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- [发明专利]半导体器件-CN202110911116.0在审
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卢昶佑;姜明吉;金兑映;裴金钟;赵槿汇
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三星电子株式会社
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2021-08-09
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2022-03-11
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H01L21/8234
- 一种半导体器件，包括：基板；第一纳米线至第六纳米线，在第一方向上延伸并彼此间隔开；第一栅电极至第三栅电极，在第二方向上延伸并分别在基板的第一区域至第三区域上；第一界面层，在第一栅电极与第二纳米线之间，该第一界面层具有第一厚度；第二界面层，在第三栅电极与第六纳米线之间，该第二界面层具有第二厚度。第一栅电极至第三栅电极可以分别围绕第一纳米线和第二纳米线、第三纳米线和第四纳米线以及第五纳米线和第六纳米线。第一内部间隔部可以在第一栅电极至第三栅电极中的至少一个的侧壁上。在第一方向上，第一纳米线的第一长度可以小于第三纳米线的第二长度。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN201910534783.4在审
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卢昶佑;姜明吉;裴金钟;裴东一;梁正吉;李相勋
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三星电子株式会社
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2019-06-19
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2020-03-27
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H01L21/8234
- 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。
- 半导体器件
- [发明专利]键组件、旋转输入装置及电子装置-CN201210330095.4有效
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裴金钟
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三星电子株式会社
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2012-09-07
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2013-03-27
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H01H25/06
- 本发明公开了一种键组件、旋转输入装置及电子装置，该键组件包括：底座；中央按钮部分，设置在底座上，以相对于底座在远程位置和邻近位置之间运动，并包括突起，所述突起沿着中央按钮部分的边缘向外突出；旋转按钮部分，与底座结合，并包括孔，所述孔使中央按钮部分的侧部的至少一部分暴露到外部，旋转按钮部分可旋转地设置在中央按钮部分的外侧上，并包括抑制部分，所述抑制部分形成在所述孔的内侧上，以对应于所述突起，从而抑制中央按钮部分沿着远离底座的方向运动。旋转输入装置包括键组件，电子装置包括旋转输入装置。
- 组件旋转输入装置电子
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