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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910485262.4有效
发明人：余德伟;赵晟博;邓运桢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，半导体装置的制造方法包含在从基底延伸出的鳍部上沉积虚设介电层；在虚设介电层上沉积虚设栅极晶种层；将虚设栅极晶种层回焊；蚀刻虚设栅极晶种层；以及在虚设栅极晶种层上方选择性地沉积虚设栅极材料，虚设栅极材料和虚设栅极晶种层构成虚设栅极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011416151.7在审
发明人：林士尧;高魁佑;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在半导体区域之上沉积虚设栅极电介质层；沉积虚设栅极电极层；以及执行第一蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的上部以形成虚设栅极电极的上部。方法还包括在虚设栅极电极的上部的侧壁上形成保护层，并且执行第二蚀刻工艺。蚀刻虚设栅极电极层的下部以形成虚设栅极电极的下部。然后使用保护层作为蚀刻掩模来执行第三蚀刻工艺以蚀刻虚设栅极电极的下部。虚设栅极电极通过第三蚀刻工艺而呈锥形。移除保护层，并且利用替换栅极电极来替换虚设栅极电极。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件的形成方法-CN202310097379.1在审
发明人：陈良湘;苏劲宇;许哲誌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：此方法包含形成多个绝缘区于半导体基材上，形成保护层于半导体基材的电阻区中，在形成保护层后，蚀刻栅极介电层，以形成晶体管的第一栅极介电层及第二栅极介电层于半导体基材的晶体管区中，移除保护层，分别形成第一虚设栅极堆叠及第二虚设栅极堆叠于第一虚设栅极堆叠及第二栅极介电层上，形成电阻于电阻区中，形成第三虚设栅极堆叠及第四虚设栅极堆叠于电阻上，以及以导电材料取代第一虚设栅极堆叠、第二虚设栅极堆叠、第三虚设栅极堆叠及第四虚设栅极堆叠的每一者。
半导体元件形成方法

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人：林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710457695.X在审
发明人：吕祐;江宗育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括于鳍结构上方形成第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。于第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构上方形成硬遮罩图案层。第一虚设栅极结构从硬遮罩图案层暴露出来。移除第一虚设栅极结构及其下方的鳍结构，以形成沟槽。于沟槽中形成隔绝结构。分别以第一金属栅极结构和第二金属栅极结构置换第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。隔绝结构的顶面分别对齐第一金属栅极结构的顶面和第二金属栅极结构的顶面。
虚设栅极结构金属栅极结构半导体装置顶面隔绝结构图案层鳍结构遮罩制造对齐移除置换暴露

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110678189.X在审
发明人：吕祐;江宗育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包括于鳍结构上方形成第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。于第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构上方形成硬遮罩图案层。第一虚设栅极结构从硬遮罩图案层暴露出来。移除第一虚设栅极结构及其下方的鳍结构，以形成沟槽。于沟槽中形成隔绝结构。分别以第一金属栅极结构和第二金属栅极结构置换第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。隔绝结构的顶面分别对齐第一金属栅极结构的顶面和第二金属栅极结构的顶面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统-CN202211535228.1在审
发明人：李承敏;金宽容;柳志桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：堆叠结构，包括栅极堆叠区和虚设堆叠区；竖直存储器结构，穿透栅极堆叠区；以及第一竖直虚设结构，穿透虚设堆叠区的一部分，其中，栅极堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的层间绝缘层和栅极层，虚设堆叠区包括彼此交替且重复地堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层，虚设水平层中的至少一个和栅极层中的至少一个包括彼此不同的材料，竖直存储器结构的上表面位于比第一竖直虚设结构的上表面高的高度处，并且位于比第一竖直虚设结构高的高度处的最下虚设上水平层与第一竖直虚设结构重叠
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN201911367885.8在审
发明人：陈玠玮;连建洲;林群能;江子昂;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构被电介质层围绕；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替代第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构，其中，替代包括：移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第二凹槽中的栅极电介质层上方依次形成N型功函数层和帽盖层，而不在第一凹槽中形成
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202010837087.3在审
发明人：杨建勋;林立德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包含形成在半导体基底上形成虚设栅极堆叠，且在虚设栅极堆叠的侧壁上形成间隙物元件。间隙物元件具有内间隙物和虚设间隙物，且内间隙物在虚设间隙物与虚设栅极堆叠之间。方法也包含形成介电层环绕间隙物元件和虚设栅极堆叠，且以金属栅极堆叠取代虚设栅极堆叠。方法更包含移除间隙物元件的虚设间隙物以在内间隙物与介电层之间形成凹槽。此外，方法包含形成密封元件以密封凹槽，使得金属栅极堆叠与介电层之间形成密封孔洞。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202211639300.5在审
发明人：黄任生;杨列勇;颜天才;任佳栋 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在鳍片上方以及衬底上方的虚设栅极层；对虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后的虚设栅极层执行退火工艺，以形成所植入离子由虚设栅极层的表面向内部变化的浓度分布；对虚设栅极层执行蚀刻工艺，以形成虚设栅极结构；利用栅极结构来替换虚设栅极结构。该半导体结构的形成方法可以直接快速地对栅极的形态进行调整，工艺简单，操作便捷。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110203028.5在审
发明人：林士尧;高魁佑;陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：前述方法包括：沉积虚设栅极材料层在蚀刻至基板上的鳍片之上。然后形成栅极遮罩于在鳍片的通道区域中的虚设栅极材料层之上。使用栅极遮罩，蚀刻虚设栅极电极至虚设栅极材料。然后沉积顶部间隔物于栅极遮罩之上且沿着虚设栅极电极的顶部的侧壁。然后蚀刻穿过虚设栅极材料的剩余部分且穿过鳍片的开口。然后沿着开口的侧壁形成底部间隙物，且底部间隔物使开口与虚设栅极电极的底部分离。然后形成源极/漏极区域在开口中，且以金属栅极堆叠物取代虚设栅极电极。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种采用虚设栅极制造半导体器件的方法-CN201210239702.6有效
发明人：张海洋;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种采用虚设栅极制造半导体器件的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的衬底上形成第一虚设栅极，在所述第二区域的衬底上形成第二虚设栅极，所述第一虚设栅极和第二虚设栅极包括依次堆栈的栅极介电层、覆盖层、栅极阻挡层和栅极电极层；在所述衬底中形成源漏极；采用湿法蚀刻去除所述第一虚设栅极的栅极电极层以形成沟槽；填充所述沟槽形成金属栅极。该方法可以消除在虚设栅极替换的工艺中因刻蚀等步骤对层间介电层（ILD）的表面造成的凹陷，并可以获得更大的操作范围，从而使器件的性能和半导体器件的工艺过程得到改善。
一种采用虚设栅极制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110019713.2在审
发明人：林士尧;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种方法，包括：形成有源沟道区域；形成虚设沟道区域；在有源沟道区域之上形成第一栅极电介质层；在虚设沟道区域之上形成第二栅极电介质层；从虚设沟道区域去除第二栅极电介质层；在虚设沟道区域之上并且与虚设沟道区域接触地形成栅极隔离区域；以及形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠。第一栅极堆叠在有源沟道区域上。栅极隔离区域将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及用于制造其的方法-CN201810192341.1有效
发明人：梁正吉;宋昇珉;金成玟;朴雨锡;裴金钟;裴东一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成包括一个或多个牺牲层和堆叠在衬底上的一个或多个半导体层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构。使用虚设栅极结构蚀刻堆叠结构以形成第一凹部。蚀刻一个或多个牺牲层。去除虚设间隔件。间隔件膜形成在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上。使用虚设栅极和间隔件膜来蚀刻半导体层和间隔件膜以形成第二凹部。形成形成在虚设栅极上的外部间隔件和形成在一个或多个牺牲层上的内部间隔件。在所述第二凹部中形成源极/漏极区。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110241119.8在审
发明人：范智翔;沈宗翰;林加明;李威缙;李显铭;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
半导体器件及其形成方法

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