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[发明专利]用于超导量子位电路的低损耗架构-CN201780096729.5有效
发明人： J.加姆贝塔;A.科科尔斯-冈萨雷斯;F.索尔冈;S.罗森布拉特;M.布林克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10N60/10 文献下载
摘要：一种涉及结构的技术。第一表面包括谐振器的电感性元件。第二表面包括谐振器的电容性元件的第一部分和至少一个量子位。谐振器的电容性元件的第二部分在第一表面上。
用于超导量子电路损耗架构

[发明专利]凸起的谐振器结构-CN201880072990.6有效
发明人： F.索尔冈;S.罗森布拉特;M.布林克;J.加姆贝塔;A.科科尔斯-冈萨雷斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01P5/02 文献下载
摘要：一种可与超导量子位电路一起使用的谐振器结构。电感性元件位于第一表面上。电容性元件位于第一表面和第二表面上。互连结构在第一表面和第二表面之间。
凸起谐振器结构

[发明专利]制造用于量子计算装置的TRANSMON量子位倒装芯片结构-CN202080036798.9在审
发明人： J.周;S.罗森布拉特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：使用一个第一芯片(302)和一个第二芯片(306)形成一个量子计算装置(300)，该第一芯片具有第一衬底(303)、第一组焊盘(312A,B)、以及安置在该第一衬底上的约瑟夫逊结组(304)。第二芯片具有第二衬底(307)、设置在第二衬底上与第一组焊盘相对的第二组焊盘(308)、以及形成在第二组焊盘的子集上的第二层(310A,B)。该第二层被构造成用于接合该第一芯片和该第二芯片。该第二组焊盘的子集对应于该约瑟夫逊结组的子集，该子集被选择为避免量子位组中的量子位之间的频率冲突。使用来自约瑟夫逊结的子集的一个约瑟夫逊结以及不在该子集中的另一个约瑟夫逊结来形成一个量子位，该另一个约瑟夫逊结被使得不可用于形成量子位。
制造用于量子计算装置 transmon 倒装芯片结构

[发明专利]用天线芯片对量子位进行退火的方法-CN201980053651.8在审
发明人： R.O.托帕洛格卢;S.罗森布拉特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：提供了促进基于天线的量子位的热退火的系统，计算机实现的方法和技术。在一个示例中，第一天线可以位于具有第一约瑟夫森结和第二约瑟夫森结的超导量子位芯片上方。第一天线可以将第一电磁波定向到第一约瑟夫森结。可以确定在第一天线和超导量子位芯片之间的第一限定垂直间隙的第一长度，以使得第一电磁波包裹第一约瑟夫森结的第一组一个或多个电容器极板，从而对第一约瑟夫森结进行退火而不对第二约瑟夫森结进行退火。在另一个示例中，第一限定垂直间隙的第一长度可以是第一电磁波作为锥体的模型的函数，其中，锥体起源于第一天线并且朝着超导量子位芯片延伸。
天线芯片量子进行退火方法

[发明专利]用于量子位退火的天线芯片的结构-CN201980050461.0在审
发明人： R.O.托帕洛格卢;S.罗森布拉特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：提供了提供合适的芯片结构以促进基于天线的量子位的热退火的系统和技术。在一个示例中，射频发射器可以包括压控振荡器和天线。压控振荡器可以从微控制器接收加电信号，从而使压控振荡器产生电磁波。天线然后可以将电磁波定向到超导量子位芯片上的约瑟夫森结的一组一个或多个电容器极板上，从而使约瑟夫森结退火。在另一个示例中，电压调节器和数模转换器或数数转换器可以串联耦合在微控制器和压控振荡器之间，从而允许压控振荡器为电压和/或频率可调，与光子激光退火相比不需要外部电源路由。在又一个示例中，可以采用双极结和互补金属氧化物半导体堆叠结构。
用于量子退火天线芯片结构

[发明专利]基于天线的量子位退火方法-CN201980045524.3在审
发明人： S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：提供了促进基于天线的量子位热退火的系统和技术。在一个示例中，射频发射器，发射器和/或天线可以位于具有耦合到一组一个或多个电容器极板的约瑟夫森结的超导量子位芯片上方。射频发射器，发射器和/或天线可以将电磁信号发射到一组一个或多个电容器极板上。电容器极板可用作接收天线，因此接收电磁信号。在接收到电磁信号时，可以在电容器极板中感应出交流电流和/或电压，该电流和/或电压由此加热极板和约瑟夫森结。约瑟夫森结的加热可以改变其物理性质，从而使约瑟夫森结退火。在另一示例中，发射器可以定向电磁信号以避免超导量子位芯片上的相邻量子位的不期望的退火。
基于天线量子退火方法

[发明专利]垂直金属衬底硅超导量子干涉器件-CN201980035347.0在审
发明人： S.罗森布拉特;J.B.赫尔茨伯格;R.O.托帕洛格卢;M.布林克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：提供了与垂直金属衬底硅超导量子干涉器件有关的技术及其制造方法。还提供了相关的磁通量控制和偏置电路。超导体结构(500)包括：包括在第一晶体硅层(106)和第二晶体硅层(110)之间包括第一超导材料的第一超导层(302)的金属衬底硅基板。所述超导结构还可以包括：包括第一约瑟夫森结(506)的第一过孔(502)和具有第二约瑟夫森结(516)的第二过孔(504)。可以在所述第一超导层(302)和第二超导层(522)之间形成所述第一过孔(502)和包括第二超导材料的所述第二过孔(504)。围绕所述第二晶体硅层(110)的限定区域的电回路可以包括：包括所述第一约瑟夫森结(506)的所述第一过孔(502)、包括所述第二约瑟夫森结(516)的所述第二过孔(504)、所述第一超导层(302)和所述第二超导层(522)。
垂直金属衬底超导量子干涉器件

[发明专利]垂直约瑟夫逊结超导器件-CN201980021512.7在审
发明人： S.罗森布拉特;M.布林克;R.O.托帕洛格卢 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：一种芯片表面基底器件结构(1100)，包括与第一超导层(104)耦合的包括晶体硅的衬底(206A，206B)，其中第一超导层与包括晶体硅的第二衬底(102)耦合。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括位于衬底的蚀刻区域中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括第一超导层、隧道势垒层和顶部超导层。
垂直约瑟夫超导器件

[发明专利]垂直transmon量子位器件-CN201980021325.9在审
发明人： M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：一种芯片表面基底器件结构(300)包括物理耦合到晶体衬底(206A，206B)的第一超导材料(112)，其中该晶体衬底物理耦合到第二超导材料(304B)，其中该第二超导材料物理耦合到第二晶体衬底(102)。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括位于该晶体衬底的通孔中的垂直约瑟夫逊结，该垂直约瑟夫逊结包括该第一超导材料、隧道势垒以及该第二超导材料。在一个实现方式中，该芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，该transmon量子位包括该垂直约瑟夫逊结以及在该第一超导材料与该第二超导材料之间形成的电容器。
垂直 transmon 量子器件

[发明专利]具有微带波导的垂直transmon量子位器件-CN201980021511.2在审
发明人： M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/18 文献下载
摘要：一种芯片表面基底器件结构(200)，包括位于衬底(106A，106B)第一侧的超导材料(214A)，以及位于衬底第二侧且堆叠在第二衬底(102)上的第二超导材料(104)，其中衬底第一侧和衬底第二侧是相对的侧。在一个实施方式中，所述衬底或所述第二衬底，或者所述衬底和所述第二衬底是晶体硅。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，transmon量子位包括电容器和约瑟夫逊结，约瑟夫逊结形成在衬底的通孔中并且包括隧道势垒。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括电耦合到transmon量子位的微带线。
具有微带波导垂直 transmon 量子器件

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