞雄;李志茂;毛汉冬;陈鹄;武东文 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B64D15/12 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于防冰除冰的电加热单元，其包括：基体，所述基体由绝缘材料构成；电加热膜，所述电加热膜位于所述基体的一表面上，所述电加热膜由合金材料构成并且包括至少两个加热条，在所述加热条的相邻端处具有拐角过渡区域；过渡膜，所述过渡膜由所述金属材料构成，所述过渡膜的形状与所述加热条的所述拐角过渡区域的形状相一致，并且所述过渡膜叠置在所述电加热膜的所述拐角过渡区域上。根据本发明，由于在电加热膜拐角位置处采用良好导体进行过渡的结构设计，由此在完成预定电流传输功能的同时，还有效地解决了电加热膜拐角位置因电流在电加热膜内部“抄近道”而导致局部加热不均、尤其是过热的问题。
用于除冰加热单元

[发明专利]LTCC基板及其制作方法-CN202110454433.4在审
发明人：戴前龙;王伟;张迪;吴申立 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种LTCC基板及其制作方法，其包括：衬底基板；设于所述衬底基板表面的过渡膜层，且所述过渡膜层与所述衬底基板处于同一水平面，所述过渡膜层的材质与所述衬底基板的材质共烧匹配；以及设于所述过渡膜层表面的金属膜层，所述金属膜层将所述过渡膜层完全覆盖且所述金属膜层与所述过渡膜层的边缘不重合。该LTCC基板通过在衬底基板和金属膜层之间增加过渡膜层，提高焊料与金属膜层的润湿性，改善了金属膜层可焊性的同时，不影响LTCC基板的整体性能，提高了LTCC基板封装的一致性和可靠性，且制作工艺简单，易于实现产业化
ltcc 及其制作方法

[实用新型]一种提高电池安全性能的隔膜-CN202021630942.5有效
发明人：朱一虎 -专利权人：广东嘉拓新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M50/411 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池隔膜技术领域，具体地说，涉及一种提高电池安全性能的隔膜，包括内置卷筒和套设在内置卷筒上的隔膜主体，隔膜主体由隔膜基体、第一过渡膜和第二过渡膜构成，隔膜基体位于最下层，隔膜基体与第一过渡膜之间设置有第一胶化微孔聚合物膜，第一过渡膜和第二过渡膜之间设置有多孔聚合物膜，第二过渡膜远离多孔聚合物膜的侧面上设置有第二胶化微孔聚合物膜，第二胶化微孔聚合物膜远离第二过渡膜的一侧表面设置有PE膜，内置卷筒上还设置有转轴，内置卷筒上还设置有安装底座
一种提高电池安全性能隔膜

[实用新型]一种方便加工的组合振动膜片-CN202123095905.6有效
发明人：吴少虎;李宝莹 -专利权人：深圳羽声电子有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H04R7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便加工的组合振动膜片，包括安装环，所述安装环内设有过渡膜，所述过渡膜内侧设有底膜，所述安装环与过渡膜之间设有用于安装环与过渡膜连接与安装的连接机构，所述过渡膜的内侧壁上设有多个周向设置的固定槽本实用新型通过设置安装环、过渡膜以及底膜等结构，将振动膜片拆分为多个部分进行组合，实现多个组合部件的分离生产并通过组合固定的方式进行连接与组装，避免了传动方式中的整体生产所为生产带来的难度，通过设置配合环、连接环、安装块以及安装块等结构，对安装环与过渡膜之间的连接与固定提供便捷的安装方式，同时为过渡膜提供一定的连接强度，保证振动膜片的质量。
一种方便加工组合振动膜片

[发明专利]一种保护膜收卷过渡辊-CN201810273038.4在审
发明人：沈国庆;杨猛;盛可加 -专利权人：芜湖夏鑫新型材料科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B65H23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护膜收卷过渡辊，包括设在收卷辊前方的过渡辊组，所述过渡辊组为并排设置的一组过渡辊，过渡辊组中包括过渡螺旋辊，所述过渡螺旋辊上设有将收卷保护膜向两侧具有一定张力的螺旋结构。该保护膜收卷过渡辊结构设计合理，过渡辊增设过渡螺旋辊，过渡螺旋辊上的两段螺旋槽向外延展，收卷的保护膜向两侧具有一定的张力，中间位置处不易出现褶皱，提高了保护膜收卷质量。
过渡辊保护膜收卷螺旋辊褶皱并排设置螺旋结构螺旋槽收卷辊两段延展增设

[实用新型]保护膜收卷过渡辊-CN201820438450.2有效
发明人：沈国庆;杨猛;盛可加 -专利权人：芜湖夏鑫新型材料科技有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： B65H23/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保护膜收卷过渡辊，包括设在收卷辊前方的过渡辊组，所述过渡辊组为并排设置的一组过渡辊，过渡辊组中包括过渡螺旋辊，所述过渡螺旋辊上设有将收卷保护膜向两侧具有一定张力的螺旋结构。该保护膜收卷过渡辊结构设计合理，过渡辊增设过渡螺旋辊，过渡螺旋辊上的两段螺旋槽向外延展，收卷的保护膜向两侧具有一定的张力，中间位置处不易出现褶皱，提高了保护膜收卷质量。
过渡辊保护膜收卷螺旋辊褶皱本实用新型并排设置螺旋结构螺旋槽收卷辊两段延展增设

[实用新型]消弱氢空界面腐蚀的膜电极结构及燃料电池-CN202221903919.8有效
发明人：侯金亮;丁铁新;高云庆;李飞强 -专利权人：北京亿华通科技股份有限公司
申请日： 2022-07-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种消弱氢空界面腐蚀的膜电极结构及燃料电池。其中，消弱氢空界面腐蚀的膜电极结构，包括膜电极空气侧和膜电极氢气侧；所述膜电极空气侧包括空气侧中部区域、空进过渡区和空出过渡区，所述空进过渡区和空出过渡区分别设置在空气侧中部区域两侧，所述膜电极氢气侧包括氢气侧中部区域、氢进过渡区和氢出过渡区，所述氢进过渡区和氢出过渡区分别设置在氢气侧中部区域两侧，所述空气侧中部区域、氢气侧中部区域、氢进过渡区和氢出过渡区均涂布催化剂，所述空进过渡区和空出过渡区均不涂布催化剂。
消弱氢空界面腐蚀电极结构燃料电池

[实用新型]离型膜输送装置-CN202120274988.6有效
发明人：蔡春华;何辉春;王立志 -专利权人：惠州市众力电子科技有限公司
申请日： 2021-01-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： B65H29/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及离型膜输送装置，包括：支撑架、第一输送台、第二输送台和过渡组件；第一输送台上设置有第一输送带，第二输送台上设置有第二输送带，过渡组件包括第一过渡片和第二过渡片。通过在第一输送带与第二输送带之间设置第一过渡片和第二过渡片，使得第一输送带上的离型膜能够沿着第一过渡片和第二过渡片输送至第二输送带，由于第一过渡片上开设气孔，气孔内吹出的空气使得离型膜脱离第一过渡片，避免了离型膜紧贴于第一过渡片以及第二过渡片的表面，使得离型膜能够高效地在第一过渡片和第二过渡片上输送，在第二过渡片设置向下倾斜的第一倾斜部，使得离型膜的输送更为高效，避免了离型膜从两个输送带之间掉落至地面。
离型膜输送装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710617030.0有效
发明人：张城龙;袁可方;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底和基底上的介质层，基底内有底层金属层；在介质层上形成有第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的顶层掩膜层；在顶层掩膜层上及第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽中形成过渡掩膜层；在过渡掩膜层中形成贯穿过渡掩膜层且延伸至第一掩膜沟槽的第一接触孔开口；在过渡掩膜层中形成贯穿过渡掩膜层且延伸至第二掩膜沟槽的第二接触孔开口；以过渡掩膜层为掩膜刻蚀第一接触孔开口和第二接触孔开口底部部分介质层；去除过渡掩膜层后，以顶层掩膜层为掩膜刻蚀介质层至暴露出底层金属层，在第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽底部的介质层中分别对应形成第一互联开口和第二互联开口。
半导体器件及其形成方法

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