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[发明专利]金属栅极结构及其形成方法-CN202210865671.9在审
发明人：沈宗翰;张格恺;黎又明;范智翔;王宜婷;李威缙;李显铭;陈建豪;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及金属栅极结构及其形成方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上形成栅极沟槽，在栅极沟槽中沉积栅极电介质层和功函数层，在功函数层之上沉积帽盖层，钝化帽盖层的表面部分以形成钝化层，去除钝化层，在栅极沟槽中沉积填充层，使填充层和帽盖层凹陷，以及在栅极沟槽中在帽盖层之上形成接触金属层。
金属栅极结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201711296845.X有效
发明人：邱雅文;王喻生;杨凯全;李显铭;范智翔;李达元;郭观华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括形成第一晶体管，其包括形成第一栅极介电层于基板中的第一通道区上，以及形成第一功函数层于第一栅极介电层上，其中形成第一功函数层的步骤包括采用第一工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的功函数材料。方法亦形成第二晶体管，其包括形成第二栅极介电层于基板中的第二通道区上，以及形成第二功函数层于第二栅极介电层上，其中形成第二功函数层的步骤包括采用第二工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的功函数材料。
半导体装置形成方法

[实用新型]一种自锁式水泥杆装卸装置-CN202122776620.2有效
发明人：雪维;杨毅东;范智翔;杨银平;夏旺;何沛贤;杨军;田林;吕刚;杨宁;樊宝生;郭红兴;杨建军;张雨龙;闫彦龙;吴洋;马凡琳 -专利权人：国网甘肃省电力公司平凉供电公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B66C1/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力设备领域，具体为一种自锁式水泥杆装卸装置；解决了现有水泥杆装卸困难和安全性差的问题；包括安装在横杆上的吊环，在横杆上安装有若干装卸器，所述装卸器包括导筒，对称安装于导筒两侧的弓架，导筒内安装的可活动的提杆，安装于弓架上的自锁式传动杆组，以及通过自锁式传动杆组连接的夹爪，所述提杆的一端安装于横杆上，另一端与自锁式传动杆组连接，通过提杆的活动驱动两组对称的夹爪夹取水泥杆。装置通过采用若干可自锁式的装卸器拼装而成，在水泥杆装卸时，通过水泥杆自身的重量，实现装卸器的自锁，保证水泥杆装卸时的高效、稳定和安全。
一种水泥装卸装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110241119.8在审
发明人： 范智翔;沈宗翰;林加明;李威缙;李显铭;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成虚设栅极，其中，鳍突出于衬底之上；用电介质材料包围虚设栅极；以及用替换栅极结构来替换虚设栅极，其中替换该虚设栅极包括：在电介质材料中形成栅极沟槽，其中，形成栅极沟槽包括去除虚设栅极；在栅极沟槽中形成金属栅极堆叠，其中，形成该金属栅极堆叠包括在栅极沟槽中依次形成栅极电介质层、第一功函数层和间隙填充材料；以及扩大栅极沟槽中的间隙填充材料的体积。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]晶圆测试的方法-CN201710579724.X有效
发明人： 范智翔 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了晶圆测试的方法，包括：预设目标电压值T和模拟调整比例X的值；测量要改善的晶圆上一颗芯片的第一实际电压值V；实际调整比例W为第一实际电压值V与目标电压值T的差，占第一实际电压值V的百分比；选择与实际调整比例W最接近的模拟调整比例X的最接近项次；将最接近项次及其前后各U个项次，做模拟破坏并测量对应的模拟电压值S；挑选模拟电压值S最接近预设目标电压值T的项次，做电性破坏；计算第二实际电压值P与目标电压值T的差Q；重复上述步骤，测量Z颗芯片，统计所有芯片的差Q的平均值R；将目标电压值T与平均值R的差作为新的目标电压值T；重复上述所有步骤，直到测试结束。
测试方法

[发明专利]数据存取器固定装置-CN201611180778.0有效
发明人： 范智翔 -专利权人：南宁富桂精密工业有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G11B33/02 文献下载
摘要：一种数据存取器固定装置，包括一磁架，所述磁架包括一壳体及分别连接在所述壳体两端的侧板，所述数据存取器固定装置还包括一固定模组，所述固定模组包括一滑动安装在所述磁架上的支架及具有磁性的卡扣件，所述卡扣件转动安装在所述侧板上，所述支架上设有磁极方向相反的磁块，所述支架在所述磁架中滑动时使得不同磁块邻近所述卡扣件而吸引或排斥所述卡扣件，所述卡扣件在所述磁块的作用下转动而靠近或远离所述侧板。
卡扣件磁架数据存取器固定装置侧板磁块支架固定模组磁极方向滑动安装壳体两端转动安装滑动壳体扣件转动邻近排斥吸引

[发明专利]晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具-CN201610073132.6有效
发明人： 范智翔 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具，其方法包括：测量步骤：A个探针组与一晶圆的至少一测量区域内的若干晶粒接触，每个探针组包括至少一个探针，探针组电连接一晶粒，探针组分次测量测量区域内每个晶粒的电气信号参数；判断步骤：依据每个探针组与其他探针组的测量误差百分比E超出预设标准范围的超标次数F，判断探针组数量A的设备差异度百分比值G是否大于等于预设百分比阈值H，设备差异度百分比值G大于等于预设百分比阈值H的探针组不合格。本发明的晶圆测试时自我检测的方法及其晶圆测试制具能够在生产中可持续对探针组的状态进行监测，排除了因人为因素的干扰，并且减少因线路异常生产停滞。
测试自我检测方法及其

[发明专利]电子产品-CN201410423220.5有效
发明人： 范智翔;黄盈瑞 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：当上盖与下盖相互扣合时，信号连接端与信号端子电性连接以产生控制电子产品正常工作的控制信号，电路板抵压支撑件使卡接件与卡槽脱离；当上盖与下盖分离时，支撑件在弹性力作用下，卡接件向靠近上盖的方向移动，使信号端子从端子槽中散落。本发明之电子产品被非法拆卸后无法正常工作，以防止未经授权的使用者通过窜改系统来获取技术资料。
电子产品

[实用新型]抽取式电子装置的锁固机构-CN201120046369.8有效
发明人： 范智翔 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：一种抽取式电子装置的锁固机构，用于将抽取式电子装置锁固于壳体内，壳体包括一对抵持部。锁固机构包括一对平板、一对弹性元件及转盘。平板均与抽取式电子装置枢接，每一个平板两端分别设有卡制部及配合部，平板之卡制部与壳体之抵持部配合。弹性元件分别弹性连接于抽取式电子装置及平板之间。转盘设有第一槽及第二槽，配合部分别收容于第一槽及第二槽内以将转盘活动连接于平板之间，第一槽包括相互连通的第一直槽和第一导槽，第二槽包括相互连通的第二直槽和第二导槽，第一直槽与第二直槽相对设置于转盘的同一直径上，第一导槽及第二导槽分别自第一直槽及第二直槽靠近转盘圆心的一端在同一圆周上同向延伸。
抽取电子装置机构

[发明专利]具有自我检测功能的测试系统与方法-CN200710152839.7有效
发明人：陈宣臣;范智翔 -专利权人：京元电子股份有限公司
申请日： 2007-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有自我检测功能的测试系统及方法，其中该测试系统包含有：一转换器，设置于一讯号分配装置上，该转换器可接收由一测试机台发出的一测试讯号，并切换该测试讯号的行进路径；以及一讯号模拟器，与该讯号分配装置相连结，可接收由该转换器传来的该测试讯号而产生一与待测元件相同的输出讯号以检验该测试机台。再以完成自我检测的测试系统对待测元件进行测试，则可确认该待测元件的测量结果为正确的。
具有自我检测功能测试系统方法

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