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[实用新型]振动功能的鼠标垫-CN200920257070.X无效
发明人：王松 -专利权人：王松
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G06F3/039 文献下载
摘要：本案由操作面及其衬底物组成，其特征是，所述操作面与衬底物组成空芯壳体，在衬底物的底面固定有扬声器，并且，扬声器尾部的磁钢顶紧操作面的底面。
振动功能鼠标垫

[发明专利]保健功能的鼠标垫-CN200910213325.7无效
发明人：王松 -专利权人：王松
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G06F3/039 文献下载
摘要：本案由操作面及其衬底物组成，其特征是，所述操作面与衬底物组成空芯壳体，并且，在操作面的背面固定有磁铁。当手掌在操作鼠标时滑过磁场，从而实现本案目的，促进血液的循环。
保健功能鼠标垫

[发明专利]一种胃蛋白酶测定试剂盒及测定方法-CN201710724619.0有效
发明人：许元峰;袁新;吕怀谷;袁玲;赵静 -专利权人：厦门依柯利斯医疗科技有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01N33/577 文献下载
摘要：本发明公开了一种胃蛋白酶测定试剂盒及测定方法，该试剂盒包括试纸条和反应液；所述试纸条包括本体，该本体包括背衬底板，该背衬底板上设有样品结合垫、硝酸纤维素膜和吸水膜，该样品结合垫和吸水膜分别叠压在硝酸纤维素膜的两端上；该硝酸纤维素膜上设有检测线，该检测线包被有抗胃蛋白酶底物的单克隆抗体；所述反应液含有经标记的胃蛋白酶底物。本发明利用胃蛋白酶消化蛋白质的特性使底物失去反应原性的特点，通过检测被胃蛋白酶消化后剩余的具有反应原性的底物的量来间接定性和/或定量检测胃蛋白酶，具有灵敏度好、精密度高、易于操作的特点。
一种胃蛋白酶测定试剂盒方法

[实用新型]一种反应条件可控的CVD反应腔装置-CN201721440061.5有效
发明人：徐海涛;林娜;任琪欣;黄嘉曜;郑晓武;林芳;周伟鹏;张旗 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种反应条件可控的CVD反应腔装置，包括透明的反应腔外管，所述反应腔外管内部从一端向另一端依次设有可轴向移动的衬底物托架、第一反应物放置托架和透明的反应腔内管，所述反应腔内管内部设有第二反应物放置凹槽相对现有技术，本实用新型技术方案的反应条件可控的CVD反应腔装置能够使得生长衬底物位于最优的生长气氛中，从而有利于生长大面积的二维晶体材料。
反应腔反应条件可控的本实用新型衬底物反应物透明的内管托架外管可轴向移动二维晶体放置凹槽生长气氛生长

[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管-CN202310083670.3有效
发明人：彭聪;宋家琪;柴立元;梁彦杰;闵小波;彭兵;王海鹰;柯勇;刘相恒;刘振兴;周元;赖心婷 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，该方法包括步骤：S1.将层状纳米片转移至衬底材料，形成基底物；其中，层状纳米片的厚度为5nm~1μm，衬底材料包括沿衬底材料的厚度方向层叠设置的栅电极和介电层，层状纳米片位于介电层远离栅电极的一侧；S2.将孔状片体覆盖于基底物之上，在孔状片体上喷镀导电金属，以使层状纳米片上对应孔状片的孔洞位置处形成导电金属层，得场效应晶体管，导电金属层的数量至少为两个；其中
一种场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种基于有机光电化学晶体管的毒素传感器及其制备方法-CN201711464221.4有效
发明人：刘丹;林鹏;宋家俊;聂利富;柯善明;曾燮榕;郭九标;陈声 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机光电化学晶体管的毒素传感器及其制备方法，包括装有电解质溶液的电解池、设置在电解池内部的有机光电化学晶体管,所述有机光电化学晶体管包括衬底以及柵电极，所述衬底上设置有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极表面涂覆有有机半导体薄膜，所述柵电极上修饰有光活性材料及用于与毒素特异性作用的底物蛋白，所述底物蛋白的一端连接有金属纳米颗粒，所述底物蛋白的另一端与光活性材料连接，本发明所提供的毒素传感器具有极高的灵敏度和极低的检测极限
一种基于有机光电化学晶体管毒素传感器及其制备方法

[发明专利]分离和清洗工艺和系统-CN201510644491.8有效
发明人：施应庆;林俊成;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了用于分离和清洗衬底的方法和工具。方法包括：将第一衬底的表面从第二衬底分离；和在分离之后，清洗第一衬底的表面。清洗包括：使清洗机构与第一衬底的表面物理接触。工具包括：分离模块和清洗模块。真空系统配置为固定衬底和从第一卡盘去除衬底。清洗模块包括：第二卡盘、配置为向第二卡盘喷射流体的喷嘴和具有清洗器件的第二机械臂，第二机械臂配置为使清洗器件与第二卡盘上的衬底物理接触。
衬底卡盘机械臂清洗分离模块清洗工艺清洗模块清洗器件真空系统配置表面物理衬底分离发射辐射工具包括喷射流体清洗机构物理接触辐射源喷嘴去除

[发明专利]一种蚀刻液、一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法-CN202210601938.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种蚀刻液，蚀刻液组分包括硝酸、氢氟酸、乳酸和水；以及一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法，通过湿法腐蚀的方法可以快速去除碲锌镉衬底，碲锌镉衬底腐蚀速率可达500微米/分钟以上，并且本蚀刻液可以在2分钟内完全腐蚀掉碲锌镉衬底，并且会在碲镉汞过渡层上形成终止层，终止层只有数十纳米，再通过溴加氢溴酸的水溶液腐蚀去除终止层，腐蚀时间约10秒，最终得到光亮新鲜的碲镉汞表面。该方法可以快速去除900‑1000微米原生厚度的衬底，有效消除衬底物理减薄过程带来的损伤，保持碲镉汞红外探测器光电性能不受衬底减薄工艺的影响。
一种蚀刻碲镉汞红外平面混成芯片方法

[发明专利]用于分析物检测和分析的方法、装置和系统-CN202080036151.6在审
发明人：内森·贝克特;吉拉德·阿莫吉;内森·卡斯韦尔;雅各布·A·沃尔夫;克里斯托弗·巴比;丹尼斯·普里斯廷斯基;马克·普拉特;吉恩·波罗维;奥西普·施瓦兹;斯蒂芬妮·库贝奇卡;史蒂文·孟肯;约瑟夫·安东尼;何塞·马丁·索萨;菲利普·尤·辉·李 -专利权人：阿尔缇玛基因组学公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B21/26 文献下载
摘要：系统可包括开放衬底。开放衬底可被配置为旋转或以其他方式移动。开放衬底可包括单独可寻址位置的阵列，其中分析物固定在其上。可以在空间上对底物进行索引以识别来自一种或多种来源的核酸分子和/或其序列，以及各自的一种或多种来源。可将包含多个探针的溶液引导遍及阵列以将多个探针中的至少一个与分析物中的至少一个偶联以形成结合探针。检测器可被配置为通过扫描衬底来检测来自结合探针的信号，同时最小化衬底的温度波动或由气泡引起的光学像差。
用于分析检测方法装置系统

[发明专利]用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离-CN202210135751.9在审
发明人：马乐言;亚历山大·德里克森;J·R·霍尔特 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种横向双极结型晶体管(BJT)器件包括：发射极区、集电极区和基极区，基极区位于发射极区和集电极区之间并横向分离发射极区和集电极区，基极区包括内基极区；以及腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，腔将内基极区的下表面与半导体衬底物理分离
用于横向双极结型晶体管器件中的泄漏扩展沟槽隔离

[发明专利]一种用于芯片的嵌入式封装结构及其制作方法-CN202110774904.X在审
发明人：杨贵;郑亚平;陈春;武守坤;廖航;曹静静;樊廷慧;李波 -专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司;深圳市金百泽科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于芯片的嵌入式封装结构，包括基板、衬底、胶体，基板上开设有容置槽，衬底安装于基板底部，芯片安装于容置槽内，使用塑模将胶体注塑于所述基板上或者直接使用绝缘胶膜压合于所述基板上；上述用于芯片的嵌入式封装结构的有益效果为：通过金线将芯片邦定于容置槽内，有效降低封装结构整体厚度，相应缩减终端产品体积或增加实现其他功能的空间；将衬底安置于基板的底部，提升封装可靠性，不仅提升了芯片衬底面的平整度而且可以根据衬底物料特性提升其他产品特性
一种用于芯片嵌入式封装结构及其制作方法

[发明专利]垂直transmon量子位器件-CN201980021325.9在审
发明人： M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：一种芯片表面基底器件结构(300)包括物理耦合到晶体衬底(206A，206B)的第一超导材料(112)，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料(304B)，其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底(102在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒以及该第二超导材料。
垂直 transmon 量子器件

[发明专利]一种基于MXene/Ag/PDMS的贵金属-半导体SERS衬底及制备方法-CN202210607259.7在审
发明人：刘威;熊爽;何涛;王悦悦;戴朝卿 -专利权人：浙江农林大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MXene/Ag/PDMS的贵金属‑半导体SERS衬底及制备方法，SERS衬底包括：PDMS薄膜、银纳米粒子(Ag NPs)和MXene；方法包括如下步骤：首先，在PDMS膜表面原位生长紧接着将制备好的底物在MXene溶液中，在Ag NPs上铺一层MXene，来抑制Ag NPs氧化，并固定目标分析物。随后用去离子水洗涤3次，去除未改性的MXene。本发明制备了贵金属‑半导体纳米柔性复合衬底，衬底的4‑巯基苯甲酸(4MBA)检测限可达1.0×10‑11M，信号十天后依旧稳定，同时还能检测到噻苯咪唑(TBZ)
一种基于 mxene ag pdms 贵金属半导体 sers 衬底制备方法

[发明专利]一种生长薄板硅晶体的方法-CN201110193163.2有效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用，容易形成表面平整的薄板硅。
一种生长薄板晶体方法

[发明专利]检测DNA及其类似物的衬底激活试剂盒和方法-CN01814791.7有效
发明人：冈村浩;丹花通文;山川薰;大场光芳;高木研一 -专利权人：东洋钢钣株式会社
申请日： 2001-06-20 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种方便、快速的将DNA固定在衬底上的方法和精确检测DNA的方法，并且应用本方法固定DNA的密度与传统方法同样高。提供了底物激活试剂盒，其包括pH6的磷酸盐缓冲液，N－羟基琥珀酰亚胺的溶液A(水溶液)和1－[3－(二甲氨基)丙基]3－乙基碳二亚胺的溶液B(二噁烷溶液)；提供了检测DNA的方法，特征在于将DNA点样到用上述激活试剂盒激活的衬底上
检测 dna 及其类似物衬底激活试剂盒方法

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